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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
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MT46H32M32LFB5-5 AAT: B Tr | - - - | ![]() | 2000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 5 ns | Dram | 32m x 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT40A1G4RH-083E: b | 11.0200 | ![]() | 202 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A1G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (9x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 1,2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 1g x 4 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT47H128M4CF-25E: G Tr | - - - | ![]() | 9573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H128M4 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 128 mx 4 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MTFC4GMTEA-4M IT Tr | - - - | ![]() | 2750 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-WFBGA | MTFC4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-WFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | MMC | - - - | |||||
![]() | MT47H128M8CF-25E AIT: H Tr | - - - | ![]() | 7465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT41K1G8SN-107 ES: a Tr | - - - | ![]() | 1219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K1G8 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (9x13.2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 1g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 FAAT: B Tr | 63.8550 | ![]() | 7790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT62F2G32D4DS-023FAAT: BTR | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 2g x 32 | Parallel | - - - | ||||||||
![]() | MT48LC4M32B2TG-7: g | - - - | ![]() | 9650 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 143 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.5 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 14ns | ||
MT40A512M16JY-075E: B Tr | - - - | ![]() | 2498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,33 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 512 mx 16 | Parallel | - - - | ||||
MT29F32G08CFACAWP: C Tr | - - - | ![]() | 6918 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F32G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | MT29F32G08CFACAWP: CTR | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | Parallel | - - - | |||||
![]() | M58WR032KL70ZA6U TR | - - - | ![]() | 1711 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-vfbga | M58WR032 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 44-VFBGA (7,5x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 2m x 16 | Parallel | 70ns | ||
![]() | MT29F4G16ABCWC: c | - - - | ![]() | 8890 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F4G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT29F4G16ABCWCC | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 256 mx 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | EDB4064B4PB-1D-FD | - - - | ![]() | 5743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 216-WFBGA | EDB4064 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 216-WFBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.680 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 64m x 64 | Parallel | - - - | |||
MT40A4G4DVN-068H: E Tr | - - - | ![]() | 2043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (7,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 557-MT40A4G4DVN-068H: ETR | Veraltet | 2.000 | 1.467 GHz | Flüchtig | 16gbit | 27 ns | Dram | 4g x 4 | Parallel | - - - | ||||
![]() | PC28F128P33T85D | - - - | ![]() | 1809 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F128 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 85 ns | Blitz | 8m x 16 | Parallel | 85ns | ||
![]() | PC28F256J3D95A | - - - | ![]() | 8381 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 144 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 95 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 95ns | |||
![]() | MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES | - - - | ![]() | 3988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | Sterben | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | MT46H16M32LFB5-6 AT: c | - - - | ![]() | 9131 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT40A2G8AG-062E AUT: F TR | 22.8450 | ![]() | 6573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | - - - | - - - | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | - - - | - - - | 557-MT40A2G8AG-062AUT: ftr | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | 19 ns | Dram | 2g x 8 | Parallel | 15ns | |||||||
![]() | MT29F1G08ABAFAH4-iTE: f | - - - | ![]() | 9994 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT48LC16M16A2TG-7E IT: D Tr | - - - | ![]() | 5260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 14ns | ||
![]() | MT28F800B3SG-9 T Tr | - - - | ![]() | 2356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | MT28F800B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 44 Also | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 90 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 90ns | |||
![]() | MT41K256M8HX-187E: d | - - - | ![]() | 1566 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K256M8 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (9x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 13.125 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||
![]() | N25Q064A13EW74ME | - - - | ![]() | 9360 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | N25Q064A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-wpdfn (6x5) (MLP8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.940 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 16 mx 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | ||||
![]() | MT58L256V36PT-7,5 | 8.9300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 8mbit | 4 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | JS28F256P30B95B TR | - - - | ![]() | 6832 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F256P30 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.600 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 95 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 95ns | ||
![]() | MT29F128G08CBCebrt-37Bes: e | - - - | ![]() | 4231 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - - - | - - - | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 8542.32.0071 | 1.520 | 267 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT58L64L36DT-7.5 | 5.5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MT58L64L36 | Sram | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 2mbit | 4 ns | Sram | 64k x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | MT53D8D1AJS-DC | - - - | ![]() | 1721 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | MT53D8 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.360 | ||||||||||||||||||
![]() | MT46V32M8FG-75E: G Tr | - - - | ![]() | 7470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT46V32M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 750 ps | Dram | 32m x 8 | Parallel | 15ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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