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Speicher (10402)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
M29W640GT70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W640GT70ZA6F TR - - -
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga M29W640 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 70ns
M28W160ECB70ZB6E Micron Technology Inc. M28W160ECB70ZB6E - - -
RFQ
 ECAD 4888 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 46-tfbga M28W160 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 46-TFBGA (6.39x6.37) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 230 Nicht Flüchtig 16mbit 70 ns Blitz 1m x 16 Parallel 70ns
MTFC16GLWDQ-4M AIT Z Micron Technology Inc. MTFC16GLWDQ-4M AIT Z - - -
RFQ
 ECAD 4382 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100 lbga MTFC16G Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 100 lbga (14x18) - - - UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 980 Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 MMC - - -
M36L0R7060L3ZSF TR Micron Technology Inc. M36L0R7060L3ZSF TR - - -
RFQ
 ECAD 7608 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet M36L0R7060 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 2.500
MT29F2G01AAAEDH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G01AAAEDH4: E Tr - - -
RFQ
 ECAD 4102 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F2G01 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 2g x 1 Spi - - -
EDW2032BBBG-7A-F-R TR Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-7A-FR TR - - -
RFQ
 ECAD 9499 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 170-tfbga EDW2032 SGRAM - GDDR5 1,31 V ~ 1,65 V. 170-FBGA (12x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 2.000 1,75 GHz Flüchtig 2Gbit RAM 64m x 32 Parallel - - -
EDB8164B4PR-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB8164B4PR-1D-FD - - -
RFQ
 ECAD 9850 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 216-WFBGA EDB8164 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,95 V. 216-FBGA (12x12) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.680 533 MHz Flüchtig 8gbit Dram 128 MX 64 Parallel - - -
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AAT: a Tr - - -
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 556-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V. 556-WFBGA (12,4x12,4) - - - ROHS3 -KONFORM 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: ATR Veraltet 1 2.133 GHz Flüchtig 48Gbit 3,5 ns Dram 768m x 64 Parallel 18ns
MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABJ3-10Z: a - - -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Rohr Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - - - - - MT29F256G08 Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 132-lbga (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 100 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
PC28F512M29EWHE TR Micron Technology Inc. PC28F512M29EWHE TR - - -
RFQ
 ECAD 8885 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga PC28F512 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (11x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 512mbit 100 ns Blitz 64m x 8, 32m x 16 Parallel 100ns
N25Q064A13ESF40G Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF40G - - -
RFQ
 ECAD 1607 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) N25Q064A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,225 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 16 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B AAT: M Tr - - -
RFQ
 ECAD 4909 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V16M16 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 60-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 200 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
N25Q064A13ESF42F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF42F TR - - -
RFQ
 ECAD 9602 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) N25Q064A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16 Also - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 16 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT48H8M16LFF4-8 IT Micron Technology Inc. MT48H8M16LFF4-8 IT - - -
RFQ
 ECAD 5512 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,9 V. 54-VFBGA (8x8) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 125 MHz Flüchtig 128mbit 6 ns Dram 8m x 16 Parallel 15ns
MTFC8GLGDM-AIT Z Micron Technology Inc. MTFC8GLGDM-AIT Z - - -
RFQ
 ECAD 2463 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-tfbga MTFC8 Flash - Nand 1,65 V ~ 3,6 V. 153-TFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08ABCBBH6-6it: B Tr - - -
RFQ
 ECAD 9899 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 152-VBGA MT29F64G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 152-VBGA (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 167 MHz Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 Parallel - - -
MT53E384M32D2DS-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AUT: e 18.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53E384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen MT53E384M32D2DS-046AUT: e Ear99 8542.32.0036 1.360 2.133 GHz Flüchtig 12gbit Dram 384m x 32 - - - - - -
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 Tr 18.3750
RFQ
 ECAD 6366 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 149-VFBGA Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. 149-VFBGA (8x9,5) - - - 557-MT29GZZZ6A6BPIET-53AIT.112TR 2.000 NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 8gbit 25 ns Blitz, Ram 1g x 8 Onfi 30ns
MTFC64GAPALGT-AIT Micron Technology Inc. MTFC64GAPALGT-AIT - - -
RFQ
 ECAD 4161 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Lets Kaufen -40 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC64 Flash - Nand - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 557-MTFC64Gapalgt-Mait 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 Nicht Flüchtig 512Gbit Blitz 64g x 8 MMC - - -
MT46V64M4P-5B:K Micron Technology Inc. MT46V64M4P-5b: k - - -
RFQ
 ECAD 9042 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V64M4 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 200 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 64m x 4 Parallel 15ns
MT49H32M9FM-33 TR Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-33 TR - - -
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 144-tfbga MT49H32M9 Dram 1,7 V ~ 1,9 V. 144-µbga (18,5x11) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0036 1.000 300 MHz Flüchtig 288mbit 20 ns Dram 32m x 9 Parallel - - -
MTC10C1084S1TC48BAZ Micron Technology Inc. MTC10C1084S1TC48BAZ 171.6000
RFQ
 ECAD 3959 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MTC10C1084S1TC48BAZ 1
MTFC16GJVEC-2F WT Micron Technology Inc. MTFC16GJVEC-2F WT - - -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Schüttgut Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - MTFC16G Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 MMC - - -
MTFC4GLYAM-WT Micron Technology Inc. MTFC4GLYAM-WT - - -
RFQ
 ECAD 1418 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Schüttgut Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - MTFC4 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 MMC - - -
MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7 TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7 TR - - -
RFQ
 ECAD 2923 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1.000
MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6 TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6 TR - - -
RFQ
 ECAD 7598 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet MT29TZZZ5 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1.000
MT40A2G4WE-075E:D TR Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-075E: D Tr - - -
RFQ
 ECAD 7099 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A2G4 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (8x12) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,33 GHz Flüchtig 8gbit Dram 2g x 4 Parallel - - -
M25P64-VMF6PBA Micron Technology Inc. M25P64-VMF6PBA - - -
RFQ
 ECAD 9474 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) M25P64 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16-Sop2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 75 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 8m x 8 Spi 15 ms, 5 ms
MT29F256G08CECABH6-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CECABH6-6: a Tr - - -
RFQ
 ECAD 1857 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 152-VBGA MT29F256G08 Blitz - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 152-VBGA (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 166 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7 Micron Technology Inc. MT29TZZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7 - - -
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1.520
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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196-LFBGA Expositionspad

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