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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F8T08EQLCHL5-QA: c | 167.8050 |  | 4857 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT29F8T08EQLCHL5-QA: c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT25TU512HBA8E12-0SIT TR | - - - | | 4853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | |||||||||||||||||
| MT49H16M36BM-25: a Tr | - - - | | 8674 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H16M36 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-µbga (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 576mbit | 20 ns | Dram | 16m x 36 | Parallel | - - - | |||
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 | MT53D512M32D2DS-053 WT: D Tr | - - - | | 5696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | |||
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| MT41K512M16TNA-125 m: e | - - - | | 6601 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K512M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 8gbit | 13,5 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | - - - | ||
 | MT28F320J3RG-11 GMET TR | - - - | | 4918 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F320J3 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 110 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | - - - | |||
 | MTFC64GAQAMEA-WT | - - - | | 4252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-WFBGA | MTFC64 | Flash - Nand | - - - | 153-WFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | MMC | - - - | ||||
 | M25P32-VMF3TPB TR | - - - | | 4719 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | M25P32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | ||||
 | MT25QL512ABB8E12-0AAT | 11.7600 | | 207 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QL512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT48LC16M16A2P-6A L: G TR | - - - | | 9271 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 12ns | ||
 | MT29F4G08ABAEAH4-IT: E Tr | - - - | | 3757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 512 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT53B512M32D2NP-053 WT: C Tr | - - - | | 6714 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | |||
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| MT53B256M64D2NL-062 XT: B Tr | - - - | | 8118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 256 MX 64 | - - - | - - - | |||
| MT40A4G4JC-062E: e | - - - | | 5048 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (9x11) | Herunterladen | 557-MT40A4G4JC-062E: e | Veraltet | 1 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | 19 ns | Dram | 4g x 4 | Pod | 15ns | ||||||
| MT53E4D1BEG-DC TR | - - - | | 3922 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | MT53E4 | - - - | 557-MT53E4D1beg-DCTR | Veraltet | 2.000 | |||||||||||||||||||
| MT40A512M8RH-075E AIT: b | - - - | | 6863 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A512M8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (9x10.5) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1,33 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 512 MX 8 | Parallel | - - - | |||||
| MT29F32G08AFACAWP-Z: c | - - - | | 4692 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 960 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT46V64M8CV-5B: J. | - - - | | 5032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | |||
| MT48LC4M16A2P-6: g | - - - | | 3574 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 12ns | ||
 | MT41J128M8JP-15E: G Tr | - - - | | 1387 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41J128M8 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-FBGA (8x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 667 MHz | Flüchtig | 1Gbit | Dram | 128 MX 8 | Parallel | - - - | |||
| M25P64S-VMF6P | - - - | | 8373 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | M25P64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,225 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | ||||
| MT46V256M4P-75: a | - - - | | 4101 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V256M4 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 750 ps | Dram | 256 mx 4 | Parallel | 15ns | ||
| M28W640HCT70ZB6E | - - - | | 5152 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | M28W640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-TFBGA (6,39 x 10,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 160 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 70ns | ||||
| MT47H256M8EB-3: c | - - - | | 7023 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H256M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (9x11.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1,320 | 333 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 450 ps | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns | |||
 | MT46V128M4BN-75: D Tr | - - - | | 2701 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 750 ps | Dram | 128 mx 4 | Parallel | 15ns |
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