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Speicher (10402)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBSX-37BES: G Tr - - -
RFQ
 ECAD 4067 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - - - - - MT29F64G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 267 MHz Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 Parallel - - -
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AUT: B Tr 37.9050
RFQ
 ECAD 8089 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 200-TFBGA (10x14,5) Herunterladen 557-MT53E1G32D2FW-046AUT: BTR 2.000 2.133 GHz Flüchtig 32Gbit 3,5 ns Dram 1g x 32 Parallel 18ns
MT53E128M32D2DS-053 AUT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 AUT: a 12.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53E128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen MT53E128M32D2DS-053AUT: a Ear99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Flüchtig 4Gbit Dram 128 mx 32 - - - - - -
MT40A8G4CLU-075H:E TR Micron Technology Inc. MT40A8G4CLU-075H: E Tr - - -
RFQ
 ECAD 3873 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A8G4 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (7,5x11) - - - 557-MT40A8G4CLU-075H: ETR Veraltet 8542.32.0071 2.000 1,33 GHz Nicht Flüchtig 32Gbit 27 ns Dram 8g x 4 Parallel - - -
MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B Micron Technology Inc. MT29F2T08CTCBBJ7-6C: b - - -
RFQ
 ECAD 9511 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 152-lbga MT29F2T08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 152 lbga (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1 167 MHz Nicht Flüchtig 2tbit Blitz 256g x 8 Parallel - - -
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AITX: d 7.1900
RFQ
 ECAD 256 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F4G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 960 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
MT53B4DBNH-DC Micron Technology Inc. MT53B4DBNH-DC - - -
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 ECAD 7335 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet Oberflächenhalterung 272-WFBGA MT53B4 SDRAM - Mobile LPDDR4 272-WFBGA (15x15) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1,190 Flüchtig Dram
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E Micron Technology Inc. MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E - - -
RFQ
 ECAD 4430 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet MT29RZ4 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000
M28W160ECB70ZB6U TR Micron Technology Inc. M28W160ECB70ZB6U TR - - -
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 ECAD 3552 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 46-tfbga M28W160 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 46-TFBGA (6.39x6.37) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.500 Nicht Flüchtig 16mbit 70 ns Blitz 1m x 16 Parallel 70ns
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 WT ES: C. - - -
RFQ
 ECAD 8007 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1.360 1,6 GHz Flüchtig 16gbit Dram 512 mx 32 - - - - - -
M36L0R7050T4ZAQF TR Micron Technology Inc. M36L0R7050T4ZAQF TR - - -
RFQ
 ECAD 7928 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet M36L0R7050 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 2.500
MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR - - -
RFQ
 ECAD 5642 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) MT25QU128 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 8-Sop2 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) MT25QU128ABA1ESE-MSITTR 3a991b1a 8542.32.0071 1.500 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT29F64G08CBABAWP-IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABAWP-IT: B Tr - - -
RFQ
 ECAD 4659 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F64G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 Parallel - - -
RC48F4400P0VB0E4 Micron Technology Inc. RC48F4400P0VB0E4 - - -
RFQ
 ECAD 8802 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 64-Tbga RC48F4400 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 64 EasyBga (8x10) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 144 52 MHz Nicht Flüchtig 512mbit 100 ns Blitz 32m x 16 Parallel 100ns
MT41K64M16TW-107 IT:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 Es: J tr 3.6664
RFQ
 ECAD 2253 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41K64M16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (8x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 2.000 933 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 Parallel - - -
MT35XU01GBBA2G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA2G12-0AAT TR - - -
RFQ
 ECAD 4166 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela ™ - mt35x Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. Oberflächenhalterung 24-Tbga MT35XU01 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 200 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Xccela -bus - - -
MTFC4GMTEA-WT Micron Technology Inc. MTFC4GMTEA-WT - - -
RFQ
 ECAD 4180 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-WFBGA MTFC4 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-WFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 MMC - - -
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AIT: d 23.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Lets Kaufen -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Flüchtig 16gbit Dram 512 mx 32 - - - - - -
MT48H8M16LFB4-75:K TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-75: k tr - - -
RFQ
 ECAD 5387 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,95 V. 54-VFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 8m x 16 Parallel 15ns
MT46H16M32LFCG-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCG-6 IT: b - - -
RFQ
 ECAD 2370 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 152-VFBGA MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 152-VFBGA (14x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 166 MHz Flüchtig 512mbit 5 ns Dram 16 mx 32 Parallel 15ns
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EFCDBWP-10M: D Tr - - -
RFQ
 ECAD 2113 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F256G08 Flash - Nand (TLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 100 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
JS28F640J3F75D TR Micron Technology Inc. JS28F640J3F75D TR - - -
RFQ
 ECAD 2039 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JS28F640J3 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.600 Nicht Flüchtig 64Mbit 75 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 75ns
MTFC16GLTAM-WT TR Micron Technology Inc. MTFC16GLTAM-WT TR - - -
RFQ
 ECAD 2272 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - MTFC16G Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 MMC - - -
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4-AITX: e 3.7059
RFQ
 ECAD 3848 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F2G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Parallel - - -
MT47H64M16HR-25E XIT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E XIT: H Tr - - -
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
MT53E1G64D4HJ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 WT: a 47.4300
RFQ
 ECAD 3713 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT53E1G64D4HJ-046WT: a 1
MT58L1MY18DT-10 Micron Technology Inc. MT58L1MY18DT-10 18.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP SRAM - Standard 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 100 MHz Flüchtig 18mbit 5 ns Sram 1m x 18 Parallel - - -
MT35XL512ABA1G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XL512ABA1G12-0SIT TR - - -
RFQ
 ECAD 3780 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela ™ - mt35x Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 24-Tbga MT35XL512 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen MT35XL512ABA1G12-0SITTR 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 133 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Xccela -bus - - -
M29W640GSL70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W640GSL70ZS6F TR - - -
RFQ
 ECAD 8643 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga M29W640 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (11x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.800 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 70ns
MT29F32G08AFACAWP-Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AFACAWP-Z: C Tr - - -
RFQ
 ECAD 2684 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F32G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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