SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT48LC2M32B2P-7:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-7: G Tr - - -
RFQ
ECAD 1393 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC2M32B2 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 143 MHz Flüchtig 64Mbit 5.5 ns Dram 2m x 32 Parallel 14ns
MT53D4DCFL-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DCFL-DC Tr - - -
RFQ
ECAD 6840 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic MT53D4 - - - UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 2.000
M29W640GL70NB6F TR Micron Technology Inc. M29W640GL70NB6F TR - - -
RFQ
ECAD 1441 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29W640 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.200 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 70ns
M29DW323DB70N6F TR Micron Technology Inc. M29DW323DB70N6F TR - - -
RFQ
ECAD 9401 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29DW323 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.500 Nicht Flüchtig 32Mbit 70 ns Blitz 4m x 8, 2m x 16 Parallel 70ns
M29W640GSL70ZF6E Micron Technology Inc. M29W640GSL70ZF6E - - -
RFQ
ECAD 6095 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga M29W640 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-TBGA (10x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 816 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 70ns
PF38F3050M0Y0CEB TR Micron Technology Inc. PF38F3050M0Y0CEB TR - - -
RFQ
ECAD 5950 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 38F3050m0 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000
MT61K256M32JE-14:A TR Micron Technology Inc. MT61K256M32JE-14: a Tr - - -
RFQ
ECAD 3955 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 180-tfbga MT61K256 SGRAM - GDDR6 1,31v ~ 1,39 V. 180-FBGA (12x14) Herunterladen Ear99 8542.32.0071 2.000 1,75 GHz Flüchtig 8gbit RAM 256 mx 32 Parallel - - -
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U - - -
RFQ
ECAD 9503 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - - - - MT29RZ4C4 Flash - Nand, Dram - LPDDR2 1,8 v - - - - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 980 533 MHz NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR2) Blitz, Ram 256 MX 16 (NAND), 128 MX 32 (LPDDR2) Parallel - - -
M28W640FCB70ZB6E Micron Technology Inc. M28W640FCB70ZB6E - - -
RFQ
ECAD 8393 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga M28W640 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-TFBGA (6,39 x 10,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 160 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 4m x 16 Parallel 70ns
MTFC8GLVEA-4M IT Micron Technology Inc. MTFC8GLVEA-4M IT - - -
RFQ
ECAD 4841 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-WFBGA MTFC8 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-WFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8523.51.0000 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MT29F4G16ABBFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBFAH4-AAT: f Tr 3.8498
RFQ
ECAD 4284 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G16 Flash - Nand (SLC) 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 557-MT29F4G16ABBFAH4-AAT: ftr 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 256 mx 16 Parallel - - -
MT46V32M8TG-75 IT:G Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-75 ES: g - - -
RFQ
ECAD 2084 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V32M8 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 256mbit 750 ps Dram 32m x 8 Parallel 15ns
MTFC64GAJAEDN-5M AIT Micron Technology Inc. MTFC64GAJAEDN-5M AIT - - -
RFQ
ECAD 4856 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 169-LFBGA MTFC64 Flash - Nand - - - 169-LFBGA (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 980 Nicht Flüchtig 512Gbit Blitz 64g x 8 MMC - - -
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2LZ-107 XT: b - - -
RFQ
ECAD 9662 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 216-WFBGA MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,2 v 216-FBGA (12x12) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.680 933 MHz Flüchtig 16gbit Dram 256 MX 64 - - - - - -
MT45W4MW16BFB-856 WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-856 WT TR - - -
RFQ
ECAD 7189 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT45W4MW16 Psram (pseudo sram) 1,7 V ~ 1,95 V. 54-VFBGA (6x9) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.000 Flüchtig 64Mbit 85 ns Psram 4m x 16 Parallel 85ns
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A XIT: L TR 14.1100
RFQ
ECAD 7249 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48LC4M32B2 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-VFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 167 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel 12ns
PZ28F064M29EWLX Micron Technology Inc. PZ28F064M29EWLX - - -
RFQ
ECAD 2102 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-VFBGA PZ28F064M29 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-bga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 187 Nicht Flüchtig 64Mbit 60 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 60ns
MTFC8GLWDQ-3L AAT A Micron Technology Inc. MTFC8GLWDQ-3L AAT A. - - -
RFQ
ECAD 4432 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100 lbga MTFC8 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 100 lbga (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) MTFC8GLWDQ-3LAATA 3a991b1a 8542.32.0071 1 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MT29F256G08CMCABH2-12:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-12: a - - -
RFQ
ECAD 3713 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100 TBGA MT29F256G08 Blitz - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 100-TBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 83 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
MT48LC32M8A2P-7E:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-7E: d - - -
RFQ
ECAD 5485 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC32M8A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 32m x 8 Parallel 14ns
EMF8164A3PK-DV-F-D Micron Technology Inc. EMF8164A3PK-DV-FD - - -
RFQ
ECAD 3439 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1.680
M29W160EB70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W160EB70ZS6F TR - - -
RFQ
ECAD 3673 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga M29W160 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (11x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0071 1.800 Nicht Flüchtig 16mbit 70 ns Blitz 2m x 8, 1m x 16 Parallel 70ns
MT28F008B5VG-8 T TR Micron Technology Inc. MT28F008B5VG-8 T Tr - - -
RFQ
ECAD 5463 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT28F008B5 Flash - Nor 4,5 V ~ 5,5 V. 40-tsop i Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 8mbit 80 ns Blitz 1m x 8 Parallel 80ns
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F1T208ECHBBJ4-3R: b - - -
RFQ
ECAD 8933 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F1T208 Flash - Nand 2,5 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,120 333 MHz Nicht Flüchtig 1.125tbit Blitz 144g x 8 Parallel - - -
MT48LC8M16LFF4-10:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-10: g - - -
RFQ
ECAD 4593 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48LC8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 3v ~ 3,6 V 54-VFBGA (8x8) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 100 MHz Flüchtig 128mbit 7 ns Dram 8m x 16 Parallel 15ns
MT42L256M64D4LD-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L256M64D4LD-25 WT: a - - -
RFQ
ECAD 9406 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 220-VFBGA MT42L256M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,3 V. 220-FBGA (14x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 1.000 400 MHz Flüchtig 16gbit Dram 256 MX 64 Parallel - - -
MT29F16G16ADACAH4-IT:C Micron Technology Inc. MT29F16G16ADACAH4-IT: c - - -
RFQ
ECAD 8952 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F16G16 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 16gbit Blitz 1g x 16 Parallel - - -
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV-062 XT ES: C Tr - - -
RFQ
ECAD 5708 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - - - - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 1,6 GHz Flüchtig 16gbit Dram 256 MX 64 - - - - - -
N25Q512A81GSF40G Micron Technology Inc. N25Q512A81GSF40G - - -
RFQ
ECAD 5994 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) N25Q512A81 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 16 Also - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1,225 108 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 128 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
M25P16-VMF3PB Micron Technology Inc. M25P16-VMF3PB - - -
RFQ
ECAD 7505 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) M25P16 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16-Sop2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0071 1,225 75 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi 15 ms, 5 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus