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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT46V256M4P-75: a Tr | - - - |  | 1252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V256M4 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 750 ps | Dram | 256 mx 4 | Parallel | 15ns | ||
 | MT48LC4M16A2P-7E ES: g | - - - | | 3586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 14ns | ||
 | MT25QL128ABB8E12-CAUT | 4.8849 | | 3572 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -791-MT25QL128ABB8E12-CAUT | 1,122 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 5 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 1,8 ms | ||||
 | MT48LC16M16A2B4-6A AIT: G TR | - - - | | 4986 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.000 | 167 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 12ns | ||
 | MT53B2DDNP-DC TR | - - - | | 9293 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.000 | Flüchtig | Dram | |||||||||||||
 | MT28F800B3SG-9 T | - - - | | 8686 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | MT28F800B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 44 Also | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 90 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 90ns | |||
 | M25PX80-VMP6TG0U TR | - - - | | 7762 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | M25PX80 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-VFQFPN (6x5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 4.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | ||||
 | MT57W512H36BF-7,5 | 23.0000 | | 325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | MT57W512H | SRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 18mbit | 7,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | MT28EW01GABA1LPC-0SIT TR | 15.1500 | | 7838 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | MT28EW01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-lbga (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 95 ns | Blitz | 128 mx 8, 64 mx 16 | Parallel | 60ns | |||
 | MT58L32L32FT-8.5 | 5.8800 | | 28 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 1Mbit | 8.5 ns | Sram | 32k x 32 | Parallel | - - - | |||
| MT46V32M16P-75 IT: c | - - - | | 8321 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 750 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT48LC32M16A2P-75 IT: C Tr | - - - | | 2109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC32M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | M29W256GH70ZA6E | - - - | | 3205 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | M29W256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-TBGA (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -M29W256GH70ZA6E | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 816 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 70ns | ||
| MT46V16M16P-6T ES: F TR | - - - | | 4952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F4G16ABBDAH4: d | - - - | | 5399 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F4G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||||
 | MT53E1G32D2FW-046 AIT: b | 29.9700 | | 5624 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | Herunterladen | 557-MT53E1G32D2FW-046AIT: b | 1 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | 3,5 ns | Dram | 1g x 32 | Parallel | 18ns | |||||||
| MT46V128M4P-6T: d | - - - | | 7040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 128 mx 4 | Parallel | 15ns | ||
 | M25P16-VME6TG TR | - - - | | 1603 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | M25P16 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
| MT46V32M16P-5B: f | - - - | | 9870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT TR | - - - | | 9106 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 137-tfbga | MT29C1G12 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 137-TFBGA (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Blitz, Ram | 128 MX 8 (NAND), 16 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | |||
| MT46H16M32LFB5-6 AIT: c | 5.4134 | | 9318 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | 15ns | ||
| MT53E384M32D2FW-046 IT: e | 9.7650 | | 4309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT53E384M32D2FW-046it: e | 1 | 2.133 GHz | Flüchtig | 12gbit | 3,5 ns | Dram | 384m x 32 | Parallel | 18ns | |||||||
| MT46H128M32L2MC-5 WT: B Tr | - - - | | 5219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 240-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 240-WFBGA (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5 ns | Dram | 128 mx 32 | Parallel | 15ns | |||
 | MT41J128M16HA-15E: d | - - - | | 6208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41J128M16 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-FBGA (9x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 13,5 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | - - - | ||
| MT62F768M64D4EJ-031 WT ES: a Tr | 62.8950 | | 1071 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT62F768 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT62F768M64D4EJ-031WTES: ATR | 1.500 | |||||||||||||||||||
| M29DW256G7ANF6F TR | - - - | | 1189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29DW256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.200 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT53D512M64D4NW-053 WT ES: E Tr | - - - | | 7944 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 432-vfbga | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA (15x15) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 MX 64 | - - - | - - - | ||||
| PC28F128P30B85A | - - - | | 1678 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64 EasyBga (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 85 ns | Blitz | 8m x 16 | Parallel | 85ns | ||
| MTFC16GLXDV-WT | - - - | | 9683 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | MTFC16G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | |||||
| EDFA232A2PB-GD-FR TR | - - - | | 3053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | - - - | EDFA232 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 216-FBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | Parallel | - - - |
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