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Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	SPANNUNG - Verrorane	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergrö	Zugriffszeit	Speicherformat	Speicherorganisation	Speicherschnittstelle	Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT62F768M64D4EJ-031 WT ES: a	62.8950	RFQ	8114	Micron Technology Inc.	- - -	Schüttgut	Aktiv				MT62F768				- - -			UnberÜHrt Ereichen	557-MT62F768M64D4EJ-031WTES: a			1,190
MT48H4M16LFF4-10	- - -	RFQ	9173	Micron Technology Inc.	- - -	Kasten	Abgebrochen bei Sic	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-VFBGA	MT48H4M16	SDRAM - Mobile LPSDR	1,7 V ~ 1,9 V.	54-VFBGA (8x8)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	2 (1 Jahr)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	1.000	104 MHz	Flüchtig	64Mbit	7 ns	Dram	4m x 16	Parallel	15ns
MT46V32M16TG-5B ES: J tr	- - -	RFQ	8194	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	MT46V32M16	SDRAM - DDR	2,5 V ~ 2,7 V	66-tsop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)			Ear99	8542.32.0024	2.000	200 MHz	Flüchtig	512mbit	700 ps	Dram	32m x 16	Parallel	15ns
M25P40-VMW6TGB TR	- - -	RFQ	4631	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit)	M25P40	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	8-so w	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0071	1.500	75 MHz	Nicht Flüchtig	4mbit		Blitz	512k x 8	Spi	15 ms, 5 ms
MT46V16M8TG-6T L: D Tr	8.8200	RFQ	165	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	MT46V16M8	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop	Herunterladen	Rohs Nick Konform	2 (1 Jahr)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	1.000	167 MHz	Flüchtig	128mbit	700 ps	Dram	16 mx 8	Parallel	15ns
MT41K256M16TW-107: p	7.0600	RFQ	4	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	MT41K256M16	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	96-FBGA (8x14)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	1,224	933 MHz	Flüchtig	4Gbit	20 ns	Dram	256 mx 16	Parallel	- - -
MT29F4G08ABBDAH4-IT: d	- - -	RFQ	4035	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	63-VFBGA	MT29F4G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V.	63-VFBGA (9x11)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	1.260		Nicht Flüchtig	4Gbit		Blitz	512 MX 8	Parallel	- - -
MT53B256M64D2TG-062 XT ES: C.	- - -	RFQ	6566	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	- - -	- - -	MT53B256	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	- - -	- - -		1 (unbegrenzt)			Veraltet	0000.00.0000	960	1,6 GHz	Flüchtig	16gbit		Dram	256 MX 64	- - -	- - -
MT53D4DACB-DC	- - -	RFQ	2334	Micron Technology Inc.	- - -	Schüttgut	Veraltet		- - -	- - -	MT53D4	SDRAM - Mobile LPDDR4		- - -	- - -		1 (unbegrenzt)			Veraltet	0000.00.0000	1.360		Flüchtig			Dram
MT53D512M64D4CR-053 WT: d	- - -	RFQ	4753	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	- - -	- - -	MT53D512	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	- - -	- - -		1 (unbegrenzt)			Veraltet	0000.00.0000	1.360	1.866 GHz	Flüchtig	32Gbit		Dram	512 MX 64	- - -	- - -
MT62F4G32D8DV-023 AUT: B Tr	145.4250	RFQ	3493	Micron Technology Inc.	Automobil, AEC-Q100	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C.	- - -	- - -		SDRAM - Mobile LPDDR5	- - -	- - -	- - -				557-MT62F4G32D8DV-023AUT: BTR			2.000	4,266 GHz	Flüchtig	128Gbit		Dram	4g x 32	Parallel	- - -
MT58L32L32DT-10	7.1600	RFQ	6	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	Schüttgut	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	MT58L32L32	SRAM - Synchron	3,135 V ~ 3,6 V.	100-TQFP (14x20.1)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	3 (168 Stunden)	Verkäfer undefiniert		3A991B2B	8542.32.0041	1	100 MHz	Flüchtig	1Mbit	5 ns	Sram	32k x 32	Parallel	- - -
MT29F4G08ABAFAH4-AITES: f	- - -	RFQ	9437	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	63-VFBGA	MT29F4G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V.	63-VFBGA (9x11)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	1.620		Nicht Flüchtig	4Gbit		Blitz	512 MX 8	Parallel	- - -
MT29F4G01ABAFD12-ITE: F Tr	- - -	RFQ	5349	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	24-Tbga	MT29F4G01	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V.	24-T-PBGA (6x8)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	2.000		Nicht Flüchtig	4Gbit		Blitz	4g x 1	Spi	- - -
MT46H32M32LFCM-5: a Tr	- - -	RFQ	2895	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-VFBGA	MT46H32M32	SDRAM - Mobile LPDDR	1,7 V ~ 1,95 V.	90-VFBGA (10x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	2 (1 Jahr)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	1.000	200 MHz	Flüchtig	1Gbit	5 ns	Dram	32m x 32	Parallel	15ns
MT29F32G08ABEDBJ4-12: D Tr	- - -	RFQ	9731	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	132-vbga	MT29F32G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V.	132-VBGA (12x18)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)		MT29F32G08ABEDBJ4-12: DTR	3a991b1a	8542.32.0071	1.000	83 MHz	Nicht Flüchtig	32Gbit		Blitz	4g x 8	Parallel	- - -
MT53B384M64D4NH-062 WT ES: B	- - -	RFQ	5764	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	272-WFBGA	MT53B384	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	272-WFBGA (15x15)	- - -		1 (unbegrenzt)			Veraltet	0000.00.0000	1,190	1,6 GHz	Flüchtig	24gbit		Dram	384m x 64	- - -	- - -
MT29F4T08Eulcem4-QJ: c	121.0800	RFQ	1863	Micron Technology Inc.	- - -	Kasten	Aktiv								- - -				557-MT29F4T08EUCEM4-QJ: c			1
MT29F128G08CBEABL85A3WC1	- - -	RFQ	3656	Micron Technology Inc.	- - -	Kasten	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	- - -	- - -	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V.	- - -	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	1		Nicht Flüchtig	128Gbit		Blitz	16g x 8	Parallel	- - -
MT40A2G8JE-062E AUT: E TR	24.0300	RFQ	1958	Micron Technology Inc.	Automobil, AEC-Q100	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga		SDRAM - DDR4	1,14 V ~ 1,26 V.	78-FBGA (9x11)	Herunterladen				557-MT40A2G8JE-062AUT: ETR			2.000	1,6 GHz	Flüchtig	16gbit	19 ns	Dram	2g x 8	Pod	15ns
Mt38m4041a3034ezzi.xk6 tr	- - -	RFQ	2754	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	56-VFBGA	MT38M4041	Flash - Nor, psram	1,7 V ~ 1,95 V.	56-VFBGA (8x8)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Veraltet	0000.00.0000	2.500	133 MHz	NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG	256Mbit (Flash), 128Mbit (RAM)		Blitz, Ram	16m x 16, 8m x 16	Parallel	- - -
MT25QU512ABB8E12-0SIT TR	10.6800	RFQ	27	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	24-Tbga	MT25QU512	Flash - Nor	1,7 V ~ 2 V	24-T-PBGA (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	2.500	133 MHz	Nicht Flüchtig	512mbit		Blitz	64m x 8	Spi	8 ms, 2,8 ms
MT29Vzzzad8DQKSM-053 W.9d8 Tr	- - -	RFQ	1812	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet				MT29Vzzzad8				- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Veraltet	0000.00.0000	1.000
MT29F64G08CBCGBSX-37BES: g	- - -	RFQ	6161	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	- - -	- - -	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V.	- - -	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	1.260	267 MHz	Nicht Flüchtig	64Gbit		Blitz	8g x 8	Parallel	- - -
MT47H32M8BP-37V: b	- - -	RFQ	1380	Micron Technology Inc.	- - -	Kasten	Abgebrochen bei Sic	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	60-fbga	MT47H32M8B	SDRAM - DDR2	1,7 V ~ 1,9 V.	60-FBGA (8x12)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	2 (1 Jahr)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	1.000	267 MHz	Flüchtig	256mbit	500 ps	Dram	32m x 8	Parallel	15ns
MTFC4GLDEA-0M WT TR	- - -	RFQ	4118	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	153-WFBGA	MTFC4	Flash - Nand	1,65 V ~ 3,6 V.	153-WFBGA (11,5x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	1.000		Nicht Flüchtig	32Gbit		Blitz	4g x 8	MMC	- - -
MT53D512M32D2NP-046 AIT: D Tr	- - -	RFQ	7946	Micron Technology Inc.	Automobil, AEC-Q100	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	200-WFBGA	MT53D512	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	200-WFBGA (10x14,5)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)			Veraltet	0000.00.0000	2.000	2.133 GHz	Flüchtig	16gbit		Dram	512 mx 32	- - -	- - -
MT48V8M16LFB4-8: G Tr	- - -	RFQ	6285	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-VFBGA	MT48V8M16	SDRAM - Mobile LPSDR	2,3 V ~ 2,7 V	54-VFBGA (8x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	2 (1 Jahr)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	1.000	125 MHz	Flüchtig	128mbit	7 ns	Dram	8m x 16	Parallel	15ns
MT25QL256ABA8E12-0AUT	8.9500	RFQ	2	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	24-Tbga	MT25QL256	Flash - Nor	2,7 V ~ 3,6 V.	24-T-PBGA (6x8)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	2.500	133 MHz	Nicht Flüchtig	256mbit	5 ns	Blitz	32m x 8	Spi	1,8 ms
PC28F640P33TF60A	- - -	RFQ	8358	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	64-Tbga	PC28F640	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	64 EasyBga (10x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	1.800	52 MHz	Nicht Flüchtig	64Mbit	60 ns	Blitz	4m x 16	Parallel	60ns

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Speicher (10402)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²