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Speicher (10402)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	SPANNUNG - Verrorane	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergrö	Zugriffszeit	Speicherformat	Speicherorganisation	Speicherschnittstelle	Zykluszeitscheiben - Würze, Site	SIC -Programmierbar
MT29F4G16ABBDAH4: d	- - -	RFQ	5399	Micron Technology Inc.	- - -	Schüttgut	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	63-VFBGA	MT29F4G16	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V.	63-VFBGA (9x11)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	1.260		Nicht Flüchtig	4Gbit		Blitz	256 mx 16	Parallel	- - -
MT53E1G32D2FW-046 AIT: b	29.9700	RFQ	5624	Micron Technology Inc.	Automobil, AEC-Q100	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	200-tfbga		SDRAM - Mobile LPDDR4X	1,06 V ~ 1,17 V.	200-TFBGA (10x14,5)	Herunterladen				557-MT53E1G32D2FW-046AIT: b			1	2.133 GHz	Flüchtig	32Gbit	3,5 ns	Dram	1g x 32	Parallel	18ns
MT46V128M4P-6T: d	- - -	RFQ	7040	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	MT46V128M4	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop	- - -	ROHS3 -KONFORM	4 (72 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	1.000	167 MHz	Flüchtig	512mbit	700 ps	Dram	128 mx 4	Parallel	15ns
MT46V32M16P-5B: f	- - -	RFQ	9870	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	MT46V32M16	SDRAM - DDR	2,5 V ~ 2,7 V	66-tsop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	1.000	200 MHz	Flüchtig	512mbit	700 ps	Dram	32m x 16	Parallel	15ns
MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT TR	- - -	RFQ	9106	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	137-tfbga	MT29C1G12	Flash - NAND, Mobile LPDRam	1,7 V ~ 1,95 V.	137-TFBGA (10,5x13)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	1.000	166 MHz	NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG	1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM)		Blitz, Ram	128 MX 8 (NAND), 16 MX 32 (LPDRAM)	Parallel	- - -
MT46H16M32LFB5-6 AIT: c	5.4134	RFQ	9318	Micron Technology Inc.	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-VFBGA	MT46H16M32	SDRAM - Mobile LPDDR	1,7 V ~ 1,95 V.	90-VFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	1.440	166 MHz	Flüchtig	512mbit	5 ns	Dram	16 mx 32	Parallel	15ns
MT53E384M32D2FW-046 IT: e	9.7650	RFQ	4309	Micron Technology Inc.	- - -	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	200-tfbga		SDRAM - Mobile LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V.	200-TFBGA (10x14,5)	- - -				557-MT53E384M32D2FW-046it: e			1	2.133 GHz	Flüchtig	12gbit	3,5 ns	Dram	384m x 32	Parallel	18ns
MT46H128M32L2MC-5 WT: B Tr	- - -	RFQ	5219	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	240-WFBGA	MT46H128M32	SDRAM - Mobile LPDDR	1,7 V ~ 1,95 V.	240-WFBGA (14x14)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)			Ear99	8542.32.0036	1.000	200 MHz	Flüchtig	4Gbit	5 ns	Dram	128 mx 32	Parallel	15ns
MT41J128M16HA-15E: d	- - -	RFQ	6208	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	MT41J128M16	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	96-FBGA (9x14)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	1.000	667 MHz	Flüchtig	2Gbit	13,5 ns	Dram	128 MX 16	Parallel	- - -
MT62F768M64D4EJ-031 WT ES: a Tr	62.8950	RFQ	1071	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv				MT62F768				- - -			UnberÜHrt Ereichen	557-MT62F768M64D4EJ-031WTES: ATR			1.500
M29DW256G7ANF6F TR	- - -	RFQ	1189	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit)	M29DW256	Flash - Nor	2,7 V ~ 3,6 V.	56-tsop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	1.200		Nicht Flüchtig	256mbit	70 ns	Blitz	16m x 16	Parallel	70ns
MT53D512M64D4NW-053 WT ES: E Tr	- - -	RFQ	7944	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	432-vfbga	MT53D512	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	432-VFBGA (15x15)	- - -		3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	1.000	1.866 GHz	Flüchtig	32Gbit		Dram	512 MX 64	- - -	- - -
PC28F128P30B85A	- - -	RFQ	1678	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	64-Tbga	PC28F128	Flash - Nor	1,7 V ~ 2 V	64 EasyBga (10x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	864	52 MHz	Nicht Flüchtig	128mbit	85 ns	Blitz	8m x 16	Parallel	85ns
MTFC16GLXDV-WT	- - -	RFQ	9683	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Schüttgut	Veraltet	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	- - -	MTFC16G	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V.	- - -	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)			3a991b1a	8542.32.0071	1.000		Nicht Flüchtig	128Gbit		Blitz	16g x 8	MMC	- - -
EDFA232A2PB-GD-FR TR	- - -	RFQ	3053	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	- - -	EDFA232	SDRAM - Mobile LPDDR3	1,14 V ~ 1,95 V.	216-FBGA (12x12)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)			Veraltet	0000.00.0000	1.000	800 MHz	Flüchtig	16gbit		Dram	512 mx 32	Parallel	- - -
MT40A256M16GE-083E: b	- - -	RFQ	7032	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	MT40A256M16	SDRAM - DDR4	1,14 V ~ 1,26 V.	96-FBGA (9x14)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	1	1,2 GHz	Flüchtig	4Gbit		Dram	256 mx 16	Parallel	- - -
MT46V64M8P-6T: F Tr	- - -	RFQ	1413	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	MT46V64M8	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	1.000	167 MHz	Flüchtig	512mbit	700 ps	Dram	64m x 8	Parallel	15ns
MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E TR	- - -	RFQ	1967	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-25 ° C ~ 85 ° C.	- - -	- - -	MT29TZZZ8	Flash - Nand, Dram - LPDDR3	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V.	- - -	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)		MT29TZZZ8D5JKERL-107W.95TR	Veraltet	0000.00.0000	1.000	933 MHz	NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG	64Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3)		Blitz, Ram	68G x 8 (NAND), 256 MX 32 (LPDDR3)	MMC, LPDRAM	- - -
NAND16GW3B6DPA6E	- - -	RFQ	1423	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	114-LFBGA	NAND16G	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V.	114-LFBGA (12x16)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	-Nand16GW3B6DPA6E	3a991b1a	8542.32.0071	810		Nicht Flüchtig	16gbit	25 ns	Blitz	2g x 8	Parallel	25ns
MT62F768M64D4EK-026 WT ES: B	51.0300	RFQ	9276	Micron Technology Inc.	- - -	Kasten	Aktiv	-25 ° C ~ 85 ° C.	Oberflächenhalterung	441-tfbga	MT62F768	SDRAM - Mobile LPDDR5	- - -	441-tfbga (14x14)	- - -				557-MT62F768M64D4EK-026WTES: b			1	3,2 GHz	Flüchtig	48Gbit		Dram	768m x 64	Parallel	- - -
MT48H8M16LFF4-10	- - -	RFQ	3615	Micron Technology Inc.	- - -	Kasten	Abgebrochen bei Sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-VFBGA	MT48H8M16	SDRAM - Mobile LPSDR	1,7 V ~ 1,9 V.	54-VFBGA (8x8)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	2 (1 Jahr)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	1.000	104 MHz	Flüchtig	128mbit	7 ns	Dram	8m x 16	Parallel	15ns
MT41K512M8DA-107: p tr	5.2703	RFQ	9246	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga	MT41K512M8	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	78-FBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	MT41K512M8DA-107: PTR	Ear99	8542.32.0036	2.000	933 MHz	Flüchtig	4Gbit	20 ns	Dram	512 MX 8	Parallel	- - -
MT42L256M32D2LK-18 WT: a	- - -	RFQ	3538	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	216-WFBGA	MT42L256M32	SDRAM - Mobile LPDDR2	1,14 V ~ 1,3 V.	216-FBGA (12x12)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	1.000	533 MHz	Flüchtig	8gbit		Dram	256 mx 32	Parallel	- - -
Mtedfbr4sca-1p2it	- - -	RFQ	5850	Micron Technology Inc.	- - -	Rohr	Aktiv				Mtedfbr4				- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen			0000.00.0000	150
MT4A512M16LY-75: e	- - -	RFQ	9827	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Aktiv				MT4A512				- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen			0000.00.0000	1.020
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G TR	170.5750	RFQ	8439	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv				MT29VZZZBC9				- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen			0000.00.0000	1.000									Nicht Verifiziert
MT29F16G08ABACAM72A3WC1	- - -	RFQ	2996	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	Sterben	MT29F16G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V.	Sterben	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)			3a991b1a	8542.32.0071	1		Nicht Flüchtig	16gbit		Blitz	2g x 8	Parallel	- - -
MT47H64M16HW-3 ES: h	- - -	RFQ	7517	Micron Technology Inc.	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	84-tfbga	MT47H64M16	SDRAM - DDR2	1,7 V ~ 1,9 V.	84-FBGA (8x12,5)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	3 (168 Stunden)			Ear99	8542.32.0032	1.000	333 MHz	Flüchtig	1Gbit	450 ps	Dram	64m x 16	Parallel	15ns
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES: B	- - -	RFQ	6995	Micron Technology Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	- - -	- - -	MT53B384	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	- - -	- - -		1 (unbegrenzt)			Veraltet	0000.00.0000	1,120	1,6 GHz	Flüchtig	24gbit		Dram	384m x 64	- - -	- - -
MT46V32M8TG-6T L: G TR	- - -	RFQ	3940	Micron Technology Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	MT46V32M8	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop	Herunterladen	Rohs Nick Konform	2 (1 Jahr)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	1.000	167 MHz	Flüchtig	256mbit	700 ps	Dram	32m x 8	Parallel	15ns

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Speicher (10402)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²