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Speicher (10402)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MTFC16GLWDM-4M AIT Z TR Micron Technology Inc. MTFC16GLWDM-4M AIT Z TR - - -
RFQ
 ECAD 9577 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-tfbga MTFC16G Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-TFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 MMC - - -
MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-5M: B Tr - - -
RFQ
 ECAD 6600 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F256G08 Blitz - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 200 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
MT45W2MW16BABB-706 WT TR Micron Technology Inc. MT45W2MW16BABB-706 WT TR - - -
RFQ
 ECAD 1263 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT45W2MW16 Psram (pseudo sram) 1,7 V ~ 1,95 V. 54-VFBGA (6x9) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 32Mbit 70 ns Psram 2m x 16 Parallel 70ns
MT47H128M8CF-25:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-25: H Tr - - -
RFQ
 ECAD 8454 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 2.000 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
MT4A1G8SA-75:E TR Micron Technology Inc. MT4A1G8SA-75: E Tr - - -
RFQ
 ECAD 7399 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv MT4A1 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 2.000
PZ28F064M29EWBX Micron Technology Inc. PZ28F064M29EWBX - - -
RFQ
 ECAD 5814 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-VFBGA PZ28F064M29 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-bga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 187 Nicht Flüchtig 64Mbit 60 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 60ns
RC28F256J3D95B TR Micron Technology Inc. RC28F256J3D95B TR - - -
RFQ
 ECAD 1637 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga RC28F256 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64 EasyBga (10x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 256mbit 95 ns Blitz 32m x 8, 16 mx 16 Parallel 95ns
MT47R256M4CF-25E:H Micron Technology Inc. MT47R256M4CF-25E: h - - -
RFQ
 ECAD 3826 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47R256M4 SDRAM - DDR2 1,55 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 256 mx 4 Parallel 15ns
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AAT: C Tr - - -
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 2.000 2.133 GHz Flüchtig 12gbit Dram 384m x 32 - - - - - -
MT53B4DATX-DC Micron Technology Inc. MT53B4DATX-DC - - -
RFQ
 ECAD 2850 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Veraltet MT53B4 SDRAM - Mobile LPDDR4 - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 960 Flüchtig Dram
N25Q032A13ESE40F Micron Technology Inc. N25Q032A13ese40f - - -
RFQ
 ECAD 9320 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) N25Q032A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.800 108 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 8m x 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT46V32M16BN-5B L IT:F Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-5B L es: f - - -
RFQ
 ECAD 2599 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 60-FBGA (10x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G16ADBDAH4-AIT: D Tr - - -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F8G16 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 8gbit Blitz 512 mx 16 Parallel - - -
MT48H16M32L2B5-10 TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2B5-10 TR - - -
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,9 V. 90-VFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 100 MHz Flüchtig 512mbit 7,5 ns Dram 16 mx 32 Parallel - - -
M25P20-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P20-VMN6TP TR - - -
RFQ
 ECAD 3233 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) M25P20 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.500 50 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi 15 ms, 5 ms
MT54V512H18E1F-5 Micron Technology Inc. MT54V512H18E1F-5 24.0700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga SRAM - Synchron 2,4 V ~ 2,6 V. 165-FBGA (13x15) Herunterladen Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert 3a991b2a 8542.32.0041 1 200 MHz Flüchtig 9mbit Sram 512k x 18 Hstl - - -
MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:D Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCDBJ4-6it: d - - -
RFQ
 ECAD 1049 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F32G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,120 166 MHz Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 Parallel - - -
M58LR128KT85ZB6E Micron Technology Inc. M58LR128KT85ZB6E - - -
RFQ
 ECAD 7571 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-VFBGA M58LR128 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 56-VFBGA (7,7x9) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 336 66 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 85 ns Blitz 8m x 16 Parallel 85ns
MTFC256GAZAOTD-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC256GAZAOTD-AAT TR 99.5850
RFQ
 ECAD 7884 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MTFC256GAZAOTD-AATTR 2.000
MT28F800B5WG-8 T TR Micron Technology Inc. MT28F800B5WG-8 T Tr - - -
RFQ
 ECAD 4555 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT28F800B5 Flash - Nor 4,5 V ~ 5,5 V. 48-tsop i Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 8mbit 80 ns Blitz 1m x 8, 512k x 16 Parallel 80ns
MT62F3G32D8DV-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 AAT: b 94.8300
RFQ
 ECAD 8369 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F3G32D8DV-023AAT: b 1 4,266 GHz Flüchtig 96Gbit Dram 3g x 32 Parallel - - -
MT28F004B3VG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F004B3VG-8 Wette - - -
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT28F004B3 Flash - Nor 3v ~ 3,6 V 40-tsop i Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 4mbit 80 ns Blitz 512k x 8 Parallel 80ns
MT25QL01GBBA8E12E01-2SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBA8E12E01-2SIT TR - - -
RFQ
 ECAD 5117 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT25QL01 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 2.500 133 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT35XU01GBBA2G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA2G12-0SIT TR - - -
RFQ
 ECAD 4659 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela ™ - mt35x Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 24-Tbga MT35XU01 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 200 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Xccela -bus - - -
MT44K32M18RB-125F:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125F: a - - -
RFQ
 ECAD 8843 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-Tbga MT44K32M18 Dram 1,28 V ~ 1,42 V. 168-BGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1,190 800 MHz Flüchtig 576mbit 8 ns Dram 32m x 18 Parallel - - -
N25Q128A23BSF40G Micron Technology Inc. N25Q128A23BSF40G - - -
RFQ
 ECAD 1530 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) N25Q128A23 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16-Sop2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1,225 108 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 32m x 4 Spi 8 ms, 5 ms
M28W640HSU70ZA6E Micron Technology Inc. M28W640HSU70ZA6E - - -
RFQ
 ECAD 8228 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-tfbga M28W640 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-TFBGA (10,5x6,39) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 816 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 4m x 16 Parallel 70ns
MT48LC4M32B2P-7:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-7: G Tr - - -
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC4M32B2 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 143 MHz Flüchtig 128mbit 5.5 ns Dram 4m x 32 Parallel 14ns
M50LPW116N5TG TR Micron Technology Inc. M50LPW116N5TG TR - - -
RFQ
 ECAD 8163 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M50LPW116 Flash - Nor 3v ~ 3,6 V 40-tsop - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.500 33 MHz Nicht Flüchtig 16mbit 250 ns Blitz 2m x 8 Parallel - - -
MT29F8T08ESLEEG4-QB:E TR Micron Technology Inc. MT29F8T08ESLEEG4-QB: E Tr 211.8900
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-mt29f8t08esleeg4-QB: ETR 1.500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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