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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT44K32M18RB-125E ES: a | - - - |  | 2818 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-Tbga | MT44K32M18 | Dram | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-BGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 576mbit | 10 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | ||
 | MT29VZZZCDAFQKWL-046 W.G0L TR | 119.5650 | | 8347 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 254-Bga | Flash - Nand, Dram - LPDDR4X | - - - | 254-MCP | - - - | 557-MT29VZZZZZCDAFQKWL-046W.G0LTR | 2.000 | 2.133 GHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 2tbit (NAND), 64GBIT (LPDDR4X) | Blitz, Ram | 256G x 8 (NAND), 2G x 32 (LPDDR4X) | UFS2.1 | - - - | ||||||||
 | MT45W1MW16BDGB-701 IT | - - - | | 5138 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT45W1MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 16mbit | 70 ns | Psram | 1m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| MTFC8GAMALGT-AAT | 11.1750 | | 7891 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | MTFC8 | Flash - Nand | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-mtfc8gamalgt-Aat | 8542.32.0071 | 152 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | MMC | - - - | |||||||
| MT47H32M16HR-25E: G Tr | - - - | | 7578 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | MT47H128M16RT-25E XIT: c | - - - | | 5760 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H128M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (9x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0036 | 1.260 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 400 ps | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
 | M25P32-VMF6G | - - - | | 5885 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | M25P32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,225 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT46V32M16P-6T: f | - - - | | 5350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J | 12.4500 | | 3866 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 149-WFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 149-WFBGA (8x9,5) | - - - | 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J | 1 | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit | 25 ns | Blitz, Ram | 512 MX 8 | Onfi | 30ns | ||||||||
 | MT29F2G08ABAGAGAGAH4-AAT: G Tr | 2.7665 | | 4829 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F2G08ABAGAGAH4-AAT: GTR | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | 20ns | |||
| MT53B768M32D4TT-062 WT ES: B Tr | - - - | | 7154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 24gbit | Dram | 768 mx 32 | - - - | - - - | |||
 | MT29F256G08AUCABH3-10IT: a Tr | - - - | | 3744 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100 lbga (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | M25P16-VME6TG TR | - - - | | 1603 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | M25P16 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
| MT62F512M64D4EK-031 WT: B Tr | 23.3100 | | 5944 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 441-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - - - | 441-tfbga (14x14) | - - - | 557-MT62F512M64D4EK-031WT: BTR | 1.500 | 3,2 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 MX 64 | Parallel | - - - | ||||||||
 | M29W800DB70ZE6E | - - - | | 5618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | M29W800 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 187 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 70ns | |||
| M29W010B90K1 | - - - | | 7056 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | M29W010 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 32-PLCC (11.35x13.89) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 32 | Nicht Flüchtig | 1Mbit | 90 ns | Blitz | 128k x 8 | Parallel | 90ns | |||
| MT29F256G08EBHAFB16A3WSA | - - - | | 8814 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V. | Sterben | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | MT28FW01GABA1LJS-0AAT TR | - - - | | 1823 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28FW01 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.600 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 105 ns | Blitz | 64m x 16 | Parallel | 60ns | |||
| MT53B192M32D1SG-062 WT ES: a | - - - | | 2391 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B192 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1,190 | 1,6 GHz | Flüchtig | 6gbit | Dram | 192m x 32 | - - - | - - - | |||||
| MT29F1G08ABADAH4-IT: D Tr | - - - | | 9246 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES: D TR | - - - | | 1107 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | ||||
| MTFC4GMWDQ-AIT | - - - | | 9799 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | MTFC4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100 lbga (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | MMC | - - - | ||||
| MT46H128M32L2MC-5 IT: a | - - - | | 7040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 240-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 240-WFBGA (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5 ns | Dram | 128 mx 32 | Parallel | 15ns | ||
| MT47H256M8EB-3: c | - - - | | 7023 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H256M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (9x11.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1,320 | 333 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 450 ps | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns | |||
 | MT25QL128ABA8E12-1SIT TR | - - - | | 8521 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QL128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT29F64G08AKCBBH2-12it: b | - - - | | 5787 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 TBGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-TBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT46H8M32LFB5-10 ES: a Tr | - - - | | 3376 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H8M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 104 MHz | Flüchtig | 256mbit | 7 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | MT46V16M16FG-75: f | - - - | | 9739 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 750 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT29F4T08CTHBBM5-3R: B Tr | - - - | | 7146 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - - - | - - - | MT29F4T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 4tbit | Blitz | 512g x 8 | Parallel | - - - | |||
| MT29TZZZAD8DKKBT-107 W E.9F8 TR | - - - | | 1913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT29TZZZAD8 | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1.000 |
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