SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MTFC8GLWDQ-3L AIT Z TR Micron Technology Inc. MTFC8GLWDQ-3L AIT Z TR - - -
RFQ
ECAD 2145 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100 lbga MTFC8 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 100 lbga (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MT40A256M16LY-062E AIT:F TR Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E AIT: f Tr 11.8350
RFQ
ECAD 1693 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 96-FBGA (7,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen MT40A256M16LY-062AIT: ftr Ear99 8542.32.0036 2.000 1,6 GHz Flüchtig 4Gbit 19 ns Dram 256 mx 16 Parallel 15ns
MT29F8G16ABACAH4:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G16ABACAH4: C Tr - - -
RFQ
ECAD 6496 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F8G16 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 8gbit Blitz 512 mx 16 Parallel - - -
MT55L128L32P1T-6 Micron Technology Inc. MT55L128L32P1T-6 4.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP MT55L128 SRAM - Synchron, ZBT 3,135 V ~ 3,6 V. 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert 3a991b2a 8542.32.0041 1 166 MHz Flüchtig 4mbit 3,5 ns Sram 128K x 32 Parallel - - -
MT48LC4M16A2TG-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-6: G Tr - - -
RFQ
ECAD 5448 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC4M16A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 167 MHz Flüchtig 64Mbit 5.5 ns Dram 4m x 16 Parallel 12ns
MTFC32GAPALBH-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC32GAPALBH-AAT ES - - -
RFQ
ECAD 1418 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-tfbga MTFC32G Flash - Nand - - - 153-TFBGA (11,5x13) - - - 1 (unbegrenzt) 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 MMC - - -
N25Q064A13EW7DFE Micron Technology Inc. N25Q064A13EW7DFE - - -
RFQ
ECAD 7086 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad N25Q064A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-wpdfn (6x5) (MLP8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 16 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT46V64M8TG-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-5B Es: J tr - - -
RFQ
ECAD 9365 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0028 2.000 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
MT47H64M16NF-25E AAT:M TR Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E AAT: M TR 4.2472
RFQ
ECAD 7132 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen MT47H64M16NF-25EAAT: MTR Ear99 8542.32.0032 2.000 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
N25Q064A13EV741 Micron Technology Inc. N25Q064A13EV741 - - -
RFQ
ECAD 2408 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - - - - N25Q064A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 16 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR Micron Technology Inc. MT29E1T08CPCBBH8-6: B Tr - - -
RFQ
ECAD 8340 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 152-lbga MT29E1T08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 152 lbga (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1.000 167 MHz Nicht Flüchtig 1Tbit Blitz 128g x 8 Parallel - - -
MT47H512M4EB-187E:C Micron Technology Inc. MT47H512M4EB-187E: c - - -
RFQ
ECAD 3197 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H512M4 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (9x11.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 533 MHz Flüchtig 2Gbit 350 ps Dram 512 mx 4 Parallel 15ns
RC28F128M29EWHF Micron Technology Inc. RC28F128M29EWHF - - -
RFQ
ECAD 6161 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga RC28F128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (11x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,104 Nicht Flüchtig 128mbit 60 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel 60ns
MT28F008B3VG-9 T TR Micron Technology Inc. MT28F008B3VG-9 T Tr - - -
RFQ
ECAD 7018 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT28F008B3 Flash - Nor 3v ~ 3,6 V 40-tsop i Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 8mbit 90 ns Blitz 1m x 8 Parallel 90ns
JS28F00AP33BFA Micron Technology Inc. JS28F00AP33BFA - - -
RFQ
ECAD 9730 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JS28F00AP33 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 40 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit 105 ns Blitz 64m x 16 Parallel 105ns
MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBHGBJ4-3R: G Tr - - -
RFQ
ECAD 9126 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F64G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 333 MHz Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 Parallel - - -
MT40A2G8JC-062E:E TR Micron Technology Inc. MT40A2G8JC-062E: E Tr - - -
RFQ
ECAD 8795 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A2G8 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 557-MT40A2G8JC-062E: ETR 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 1,6 GHz Flüchtig 16gbit 19 ns Dram 2g x 8 Parallel 15ns
MT47H64M16B7-5E:A TR Micron Technology Inc. MT47H64M16B7-5E: a Tr - - -
RFQ
ECAD 7287 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 92-tfbga MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 92-FBGA (11x19) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 200 MHz Flüchtig 1Gbit 600 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
RC48F4400P0VB0EJ Micron Technology Inc. RC48F4400P0VB0EJ - - -
RFQ
ECAD 4534 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 64-Tbga RC48F4400 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 64 EasyBga (8x10) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -RC48F4400P0VB0EJ 3a991b1a 8542.32.0071 864 52 MHz Nicht Flüchtig 512mbit 100 ns Blitz 32m x 16 Parallel 100ns
MT48LC64M4A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-7E: g - - -
RFQ
ECAD 1695 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC64M4A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 64m x 4 Parallel 14ns
MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-6A AIT: G TR - - -
RFQ
ECAD 4986 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48LC16M16A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-VFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 2.000 167 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 16m x 16 Parallel 12ns
MT48LC64M4A2P-75:D TR Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-75: D Tr - - -
RFQ
ECAD 7514 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC64M4A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 64m x 4 Parallel 15ns
MT29F512G08EBLEEJ4-QA:E TR Micron Technology Inc. MT29F512G08Ebleej4-Qa: e tr 13.2450
RFQ
ECAD 7781 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29F512G08Ebleej4-QA: ETR 2.000
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1 Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEam68M3WC1 - - -
RFQ
ECAD 5627 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung Sterben MT29F1G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Parallel - - -
MT48H8M16LFF4-8 Micron Technology Inc. MT48H8M16LFF4-8 - - -
RFQ
ECAD 9065 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,9 V. 54-VFBGA (8x8) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 125 MHz Flüchtig 128mbit 6 ns Dram 8m x 16 Parallel 15ns
MT62F1536M32D4DS-026 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 WT ES: B Tr 51.0300
RFQ
ECAD 3491 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT62F1536M32D4DS-026WTES: BTR 2.000
MT28HL04GGBB1EBK-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL04GGBB1EBK-0GCT 15.4000
RFQ
ECAD 4162 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv MT28HL04 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 270
MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AUT: C Tr 64.9800
RFQ
ECAD 7826 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 556-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 556-WFBGA (12,4x12,4) Herunterladen 557-MT53E1G64D4HJ-046AUT: Ctr 2.000 2.133 GHz Flüchtig 64Gbit 3,5 ns Dram 1g x 64 Parallel 18ns
MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 TR Micron Technology Inc. MT29KZZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 Tr - - -
RFQ
ECAD 7690 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000
MT46V64M4TG-75:G TR Micron Technology Inc. MT46V64M4TG-75: G Tr - - -
RFQ
ECAD 6890 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V64M4 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 256mbit 750 ps Dram 64m x 4 Parallel 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus