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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT40A1G16TD-062E AAT: f | 27.8700 | ![]() | 4228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | - - - | - - - | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | - - - | - - - | 557-MT40A1G16TD-062EAAT: f | 1 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | 19 ns | Dram | 1g x 16 | Pod | 15ns | |||||||
![]() | MT48LC2M32B2P-6A Es: J tr | - - - | ![]() | 9262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.000 | 167 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | 12ns | ||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 WT ES: C. | 90.4650 | ![]() | 8458 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 441-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 441-tfbga (14x14) | - - - | 557-MT62F2G64D8EK-023WTES: c | 1 | 4,266 GHz | Flüchtig | 128Gbit | Dram | 2g x 64 | Parallel | - - - | ||||||||
![]() | N25Q064A13EF8A0E | - - - | ![]() | 1888 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | N25Q064A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.920 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 16 mx 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | MT55L64L32F1T-12it | 6.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - ZBT | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | Flüchtig | 2mbit | 9 ns | Sram | 64k x 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT46V32M8TG-75 ES: g | - - - | ![]() | 2084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 750 ps | Dram | 32m x 8 | Parallel | 15ns | ||
MT46H8M32LFB5-5 IT: h | - - - | ![]() | 4222 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H8M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT29F512G08CUCABH3-12it: a Tr | - - - | ![]() | 9834 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | MT29F512G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100 lbga (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT41K2G4RKB-107: n | - - - | ![]() | 6870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K2G4 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (8x10.5) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 933 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 2g x 4 | Parallel | - - - | ||||
MT40A4G8KVA-083H: G Tr | - - - | ![]() | 1919 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A4G8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (8x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,2 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 4g x 8 | Parallel | - - - | ||||
![]() | M45PE16-VMP6TG TR | - - - | ![]() | 1780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | M45PE16 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi | 3 ms | |||
![]() | MT53D1024M32D4DT-053 AIT ES: D. | - - - | ![]() | 3640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | |||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 AUT: b | 145.4250 | ![]() | 9538 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 441-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 441-tfbga (14x14) | - - - | 557-MT62F2G64D8EK-023AUT: b | 1 | 4,266 GHz | Flüchtig | 128Gbit | Dram | 2g x 64 | Parallel | - - - | ||||||||
![]() | MT29F2T08EELCHD4-M: C Tr | 41.9550 | ![]() | 1895 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-mt29f2t08eelchd4-m: ctr | 2.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | M29F800FB55N3F2 TR | - - - | ![]() | 1592 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F800 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 55 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 55ns | |||
![]() | M29F400BB70N6 | - - - | ![]() | 8623 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F400 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 70 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | MT53E128M16D1DS-053 AAT: a | - - - | ![]() | 9396 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | MT53E128M16D1DS-053AAT: a | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 2Gbit | Dram | 128 MX 16 | - - - | - - - | ||||||
![]() | MT53D512M32D2NP-053 WT: d | - - - | ![]() | 9654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | |||
MT48LC4M32B2B5-6A XIT: L TR | 14.1100 | ![]() | 7249 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 12ns | |||
![]() | MT46V128M4BN-75: D Tr | - - - | ![]() | 2701 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 750 ps | Dram | 128 mx 4 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT25TL01GBBBBB8E12-0AAT TR | - - - | ![]() | 4266 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25TL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
![]() | PF48F4400P0VBQE0 | - - - | ![]() | 8008 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 88-TFBGA, CSPBGA | 48f4400p0 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 88-SCSP (8x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0051 | 176 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 100 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 100ns | ||
![]() | MT53D512M32D2DS-046 WT: F Tr | 30.7500 | ![]() | 7171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53D512M32D2DS-046WT: ftr | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | ||||||
![]() | MT29F2G16ABBEAH4-IT: E Tr | - - - | ![]() | 3128 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 128 MX 16 | Parallel | - - - | ||||
![]() | M58WR032KB70ZB6F TR | - - - | ![]() | 3284 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-VFBGA | M58WR032 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 56-VFBGA (7,7x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 2m x 16 | Parallel | 70ns | ||
![]() | MT29F256G08AUCABJ3-10Z: a Tr | - - - | ![]() | 2769 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - - - | - - - | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-lbga (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | MTFC8GACAENS-5M AIT | - - - | ![]() | 2091 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | MTFC8 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | MMC | - - - | ||||
![]() | M28W320HSU70ZA6F TR | - - - | ![]() | 9466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-tfbga | M28W320 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-TFBGA (10,5x6,39) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | MT29F128G08CFAABWP-12Z: a Tr | - - - | ![]() | 9039 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT46V32M8TG-75 L: G TR | - - - | ![]() | 6076 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 750 ps | Dram | 32m x 8 | Parallel | 15ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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