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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53B768M32D4TT-062 WT: B Tr | - - - |  | 1943 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 24gbit | Dram | 768 mx 32 | - - - | - - - | |||
 | MT46V64M8P-6T: f | - - - | | 2941 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
| MTFC4GACAEAM-1M WT | - - - | | 2463 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | MMC | - - - | ||||||||
 | MT29F128G08CFAAAWP: a | - - - | | 1524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | |||||
| MT28GU256AAA2EGC-0SIT TR | - - - | | 6828 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | MT28GU256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64-TBGA (10x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 96 ns | Blitz | 32m x 8 | Parallel | - - - | ||
 | MT29F4G08ABAEAH4-IT: E Tr | - - - | | 3757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 512 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
| MTFC32GASAONS-AAT TR | 23.2950 | | 9183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q104 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | 557-MTFC32GASAONS-AATTR | 2.000 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | UFS2.1 | - - - | ||||||||
 | MT55L128L32P1T-10 | 5.9300 | | 24 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - ZBT | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 4mbit | 5 ns | Sram | 128K x 32 | Parallel | - - - | |||
| MT28GU256AAA1EGC-0SIT TR | - - - | | 6207 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | MT28GU256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64-TBGA (10x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 96 ns | Blitz | 32m x 8 | Parallel | - - - | ||
 | MT53E384M32D2DS-046 AAT: E Tr | - - - | | 5451 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT53E384M32D2DS-046AAT: ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 12gbit | Dram | 384m x 32 | - - - | - - - | ||
 | MT29F256G08AKCBBH7-6it: b | - - - | | 4621 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-Tbga | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152-TBGA (14x18) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | M28W320ECT70ZB6T TR | 3.3400 | | 531 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 47-tfbga | M28W320 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 47-TFBGA (6.39x6.37) | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT40A512M16JY-075E AIT: B Tr | - - - | | 2681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,33 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 512 mx 16 | Parallel | - - - | |||
| MT29F1G16ABBDAH4-ITX: d | - - - | | 9000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 64m x 16 | Parallel | - - - | ||||
| MT29F32G08ABAAAM73A3WC1 | - - - | | 7248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | MT28F004B5VG-8 T | - - - | | 4040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F004B5 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 40-tsop i | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 80 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | 80ns | |||
| M29F160ft55N3E2 | - - - | | 7491 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F160 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 55 ns | Blitz | 2m x 8, 1m x 16 | Parallel | 55ns | |||
| MT62F1G32D4DS-031 AIT: b | 29.6100 | | 7505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT62F1G32D4DS-031AIT: b | 1 | 3,2 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Parallel | - - - | ||||||||
| MT29F16G16ADACAH4-IT: c | - - - | | 8952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F16G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 16gbit | Blitz | 1g x 16 | Parallel | - - - | ||||
| MT29C2G24MAABAHAKC-5 E IT | - - - | | 2185 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 107-tfbga | MT29C2G24 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 107-tfbga | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 2Gbit (NAND), 1GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 128 MX 16 (NAND), 64 MX 16 (LPDRAM) | Parallel | - - - | ||||
 | M29W800DT45ZE6E | - - - | | 9155 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | M29W800 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 1,122 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 45 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 45ns | |||
 | MT48LC4M32B2B5-7: g | - - - | | 7782 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 143 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.5 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 14ns | ||
| MT62F1536M64D8CL-031 WT: B Tr | 71.9300 | | 1980 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT62F1536M64D8CL-031WT: BTR | 1 | |||||||||||||||||||||
 | PF48F4000P0ZTQ0A | - - - | | 3197 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 88-VFBGA, CSPBGA | 48f4000p0 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 88-SCSP (8x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 176 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 100 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 100ns | ||
 | M29W200BB70N1 | - - - | | 4918 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W200 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | M29W200BB70N1ST | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 2mbit | 70 ns | Blitz | 256k x 8, 128k x 16 | Parallel | 70ns | ||
 | JS28F00AP33EF0 | - - - | | 5034 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F00AP33 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0051 | 96 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 105 ns | Blitz | 64m x 16 | Parallel | 105ns | ||
 | MT25QL01GBBA8E12-0SIT TR | - - - | | 6302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | ||||
| EDFA112A2PF-GD-FR TR | - - - | | 2313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | EDFA112 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,95 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 128 MX 128 | Parallel | - - - | ||||
| MT29C1G12MAACYAML-5 IT | - - - | | 5218 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | MT29C1G12 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 153-VFBGA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Blitz, Ram | 64m x 16 (NAND), 16 mx 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | ||||
 | M45PE80-VMW6G | - - - | | 6438 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | M45PE80 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-so w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 80 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi | 15 ms, 3 ms |
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