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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
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![]() | MT53B384M64D4NH-062 WT ES: a Tr | - - - | ![]() | 5094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 272-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 272-WFBGA (15x15) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 24gbit | Dram | 384m x 64 | - - - | - - - | |||||
![]() | MT53E512M64D2HJ-046 AUT: b | 37.9050 | ![]() | 2987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 556-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V. | 556-WFBGA (12,4x12,4) | - - - | 557-MT53E512M64D2HJ-046AUT: b | 1 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | 3,5 ns | Dram | 512 MX 64 | Parallel | 18ns | ||||||||
![]() | MT53E384M32D2DS-046 AAT: e | - - - | ![]() | 8090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT53E384M32D2DS-046AAT: e | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 12gbit | Dram | 384m x 32 | - - - | - - - | |||
![]() | M29W512GH70N3E | - - - | ![]() | 7624 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 576 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 70 ns | Blitz | 64m x 8, 32m x 16 | Parallel | 70ns | ||||
![]() | MT53D8D1BSQ-DC TR | - - - | ![]() | 4678 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | MT53D8 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 2.000 | ||||||||||||||||||||
N25Q064A13E12D0F TR | - - - | ![]() | 5733 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | N25Q064A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 16 mx 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | ||||||
![]() | MT46H64M32L2JG-5 IT: a | - - - | ![]() | 3580 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | JS28F00AP33BF0 | - - - | ![]() | 8227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F00AP33 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0051 | 96 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 105 ns | Blitz | 64m x 16 | Parallel | 105ns | |||
![]() | M58LT256KSB7ZA6E | - - - | ![]() | 4748 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | M58LT256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64-TBGA (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 70ns | ||||
MT29F16G08ABACAWP-ITZ: c | - - - | ![]() | 5228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F16G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 960 | Nicht Flüchtig | 16gbit | Blitz | 2g x 8 | Parallel | - - - | ||||||
MT53E512M32D1ZW-046 WT: b | 13.2750 | ![]() | 5187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E512M32D1ZW-046WT: b | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 16gbit | 3,5 ns | Dram | 512 mx 32 | Parallel | 18ns | |||||
![]() | MT42L128M64D2MC-3 WT: a | - - - | ![]() | 4161 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 240-WFBGA | MT42L128M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V. | 240-FBGA (14x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 333 MHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 128 MX 64 | Parallel | - - - | |||||
![]() | EDB1332BDPC-1D-FD | - - - | ![]() | 2567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-vfbga | EDB1332 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-VFBGA (10x11.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.680 | 533 MHz | Flüchtig | 1Gbit | Dram | 32m x 32 | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT47H128M8SH-25E: M Tr | 3.0809 | ![]() | 6337 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x10) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT47H128M8SH-25E: MTR | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.000 | Flüchtig | 1Gbit | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | Nicht Verifiziert | |||
![]() | MT29F32G08Cbedbl83A3WC1 | - - - | ![]() | 4223 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | Parallel | - - - | |||||
MT47H64M16HR-3 AIT: h | - - - | ![]() | 5505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||||
![]() | MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT TR | - - - | ![]() | 9106 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 137-tfbga | MT29C1G12 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 137-TFBGA (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Blitz, Ram | 128 MX 8 (NAND), 16 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT29F4T08GMLCEJ4: C Tr | 78.1500 | ![]() | 3660 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4: CTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
MT48H4M16LFF4-10 TR | - - - | ![]() | 1542 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,9 V. | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 104 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 7 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 15ns | ||||
MT40A2G4WE-075E: B Tr | - - - | ![]() | 3640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A2G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (8x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,33 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 2g x 4 | Parallel | - - - | |||||
![]() | MT53D768M64D8JS-053 WT ES: D. | - - - | ![]() | 1543 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 366-VFBGA | MT53D768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-VFBGA (12x12,7) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 48Gbit | Dram | 768m x 64 | - - - | - - - | ||||||
![]() | MT28HL64GRBB6EBL-0GCT | 165.0000 | ![]() | 3058 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | MT28HL64 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 270 | ||||||||||||||||||
![]() | PF48F4400P0VBQEJ | - - - | ![]() | 3617 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 88-TFBGA, CSPBGA | 48f4400p0 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 88-SCSP (8x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -PF48F4400P0VBQEJ | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.056 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 100 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 100ns | ||
![]() | MT53E128M16D1DS-046 AAT: a Tr | 5.9100 | ![]() | 1160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT53E128M16D1DS-046AAT: ATR | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 2Gbit | Dram | 128 MX 16 | - - - | - - - | |||||||
![]() | MT46H128M32L2KQ-48 IT: c | - - - | ![]() | 9281 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-WFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 208 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5 ns | Dram | 128 mx 32 | Parallel | 14.4ns | |||
![]() | MT48LC16M8A2TG-7E: g | - - - | ![]() | 3752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC16M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 8 | Parallel | 14ns | |||
MT48H8M16LFB4-75 IT: K Tr | - - - | ![]() | 3209 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | ||||
![]() | MT46H16M32LFCX-5 IT: b | - - - | ![]() | 7650 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT53D4DDFL-DC Tr | - - - | ![]() | 7521 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | MT53D4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 2.000 | ||||||||||||||||||||
MT48LC8M16A2B4-6A XIT: L TR | - - - | ![]() | 5120 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 12ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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