SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
M45PE80-VMW6G Micron Technology Inc. M45PE80-VMW6G - - -
RFQ
ECAD 6438 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) M45PE80 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-so w Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 80 75 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi 15 ms, 3 ms
PF48F2000P0ZTQ0A Micron Technology Inc. PF48F2000P0ZTQ0A - - -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 88-TFBGA, CSPBGA 48f2000p0 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 88-SCSP (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.800 52 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 85 ns Blitz 4m x 16 Parallel 85ns
MT25TL01GBBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL01GBBBBB8E12-0AAT - - -
RFQ
ECAD 9007 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Lets Kaufen -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT25TL01 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,122 133 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
MT46H64M32LFMA-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H64M32LFMA-5 IT: b - - -
RFQ
ECAD 6116 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 168-WFBGA MT46H64M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 168-WFBGA (12x12) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 1.000 200 MHz Flüchtig 2Gbit 5 ns Dram 64m x 32 Parallel 15ns
MT53B1G64D8NW-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B1G64D8NW-062 WT: d - - -
RFQ
ECAD 3748 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53B1G64 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1,190 1,6 GHz Flüchtig 64Gbit Dram 1g x 64 - - - - - -
NAND02GAH0IZC5E Micron Technology Inc. NAND02GAH0IZC5E - - -
RFQ
ECAD 6535 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-lfbga NAND02G Flash - Nand 3,135 V ~ 3,465V 153-LFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Nand02gah0izc5e 3a991b1a 8542.32.0071 136 52 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 MMC - - -
EDFP112A3PB-JD-F-R Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-JD-FR - - -
RFQ
ECAD 6668 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - - - - EDFP112 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,14 V ~ 1,95 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1 933 MHz Flüchtig 24gbit Dram 192m x 128 Parallel - - -
PN28F128M29EWHA Micron Technology Inc. PN28F128M29EWHA - - -
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ECAD 3248 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - - - - PN28F128M29 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,560 Nicht Flüchtig 128mbit 60 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel 60ns
MT41K256M8DA-125:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125: K Tr - - -
RFQ
ECAD 9938 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 78-FBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 800 MHz Flüchtig 2Gbit 13.75 ns Dram 256 mx 8 Parallel - - -
MT46V64M8TG-75:D Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-75: d - - -
RFQ
ECAD 9903 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop - - - Rohs Nick Konform 4 (72 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 512mbit 750 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-062 WT ES: C Tr - - -
RFQ
ECAD 5510 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 2.000 1,6 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 512 MX 64 - - - - - -
MT28F128J3RG-12 ET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3RG-12 et Tr - - -
RFQ
ECAD 6160 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT28F128J3 Blitz 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 128mbit 120 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel - - -
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-ITX: e - - -
RFQ
ECAD 2653 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F1G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Parallel - - -
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C - - -
RFQ
ECAD 1789 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - - - - MT29RZ4C4 Flash - Nand, Dram - LPDDR2 1,8 v - - - - - - UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 980 533 MHz NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR2) Blitz, Ram 256 MX 16 (NAND), 128 MX 32 (LPDDR2) Parallel - - -
PC28F128P30B85A Micron Technology Inc. PC28F128P30B85A - - -
RFQ
ECAD 1678 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga PC28F128 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 64 EasyBga (10x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 864 52 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 85 ns Blitz 8m x 16 Parallel 85ns
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B Micron Technology Inc. MT53B512M32D2GZ-062 WT: b - - -
RFQ
ECAD 9314 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (11x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1 1,6 GHz Flüchtig 16gbit Dram 512 mx 32 - - - - - -
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.8C Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.8C - - -
RFQ
ECAD 1234 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv - - - - - - MT29RZ4 - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1,190
MT46V128M8P-6T:A Micron Technology Inc. MT46V128M8P-6T: a - - -
RFQ
ECAD 5298 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V128M8 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen MT46V128M8P-6ta Ear99 8542.32.0032 1.000 167 MHz Flüchtig 1Gbit 700 ps Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
MT29F1T08CPECBH8-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CPECBH8-12: C Tr - - -
RFQ
ECAD 9364 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 152-lbga MT29F1T08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 152 lbga (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1.000 83 MHz Nicht Flüchtig 1Tbit Blitz 128g x 8 Parallel - - -
NAND256W3A0BE06 Micron Technology Inc. NAND256W3A0BE06 - - -
RFQ
ECAD 3517 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) NAND256 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 256mbit 50 ns Blitz 32m x 8 Parallel 50ns
MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR 11.1900
RFQ
ECAD 3929 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv MT29GZ5 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87KTR 0000.00.0000 2.000
MT48LC8M32B2TG-7 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2TG-7 TR - - -
RFQ
ECAD 7899 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC8M32B2 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 143 MHz Flüchtig 256mbit 6 ns Dram 8m x 32 Parallel 14ns
MT28EW256ABA1LPN-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW256ABA1LPN-0SIT - - -
RFQ
ECAD 6390 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-VFBGA MT28EW256 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-VFBGA (7x9) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1,560 Nicht Flüchtig 256mbit 75 ns Blitz 32m x 8, 16 mx 16 Parallel 60ns
MT46V64M8P-5B L IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B L es: J tr - - -
RFQ
ECAD 4975 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
MTFC32GAOALEA-WT ES Micron Technology Inc. MTFC32GAOALEA-WT ES - - -
RFQ
ECAD 9258 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic MTFC32G - - - UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1.520
MT29F16G08CBACBWP-12:C Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACBWP-12: c - - -
RFQ
ECAD 6924 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F16G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 83 MHz Nicht Flüchtig 16gbit Blitz 2g x 8 Parallel - - -
MT48LC4M32B2B5-6A:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6a: l - - -
RFQ
ECAD 2293 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48LC4M32B2 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-VFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.440 167 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel 12ns
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B1024M64D8WF-062 WT: d - - -
RFQ
ECAD 1761 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53B1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1,190 1,6 GHz Flüchtig 64Gbit Dram 1g x 64 - - - - - -
MT61K512M32KPA-24:U Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-24: U. 33.4650
RFQ
ECAD 5279 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 180-tfbga SGRAM - GDDR6 1.3095 V ~ 1.3905 V. 180-FBGA (12x14) - - - 557-MT61K512M32KPA-24: u 1 12 GHz Flüchtig 16gbit Dram 512 mx 32 POD_135 - - -
N25Q064A13EF8H0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF8H0F TR - - -
RFQ
ECAD 8170 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad N25Q064A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-VDFPN (MLP8) (8x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.000 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 16 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus