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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F2G01ABBGD12-AAT: g | 2.7962 |  | 6625 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT29F2G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT: g | 8542.32.0071 | 1,122 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 2g x 1 | Spi | - - - | Nicht Verifiziert | |||
 | MT62F768M64D4EJ-031 AUT: a Tr | 118.2000 | | 8751 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT62F768 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT62F768M64D4EJ-031AUT: ATR | 1.500 | ||||||||||||||||||||
 | MT29F2T08EMHAFJ4-3itf: a tr | 70.9650 | | 7425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F2T08emHAFJ4-3itf: ATR | 8542.32.0071 | 2.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 2tbit | Blitz | 256g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | MT53E1G32D2NP-046 WT: a | - - - | | 5645 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53E1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 557-MT53E1G32D2NP-046WT: a | Veraltet | 136 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | ||||||
| MT29F4T08GMLBEJ4: B Tr | - - - | | 9942 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F4T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-mt29f4t08gmlbej4: btr | Veraltet | 2.000 | Nicht Flüchtig | 4tbit | Blitz | 512g x 8 | Parallel | - - - | ||||||
| MTFC32GAPALGT-AIT | - - - | | 3412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC32G | Flash - Nand | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MTFC32Gapalgt-Mait | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | ||||||||
| MT40A512M16LY-062E AT: E Tr | - - - | | 8981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | - - - | 96-FBGA (7,5x13,5) | - - - | 557-MT40A512M16ly-062eat: ETR | Veraltet | 8542.32.0071 | 2.000 | 1,6 GHz | Nicht Flüchtig | 8gbit | Dram | 512 mx 16 | - - - | - - - | ||||||
| MT53E4D1BSQ-DC TR | 22.5000 | | 7747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT53E4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E4D1BSQ-DCTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||
 | MT29F1G08ABAFAWP-AAT: f | 2.9984 | | 8103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F1G08ABAFAWP-AAT: f | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | 20ns | ||||
| MT53E1DBDS-DC TR | 22.5000 | | 9059 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT53E1 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E1DBDS-DCTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||
| MT29F4T08Eulcem4-R: c | - - - | | 6844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - - - | - - - | MT29F4T08 | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | 557-MT29F4T08Eulcem4-R: c | Veraltet | 8542.32.0071 | 1,120 | Nicht Flüchtig | 4tbit | Blitz | 512g x 8 | Parallel | - - - | |||||||
 | MT29F1G08ABBFAH4-AAT: f | 2.9984 | | 3752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT: f | 8542.32.0071 | 210 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 25 ns | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | 25ns | ||||
 | M25P128-VMF6TPB TR | - - - | | 8356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | M25P128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 54 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | ||||
| MT41K1G8The-15E: d | - - - | | 4182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K1G8 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (10,5x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Flüchtig | 8gbit | 13,5 ns | Dram | 1g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| M29W256GH7AN6E | - - - | | 8097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 70ns | ||||
 | PZ28F032M29EWLA | - - - | | 6471 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | PZ28F032M29 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-bga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 187 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 60 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 60ns | |||||
 | N25Q016A11ESC40G | - - - | | 6902 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | N25Q016A11 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 4m x 4 | Spi | 8 ms, 1 ms | |||||
| PF38F3050M0Y0CEA | - - - | | 1653 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 38F3050m0 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | ||||||||||||||||||
| M36L0R7050T4ZSPE | - - - | | 3900 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | M36L0R7050 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,560 | ||||||||||||||||||
| M58LT256KST7ZA6E | - - - | | 4120 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | M58LT256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64-TBGA (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 70ns | ||||
| M58WR032KB70ZB6Z | - - - | | 3540 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-VFBGA | M58WR032 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 56-VFBGA (7,7x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 336 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| N25Q128A13E1440E | - - - | | 1037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | N25Q128A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 32m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||||
| N25Q128A13E1441E | - - - | | 2313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | N25Q128A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 32m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||||
 | N25W032A11EF640E | - - - | | 4138 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | N25W032 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 8m x 4 | Spi | - - - | |||||
| N2M400HDB321A3CE | - - - | | 5980 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | N2M400 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100 lbga (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 98 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | |||||
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| MT29F1G08ABAEAWP-IT: E Tr | 3.2000 | | 23 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - | |||||
| MT29F1G16ABBEAHC-IT: E Tr | - - - | | 6751 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 64m x 16 | Parallel | - - - | |||||
 | MT29F1G16ABBEAMD-IT: E Tr | - - - | | 1797 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 130-vfbga | MT29F1G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 130-VFBGA (8x9) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 64m x 16 | Parallel | - - - | ||||||
| MT29F32G08CBADAWP: D Tr | - - - | | 9907 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | Parallel | - - - |
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