SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
M29W640GL70NB6F TR Micron Technology Inc. M29W640GL70NB6F TR - - -
RFQ
ECAD 1441 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29W640 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.200 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 70ns
PC28F064M29EWLA Micron Technology Inc. PC28F064M29EWLA - - -
RFQ
ECAD 2814 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga PC28F064 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (11x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,104 Nicht Flüchtig 64Mbit 60 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 60ns
MTFC8GACAAAM-4M IT Micron Technology Inc. MTFC8GACAAAM-4M IT - - -
RFQ
ECAD 8089 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet MTFC8 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.520
MTFC2GMVEA-L1 WT Micron Technology Inc. MTFC2GMVEA-L1 WT - - -
RFQ
ECAD 6683 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-WFBGA MTFC2G Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-WFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 Nicht Flüchtig 16gbit Blitz 2g x 8 MMC - - -
MT40A1G8SA-062E IT:E Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E ES: e 8.7500
RFQ
ECAD 9901 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (7,5x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.260 1,6 GHz Flüchtig 8gbit Dram 1g x 8 Parallel - - -
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-AITX: d - - -
RFQ
ECAD 1414 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-053 WT ES: E Tr - - -
RFQ
ECAD 2706 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 556-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 556-WFBGA (12,4x12,4) - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1.866 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 512 MX 64 - - - - - -
MT29F512G08EBLGEJ4-ITF:G Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLGEJ4-ITF: g 17.6850
RFQ
ECAD 8474 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT29F512G08eblgej4-ITF: g 1
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E AAT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 7926 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H128M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (9x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 400 MHz Flüchtig 2Gbit 400 ps Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-053 WT: d - - -
RFQ
ECAD 5383 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 376-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 512 MX 64 - - - - - -
EDF840AAABH-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF840AAABH-GD-FD - - -
RFQ
ECAD 9954 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1.600
MT51J256M32HF-80:B TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-80: B Tr - - -
RFQ
ECAD 2776 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 170-tfbga MT51J256 SGRAM - GDDR5 1,31 V ~ 1,39 V, 1,46 V ~ 1,55 V. 170-FBGA (12x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0071 2.000 2 GHz Flüchtig 8gbit RAM 256 mx 32 Parallel - - -
M29W400FT55N3F TR Micron Technology Inc. M29W400ft55N3f Tr - - -
RFQ
ECAD 6076 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29W400 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.500 Nicht Flüchtig 4mbit 55 ns Blitz 512k x 8, 256k x 16 Parallel 55ns
MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M64D4TZ-053 WT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 7689 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 1.866 GHz Flüchtig 24gbit Dram 384m x 64 - - - - - -
MT47H32M16HR-25E IT:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25e ES: g - - -
RFQ
ECAD 2951 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT - - -
RFQ
ECAD 4291 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 137-tfbga MT29C4G48 Flash - NAND, Mobile LPDRam 1,7 V ~ 1,95 V. 137-TFBGA (10,5x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 200 MHz NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Blitz, Ram 256 MX 16 (NAND), 64 MX 32 (LPDRAM) Parallel - - -
MTFC8GLVEA-WT Micron Technology Inc. MTFC8GLVEA-WT - - -
RFQ
ECAD 1099 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-WFBGA MTFC8 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-WFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-6 IT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 3010 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 166 MHz Flüchtig 512mbit 5 ns Dram 16 mx 32 Parallel 15ns
MT29F6T08ETCBBM5-37:B Micron Technology Inc. MT29F6T08ETCBBM5-37: b - - -
RFQ
ECAD 9585 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - - - - - MT29F6T08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1,120 267 MHz Nicht Flüchtig 6tbit Blitz 768G x 8 Parallel - - -
MT29F1G01ABAFDSF-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABAFDSF-IT: F Tr - - -
RFQ
ECAD 4700 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) MT29F1G01 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 16 Also - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 1g x 1 Spi - - -
MT47H32M16CC-37E L:B Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-37E L: b - - -
RFQ
ECAD 5740 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (12x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 267 MHz Flüchtig 512mbit 500 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT41J256M8DA-107:K Micron Technology Inc. MT41J256M8DA-107: k - - -
RFQ
ECAD 9331 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT41J256M8 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 78-FBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 933 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 256 mx 8 Parallel - - -
MT47H64M16HR-25E AIT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E AIT: h - - -
RFQ
ECAD 7014 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-053 WT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 5242 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1.866 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 512 MX 64 - - - - - -
N25Q128A13EW7DFF Micron Technology Inc. N25Q128A13EW7DFF - - -
RFQ
ECAD 9637 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - - - - N25Q128A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1 108 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 32m x 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT46V64M8BN-5B:F Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-5B: f - - -
RFQ
ECAD 9066 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 60-FBGA (10x12,5) Herunterladen Rohs Nick Konform 5 (48 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
EDFA164A2PP-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2PP-GD-FR TR - - -
RFQ
ECAD 5975 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - EDFA164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,14 V ~ 1,95 V. 220-FBGA (14x14) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 800 MHz Flüchtig 16gbit Dram 256 MX 64 Parallel - - -
MT29C1G12MAADVAML-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAML-5 IT - - -
RFQ
ECAD 7639 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-VFBGA MT29C1G12 Flash - NAND, Mobile LPDRam 1,7 V ~ 1,95 V. 153-VFBGA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 200 MHz NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Blitz, Ram 64 MX 16 (NAND), 32 MX 16 (LPDRAM) Parallel - - -
MT53E2D1BCY-DC Micron Technology Inc. MT53E2D1BCY-DC 22.5000
RFQ
ECAD 2385 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv MT53E2 - - - UnberÜHrt Ereichen 557-MT53E2D1BCY-DC 1.360
MT46V16M8TG-6T L:D TR Micron Technology Inc. MT46V16M8TG-6T L: D Tr 8.8200
RFQ
ECAD 165 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V16M8 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 167 MHz Flüchtig 128mbit 700 ps Dram 16 mx 8 Parallel 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus