SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
M29W640FT70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W640ft70Za6f Tr - - -
RFQ
ECAD 6739 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga M29W640 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel 70ns
MT47H64M16HW-3:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HW-3: h - - -
RFQ
ECAD 6164 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0032 1.000 333 MHz Flüchtig 1Gbit 450 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
JS28F256M29EWLB TR Micron Technology Inc. JS28F256M29EWLB TR - - -
RFQ
ECAD 1414 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JS28F256M29 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.600 Nicht Flüchtig 256mbit 110 ns Blitz 32m x 8, 16 mx 16 Parallel 110ns
PC28F128J3D75A Micron Technology Inc. PC28F128J3D75A - - -
RFQ
ECAD 2579 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga PC28F128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64 EasyBga (10x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 864 Nicht Flüchtig 128mbit 75 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel 75ns
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 WT ES: C. - - -
RFQ
ECAD 9442 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1.360 1,6 GHz Flüchtig 8gbit Dram 256 mx 32 - - - - - -
MT51J256M32HF-60S:A Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-60S: a - - -
RFQ
ECAD 1377 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 170-tfbga MT51J256 SGRAM - GDDR5 1,31 V ~ 1,39 V, 1,46 V ~ 1,55 V. 170-FBGA (12x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0071 1.260 1,5 GHz Flüchtig 8gbit RAM 256 mx 32 Parallel - - -
MT28EW256ABA1LPC-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW256ABA1LPC-0SIT TR 6.8100
RFQ
ECAD 9303 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga MT28EW256 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-lbga (11x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 256mbit 75 ns Blitz 32m x 8, 16 mx 16 Parallel 60ns
MT62F1536M64D8EK-026 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-026 AIT: b 86.2050
RFQ
ECAD 7378 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C. Oberflächenhalterung 441-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 441-tfbga (14x14) - - - 557-MT62F1536M64D8EK-026AIT: b 1 3,2 GHz Flüchtig 96Gbit Dram 1,5 GX 64 - - - - - -
EDFP164A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFP164A3PD-GD-FD - - -
RFQ
ECAD 8762 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - EDFP164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,14 V ~ 1,95 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1.260 800 MHz Flüchtig 24gbit Dram 384m x 64 Parallel - - -
NP8P128A13T1760E Micron Technology Inc. NP8P128A13T1760E - - -
RFQ
ECAD 3633 0.00000000 Micron Technology Inc. Omneo ™ Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TC) Oberflächenhalterung 64-Tbga NP8P128a PCM (Pram) 2,7 V ~ 3,6 V. 64 EasyBga (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b 8542.32.0051 1.800 Nicht Flüchtig 128mbit 115 ns PCM (Pram) 16 mx 8 Parallel, spi 115ns
MT40A2G4SA-062E PS:R Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-062E PS: r - - -
RFQ
ECAD 1842 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A2G4 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (7,5x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 557-MT40A2G4SA-062EPS: r 1.260 1,6 GHz Flüchtig 8gbit 19 ns Dram 2g x 4 Parallel 15ns
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDSF-AAT: g - - -
RFQ
ECAD 7870 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) MT29F2G01 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 16 Also - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.440 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 2g x 1 Spi - - -
MT25QU256ABA8E14-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E14-1SIT TR - - -
RFQ
ECAD 8846 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT25QU256 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 24-T-PBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
PC28F00AP30TFA Micron Technology Inc. PC28F00AP30TFA - - -
RFQ
ECAD 8563 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-Tbga PC28F00A Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 64 EasyBga (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.800 52 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit 100 ns Blitz 64m x 16 Parallel 100ns
MT25QU128ABA1EW7-MSIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1EW7-MSIT - - -
RFQ
ECAD 5965 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad MT25QU128 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.940 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
M29W320EB70N6 Micron Technology Inc. M29W320EB70N6 - - -
RFQ
ECAD 8561 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29W320 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 96 Nicht Flüchtig 32Mbit 70 ns Blitz 4m x 8, 2m x 16 Parallel 70ns
MT57V1MH18AF-6 Micron Technology Inc. MT57V1MH18AF-6 23.0000
RFQ
ECAD 262 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga SRAM - Synchron 2,4 V ~ 2,6 V. 165-FBGA (13x15) Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 167 MHz Flüchtig 18mbit 3 ns Sram 1m x 18 Hstl - - -
MT29F64G08CBAAAWP:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAWP: a - - -
RFQ
ECAD 2451 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F64G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 Parallel - - -
MTFC4GLDEA-0M WT Micron Technology Inc. MTFC4GLdea-0m Wt - - -
RFQ
ECAD 3198 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-WFBGA MTFC4 Flash - Nand 1,65 V ~ 3,6 V. 153-WFBGA (11,5x13) Herunterladen ROHS -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 MMC - - -
MT29F2G01ABBGD12-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AAT: G Tr 2.7665
RFQ
ECAD 6447 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT29F2G01 Flash - Nand (SLC) 1,7 V ~ 1,95 V. 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT: GTR 8542.32.0071 2.000 83 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 2g x 1 Spi - - -
M29W128GL7AN6F TR Micron Technology Inc. M29W128GL7AN6F TR - - -
RFQ
ECAD 8610 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29W128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.200 Nicht Flüchtig 128mbit 70 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel 70ns
RC48F4400P0TB0EJ Micron Technology Inc. RC48F4400P0TB0EJ - - -
RFQ
ECAD 6565 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 64-Tbga RC48F4400 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 64 EasyBga (8x10) - - - Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -RC48F4400P0TB0EJ 3a991b1a 8542.32.0071 864 52 MHz Nicht Flüchtig 512mbit 95 ns Blitz 32m x 16 Parallel 95ns
MT29F1T08EELEEJ4-M:E TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-M: E Tr 21.4500
RFQ
ECAD 4423 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29F1T08EELEEJ4-M: ETR 2.000
MT53D1G64D4NW-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53D1G64D4NW-046 WT: a - - -
RFQ
ECAD 8617 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 557-MT53D1G64D4NW-046WT: a Veraltet 1,190
MT46H64M32LFCX-5 AT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5 AT: B Tr - - -
RFQ
ECAD 2215 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT46H64M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 1.000 200 MHz Flüchtig 2Gbit 5 ns Dram 64m x 32 Parallel 15ns
RD48F4400P0VBQE4 Micron Technology Inc. RD48F4400P0VBQE4 - - -
RFQ
ECAD 2260 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 88-TFBGA, CSPBGA RD48F4400 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 88-SCSP (8x11) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 176 52 MHz Nicht Flüchtig 512mbit 100 ns Blitz 32m x 16 Parallel 100ns
MT57W1MH18BF-4 Micron Technology Inc. MT57W1MH18BF-4 23.0000
RFQ
ECAD 926 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga SRAM - Synchron, DDR II 1,7 V ~ 1,9 V. 165-FBGA (13x15) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 250 MHz Flüchtig 18mbit 450 ps Sram 1m x 18 Hstl - - -
TE28F640P30B85A Micron Technology Inc. TE28F640P30B85A - - -
RFQ
ECAD 9123 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) 28f640p30 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 56-tsop Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 96 40 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 85 ns Blitz 4m x 16 Parallel 85ns
MTFC32GAPALGT-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GAPALGT-AAT 28.4250
RFQ
ECAD 9278 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Lets Kaufen -40 ° C ~ 105 ° C (TA) MTFC32G Flash - Nand - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 557-MTFC32Gapalgt-Aat 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 MMC - - -
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4-ITX: e - - -
RFQ
ECAD 2937 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F2G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus