SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-053 WT ES: E Tr - - -
RFQ
ECAD 2706 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 556-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 556-WFBGA (12,4x12,4) - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1.866 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 512 MX 64 - - - - - -
MT29F512G08EBLGEJ4-ITF:G Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLGEJ4-ITF: g 17.6850
RFQ
ECAD 8474 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT29F512G08eblgej4-ITF: g 1
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E AAT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 7926 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H128M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (9x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 400 MHz Flüchtig 2Gbit 400 ps Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
MT51J256M32HF-80:B TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-80: B Tr - - -
RFQ
ECAD 2776 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 170-tfbga MT51J256 SGRAM - GDDR5 1,31 V ~ 1,39 V, 1,46 V ~ 1,55 V. 170-FBGA (12x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0071 2.000 2 GHz Flüchtig 8gbit RAM 256 mx 32 Parallel - - -
M29W400FT55N3F TR Micron Technology Inc. M29W400ft55N3f Tr - - -
RFQ
ECAD 6076 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29W400 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.500 Nicht Flüchtig 4mbit 55 ns Blitz 512k x 8, 256k x 16 Parallel 55ns
MT47H32M16HR-25E IT:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25e ES: g - - -
RFQ
ECAD 2951 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-6 IT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 3010 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 166 MHz Flüchtig 512mbit 5 ns Dram 16 mx 32 Parallel 15ns
MT29F6T08ETCBBM5-37:B Micron Technology Inc. MT29F6T08ETCBBM5-37: b - - -
RFQ
ECAD 9585 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - - - - - MT29F6T08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1,120 267 MHz Nicht Flüchtig 6tbit Blitz 768G x 8 Parallel - - -
MT47H32M16CC-37E L:B Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-37E L: b - - -
RFQ
ECAD 5740 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (12x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 267 MHz Flüchtig 512mbit 500 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT47H64M16HR-25E AIT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E AIT: h - - -
RFQ
ECAD 7014 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
MT46V64M8BN-5B:F Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-5B: f - - -
RFQ
ECAD 9066 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 60-FBGA (10x12,5) Herunterladen Rohs Nick Konform 5 (48 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
MT53E2D1BCY-DC Micron Technology Inc. MT53E2D1BCY-DC 22.5000
RFQ
ECAD 2385 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv MT53E2 - - - UnberÜHrt Ereichen 557-MT53E2D1BCY-DC 1.360
MT46V16M8TG-6T L:D TR Micron Technology Inc. MT46V16M8TG-6T L: D Tr 8.8200
RFQ
ECAD 165 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V16M8 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 167 MHz Flüchtig 128mbit 700 ps Dram 16 mx 8 Parallel 15ns
MTFC4GMDEA-1M WT Micron Technology Inc. MTFC4GMDEA-1M WT - - -
RFQ
ECAD 3094 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-WFBGA MTFC4 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-WFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8523.51.0000 1.000 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 MMC - - -
MTFC32GASAQHD-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GASAQHD-AAT 19.1400
RFQ
ECAD 6760 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-VFBGA MTFC32G Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-VFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1.520 200 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 EMMC - - -
MT41J64M16JT-15E IT:G Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E ES: g - - -
RFQ
ECAD 4268 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41J64M16 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-FBGA (8x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 667 MHz Flüchtig 1Gbit Dram 64m x 16 Parallel - - -
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AAT: C Tr - - -
RFQ
ECAD 8644 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 2.000 2.133 GHz Flüchtig 12gbit Dram 384m x 32 - - - - - -
MT49H8M36FM-25:B Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-25: b - - -
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ECAD 9712 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 144-tfbga MT49H8M36 Dram 1,7 V ~ 1,9 V. 144-FBGA (18,5x11) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0028 1.000 400 MHz Flüchtig 288mbit 20 ns Dram 8m x 36 Parallel - - -
MT25QU512ABB8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8ESF-0AAT 10.3400
RFQ
ECAD 810 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) MT25QU512 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 16 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -791-mt25Qu512ABB8ESF-0AAT 3a991b1a 8542.32.0071 1.440 133 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
NP5Q128A13ESFC0E Micron Technology Inc. NP5Q128A13ESFC0E - - -
RFQ
ECAD 1361 0.00000000 Micron Technology Inc. Omneo ™ Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) NP5Q128a PCM (Pram) 2,7 V ~ 3,6 V. 16 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b 8542.32.0051 1.440 66 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 360 µs PCM (Pram) 16 mx 8 Spi 350 µs
MT62F2G32D8DR-031 WT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D8DR-031 WT: b 47.0400
RFQ
ECAD 9772 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT62F2G32D8DR-031WT: b 1
MT25QL512ABB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8E12-0AAT TR 12.7800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT25QL512 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 133 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi 8 ms, 2,8 ms
M29W800DB45N6E Micron Technology Inc. M29W800DB45N6E - - -
RFQ
ECAD 5394 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29W800 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0051 576 Nicht Flüchtig 8mbit 45 ns Blitz 1m x 8, 512k x 16 Parallel 45ns
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046 AAT: D Tr 19.1100
RFQ
ECAD 5172 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4 - - - 200-TFBGA (10x14,5) Herunterladen 557-MT53E512M32D2FW-046AAT: DTR 2.000 2.133 GHz Flüchtig 16gbit Dram 512 mx 32 Parallel - - -
M50FLW080ANB5TG TR Micron Technology Inc. M50FLW080ANB5TG TR - - -
RFQ
ECAD 3553 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-TFSOP (0,488 ", 12,40 mm BreiTe) M50FLW080 Flash - Nor 3v ~ 3,6 V 32-tsop - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.500 33 MHz Nicht Flüchtig 8mbit 250 ns Blitz 1m x 8 Parallel - - -
MT29F128G08CECABH1-12Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CECABH1-12Z: a Tr - - -
RFQ
ECAD 1606 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-vbga MT29F128G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 100-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 83 MHz Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 Parallel - - -
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4BD-053 WT: D Tr - - -
RFQ
ECAD 7366 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1.866 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 1g x 32 - - - - - -
MT46V32M16BN-6:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6: C Tr - - -
RFQ
ECAD 6887 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-FBGA (10x12,5) - - - ROHS3 -KONFORM 5 (48 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 167 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFD12-ITE: F Tr - - -
RFQ
ECAD 5610 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT29F4G01 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 4g x 1 Spi - - -
MT46V16M16FG-6:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16FG-6: F Tr - - -
RFQ
ECAD 9348 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-fbga MT46V16M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-FBGA (8x14) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 167 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus