SIC
close

Speicher (10402)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt Andere Namen Eccn Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT62F1536M64D8CL-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CL-023 WT: b 55.3050
RFQ
 ECAD 9548 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F1536M64D8CL-023WT: b 1 4,266 GHz Flüchtig 96Gbit Dram 1,5 GX 64 Parallel - - -
MT40A2G4Z11BWC1 Micron Technology Inc. MT40A2G4Z11BWC1 9.0100
RFQ
 ECAD 5397 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT40A2G4Z11BWC1 1
MT29F2T08EELCHD4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-QA: C Tr 41.9550
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29F2T08EELCHD4-QA: CTR 2.000
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AAT: c 56.5050
RFQ
 ECAD 9598 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 556-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 556-WFBGA (12,4x12,4) Herunterladen 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: c 1 2.133 GHz Flüchtig 64Gbit 3,5 ns Dram 1g x 64 Parallel 18ns
MT29F16T08GSLCEG4-QB:C Micron Technology Inc. MT29F16T08GSLCEG4-QB: c 312.5850
RFQ
 ECAD 3687 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT29F16T08GSLCEG4-QB: c 1
MT41K512M16VRP-107 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M16VRP-107 IT: P Tr 15.2250
RFQ
 ECAD 9429 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (8x14) - - - 557-MT41K512M16VRP-107it: ptr 2.000 933 MHz Flüchtig 8gbit 20 ns Dram 512 mx 16 Parallel 15ns
MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M16D1FW-046 WT: B Tr 7.4850
RFQ
 ECAD 5256 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 200-TFBGA (10x14,5) Herunterladen 557-MT53E256M16D1FW-046WT: BTR 2.000 2.133 GHz Flüchtig 4Gbit 3,5 ns Dram 256 mx 16 Parallel 18ns
MT29F1T08EBLCEJ4-ES:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCEJ4-ES: c - - -
RFQ
 ECAD 6774 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-mt29f1t08eblcej4-ES: c 1
MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 AIT: B Tr 83.7750
RFQ
 ECAD 2318 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C. Oberflächenhalterung 556-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4 - - - 556-WFBGA (12,4x12,4) - - - 557-MT53E1536M64D8HJ-046AIT: BTR 2.000 2.133 GHz Flüchtig 96Gbit Dram 1,5 mx 64 - - - - - -
MT62F3G32D8DV-023 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 AAT: B Tr 94.8300
RFQ
 ECAD 1764 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F3G32D8DV-023AAT: BTR 2.000 4,266 GHz Flüchtig 96Gbit Dram 3g x 32 Parallel - - -
MT62F1G32D2DS-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 IT: B Tr 25.1400
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C. Oberflächenhalterung 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1,05 v 200-WFBGA (10x14,5) - - - 557-MT62F1G32D2DS-023it: btr 2.000 3,2 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 1g x 32 Parallel - - -
MT53E128M32D2FW-046 AUT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AUT: a 8.7450
RFQ
 ECAD 9329 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V. 200-TFBGA (10x14,5) - - - 557-MT53E128M32D2FW-046AUT: a 1 2.133 GHz Flüchtig 4Gbit 3,5 ns Dram 128 mx 32 Parallel 18ns
MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: C Tr 60.5400
RFQ
 ECAD 1980 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-mt29f2t08emlcej4-qj: ctr 2.000
MT62F1G32D2DS-026 WT:C Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-026 WT: c 22.8450
RFQ
 ECAD 5308 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1,05 v 200-WFBGA (10x14,5) - - - 557-MT62F1G32D2DS-026WT: c 1 3,2 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 1g x 32 Parallel - - -
MT62F2G64D8EK-023 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT ES: C Tr 90.4650
RFQ
 ECAD 6658 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 441-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR5 1,05 v 441-tfbga (14x14) - - - 557-MT62F2G64D8EK-023WTES: CTR 2.000 4,266 GHz Flüchtig 128Gbit Dram 2g x 64 Parallel - - -
MT53E1G32D2FW-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 WT: a 22.0050
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 200-TFBGA (10x14,5) - - - 557-MT53E1G32D2FW-046WT: a 1 2.133 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 1g x 32 Parallel 18ns
MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J Tr 83.2350
RFQ
 ECAD 3193 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 254-Bga Flash - Nand, Dram - LPDDR4X - - - 254-MCP - - - 557-mt29vzzzbdafqkwl-046w.g0jtr 2.000 2.133 GHz NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 2tbit (NAND), 48GBIT (LPDDR4X) Blitz, Ram 256G x 8 (NAND), 1,5 GX 32 (LPDDR4X) UFS2.1 - - -
MT29F4T08EMLCHD4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-QJ: c 83.9100
RFQ
 ECAD 5287 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT29F4T08EMLCHD4-QJ: c 1
MTFC256GAZAOTD-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC256GAZAOTD-AIT TR 90.5250
RFQ
 ECAD 9917 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MTFC256GAZAOTD-AITTR 2.000
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AUT: c 64.9800
RFQ
 ECAD 2649 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 200-TFBGA (10x14,5) - - - 557-MT53E2G32D4DE-046AUT: c 1 2.133 GHz Flüchtig 64Gbit 3,5 ns Dram 2g x 32 Parallel 18ns
MT62F768M64D4EK-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AAT: b 47.8950
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv - - - Oberflächenhalterung 441-tfbga MT62F768 SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 441-tfbga (14x14) - - - 557-MT62F768M64D4EK-023AAT: b 1 4,266 GHz Flüchtig 48Gbit Dram 768m x 64 Parallel - - -
MTFC32GASAONS-IT TR Micron Technology Inc. MTFC32GASAONS-IT TR 20.8050
RFQ
 ECAD 2712 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 153-tfbga Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 153-TFBGA (11,5x13) - - - 557-MTFC32GASAONS-ITTR 2.000 52 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 UFS2.1 - - -
MT53E4G32D8GS-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E4G32D8GS-046 WT: c 127.0200
RFQ
 ECAD 4438 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C. - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR4 - - - - - - - - - 557-MT53E4G32D8GS-046WT: c 1 2.133 GHz Flüchtig 128Gbit Dram 4g x 32 Parallel - - -
MT62F2G64D8EK-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT: b 90.4650
RFQ
 ECAD 6037 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 441-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR5 1,05 v 441-tfbga (14x14) - - - 557-MT62F2G64D8EK-023WT: b 1 4,266 GHz Flüchtig 128Gbit Dram 2g x 64 Parallel - - -
MT29F2G01ABAGD12-AUT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-aut: g 3.2005
RFQ
 ECAD 6152 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT29F2G01ABAGD12-AUT: g 1
MT53E1G64D4HJ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 WT: a Tr 47.4300
RFQ
 ECAD 9577 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT53E1G64D4HJ-046WT: ATR 2.000
MT29F8T08EWLEEM5-QA:E Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLEEM5-QA: e - - -
RFQ
 ECAD 7472 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Veraltet - - - 557-MT29F8T08EWLEEM5-QA: e Veraltet 1
MT53E1G64D4NZ-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NZ-046 WT: C Tr 42.4500
RFQ
 ECAD 6338 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 376-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 376-WFBGA (14x14) Herunterladen 557-MT53E1G64D4NZ-046WT: CTR 2.000 2.133 GHz Flüchtig 64Gbit 3,5 ns Dram 1g x 64 Parallel 18ns
MT29F4T08EULGEM4-ITF:G Micron Technology Inc. MT29F4T08Eulgem4-ITF: g 130.1100
RFQ
 ECAD 6151 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT29F4T08Eulgem4-ITF: g 1
MT53E128M32D2FW-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AAT: a Tr 8.7450
RFQ
 ECAD 3095 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT53E128M32D2FW-046AAT: ATR 2.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

RFQ -Liste (0 Elemente)
Wagenliste (0 Elemente)
WishlistWunschliste (0 Elemente)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

Vergleichen Sie die Liste (0 Elemente)
Drücken Sie die Eingabetaste, um zu suchen oder ESC zu schließen