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Speicher (10402)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT29AZ2B1BHGTN-18IT.111 TR Micron Technology Inc. MT29AZ2B1BHgtn-18it.111 Tr - - -
RFQ
 ECAD 9721 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv MT29Az2 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 557-MT29AZ2B1BHGTN-18it.111tr 1.000
MT58L256L36PT-6 Micron Technology Inc. MT58L256L36PT-6 8.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP MT58L256L36 SRAM - Synchron 3,135 V ~ 3,6 V. 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert 3a991b2a 8542.32.0041 1 166 MHz Flüchtig 8mbit 3,5 ns Sram 256k x 36 Parallel - - -
MT55V512V36FT-8.8 Micron Technology Inc. MT55v512v36ft-8.8 17.3600
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP MT55V512V SRAM - Synchron, ZBT 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 113 MHz Flüchtig 18mbit 6,5 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
MT55V512V36PT-6 Micron Technology Inc. MT55V512V36PT-6 17.3600
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP MT55V512V SRAM - Asynchron, ZBT 2.375 V ~ 3.465 V 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 166 MHz Flüchtig 18mbit 3,5 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
MT58L256L36FS-8.5 Micron Technology Inc. MT58L256L36FS-8.5 - - -
RFQ
 ECAD 5462 0.00000000 Micron Technology Inc. * Schüttgut Aktiv - - - Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1
MT54W2MH8JF-7.5 Micron Technology Inc. MT54W2MH8JF-7,5 25.3300
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga MT54W2MH SRAM - Quad -Port, Synchron 1,7 V ~ 1,9 V. 165-FBGA (13x15) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 133 MHz Flüchtig 16mbit 7,5 ns Sram 2m x 8 Parallel - - -
MT58L128V36P1T-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128V36P1T-7.5 7.0900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP SRAM - Standard 3,135 V ~ 3,6 V. 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert 3a991b2a 8542.32.0041 1 133 MHz Flüchtig 4mbit 4 ns Sram 128k x 36 Parallel - - -
MT58L256L32DS-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L32DS-7,5 9.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP MT58L256L32 SRAM - Synchron 3,135 V ~ 3,6 V. 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 133 MHz Flüchtig 8mbit 4 ns Sram 256k x 32 Parallel - - -
MT58L256L36FS-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L256L36FS-7,5TR 9.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP SRAM - Standard 3,135 V ~ 3,6 V. 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert 3a991b2a 8542.32.0041 500 113 MHz Flüchtig 8mbit 7,5 ns Sram 256k x 36 Parallel - - -
MT55V512V32PT-10 Micron Technology Inc. MT55V512V32PT-10 17.3600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP MT55V512V SRAM - Asynchron, ZBT 2.375 V ~ 3.465 V 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 100 MHz Flüchtig 18mbit 5 ns Sram 512K x 32 Parallel - - -
MT53E128M16D1FW-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E128M16D1FW-046 AIT: a 5.7400
RFQ
 ECAD 5357 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) MT53E128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 557-MT53E128M16D1FW-046AIT: a Ear99 8542.32.0036 136 2.133 GHz Flüchtig 2Gbit Dram 128 MX 16 - - - - - -
MT58L64L18DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-7.5 7.0500
RFQ
 ECAD 449 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP SRAM - Standard 3,135 V ~ 3,6 V. 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert 3A991B2B 8542.32.0041 1 133 MHz Flüchtig 1Mbit 4.2 ns Sram 64k x 18 Parallel - - -
MT58L128L32F1T-6.8 Micron Technology Inc. MT58L128L32F1T-6.8 7.7500
RFQ
 ECAD 732 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP MT58L128L32 SRAM - Synchron 3,135 V ~ 3,6 V. 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert 3a991b2a 8542.32.0041 1 133 MHz Flüchtig 4mbit 6.8 ns Sram 128K x 32 Parallel - - -
MT53E1G32D4NQ-046 WT:F TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D4NQ-046 WT: F TR - - -
RFQ
 ECAD 9225 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 200-VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V. 200-VFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 557-MT53E1G32D4NQ-046WT: ftr Veraltet 1 2.133 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 1g x 32 - - -
MT60B4G4HB-56B:G Micron Technology Inc. MT60B4G4HB-56B: g 23.8200
RFQ
 ECAD 4931 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT60B4G4HB-56B: g 1
MT29F8T08ESLCEG4-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08ESLCEG4-R: C Tr 242.1750
RFQ
 ECAD 5784 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-mt29f8t08eslceg4-R: ctr 1.500
MT62F1536M32D4DS-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 AIT: B Tr 43.5300
RFQ
 ECAD 2678 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT62F1536M32D4DS-023AIT: BTR 2.000
MT29F2T08EELCHD4-T:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-T: C Tr 41.9550
RFQ
 ECAD 5432 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29F2T08EELCHD4-T: CTR 2.000
MT29F8T08EWLEEM5-R:E Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLEEM5-R: e 171.6300
RFQ
 ECAD 7648 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C. - - - - - - Flash - Nand (TLC) - - - - - - - - - 557-MT29F8T08EWLEEM5-R: e 1 Nicht Flüchtig 8tbit Blitz 1T x 8 Parallel - - -
MT62F1536M32D4DS-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 FAAT: b 47.8950
RFQ
 ECAD 9770 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv - - - Oberflächenhalterung 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 200-WFBGA (10x14,5) - - - 557-MT62F1536M32D4DS-023FAAT: b 1 4,266 GHz Flüchtig 48Gbit Dram 1,5 GX 32 Parallel - - -
MT40A2G8JE-062E AAT:E TR Micron Technology Inc. MT40A2G8JE-062E AAT: E Tr 17.1750
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (9x11) Herunterladen 557-MT40A2G8JE-062EAAT: ETR 2.000 1,6 GHz Flüchtig 16gbit 19 ns Dram 2g x 8 Pod 15ns
MT40A8G4NEA-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A8G4NEA-062E: f Tr 52,5000
RFQ
 ECAD 7488 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (7,5x11) - - - 557-MT40A8G4NEA-062E: ftr 2.000 1,6 GHz Flüchtig 32Gbit 13.75 ns Dram 8g x 4 Parallel - - -
MT29F4T08EQLCEG8-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EQLCEG8-R: C Tr 121.0800
RFQ
 ECAD 7256 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29F4T08EQLCEG8-R: CTR 2.000
MT62F4G32D8DV-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 IT: b 99.5250
RFQ
 ECAD 5404 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C. - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F4G32D8DV-023it: b 1 4,266 GHz Flüchtig 128Gbit Dram 4g x 32 Parallel - - -
MTFC512GBCAVHE-WT TR Micron Technology Inc. MTFC512GBCAVHE-WT TR 63.8550
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MTFC512GBCAVHE-WTTR 2.000
MT29F1T08EBLCHD4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-QJ: C Tr 20.9850
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-mt29f1t08eblchd4-QJ: Ctr 2.000
MT60B1G16HC-48B IT:A Micron Technology Inc. MT60B1G16HC-48B ES: a 18.2400
RFQ
 ECAD 6035 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 102-VFBGA SDRAM - DDR5 - - - 102-VFBGA (9x14) - - - 557-MT60B1G16HC-48bit: a 1 2,4 GHz Flüchtig 16gbit 16 ns Dram 1g x 16 Pod - - -
MT62F768M32D2DS-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F768M32D2DS-026 WT: b 17.6400
RFQ
 ECAD 1472 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT62F768M32D2DS-026WT: b 1
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AUT: b 37.9050
RFQ
 ECAD 7462 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 200-TFBGA (10x14,5) Herunterladen 557-MT53E1G32D2FW-046AUT: b 1 2.133 GHz Flüchtig 32Gbit 3,5 ns Dram 1g x 32 Parallel 18ns
MT40A1G16TB-062E IT:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TB-062E ES: F TR 14.9550
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT40A1G16 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 96-FBGA (7,5x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 557-MT40A1G16TB-062EIT: ftr 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 1,6 GHz Flüchtig 16gbit 19 ns Dram 1g x 16 Parallel 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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