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Speicher (10402)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT29F4G16ABBFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBFAH4-AAT: f Tr 3.8498
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G16 Flash - Nand (SLC) 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 557-MT29F4G16ABBFAH4-AAT: ftr 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 256 mx 16 Parallel - - -
M28W640FCB70ZB6E Micron Technology Inc. M28W640FCB70ZB6E - - -
RFQ
 ECAD 8393 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga M28W640 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-TFBGA (6,39 x 10,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 160 Nicht Flüchtig 64Mbit 70 ns Blitz 4m x 16 Parallel 70ns
MT29F2G01ABAGD12-AUT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-AUT: G Tr 3.1665
RFQ
 ECAD 6902 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29F2G01ABAGD12-AUT: GTR 2.500
MT48H32M16LFB4-75 IT:C Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-75 IT: c - - -
RFQ
 ECAD 6387 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48H32M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,95 V. 54-VFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 133 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT45W8MW16BGX-701 WT TR Micron Technology Inc. MT45W8MW16BGX-701 WT TR - - -
RFQ
 ECAD 6926 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT45W8MW16 Psram (pseudo sram) 1,7 V ~ 1,95 V. 54-VFBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 1.000 104 MHz Flüchtig 128mbit 70 ns Psram 8m x 16 Parallel 70ns
MT62F2G32D4DS-023 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AIT: b 58.0650
RFQ
 ECAD 8547 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv - - - Oberflächenhalterung 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1,05 v 200-WFBGA (10x14,5) - - - 557-MT62F2G32D4DS-023AIT: b 1 4,266 GHz Flüchtig 64Gbit Dram 2g x 32 Parallel - - -
MT46V32M4P-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V32M4P-5B: D Tr - - -
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V32M4 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 200 MHz Flüchtig 128mbit 700 ps Dram 32m x 4 Parallel 15ns
PC28F512M29EWLB TR Micron Technology Inc. PC28F512M29EWLB TR - - -
RFQ
 ECAD 2888 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga PC28F512 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (11x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 512mbit 100 ns Blitz 64m x 8, 32m x 16 Parallel 100ns
MT46H64M32LFCX-5 AT:B Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5 AT: b - - -
RFQ
 ECAD 2590 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT46H64M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 1.000 200 MHz Flüchtig 2Gbit 5 ns Dram 64m x 32 Parallel 15ns
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMHGBJ4-3RES: G Tr - - -
RFQ
 ECAD 9033 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F256G08 Blitz - Nand (MLC) 2,5 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 333 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
MT57W2MH8BF-7.5 Micron Technology Inc. MT57W2MH8BF-7,5 23.0000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga SRAM - Synchron, DDR II 1,7 V ~ 1,9 V. 165-FBGA (13x15) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 133 MHz Flüchtig 18mbit 500 ps Sram 2m x 8 Hstl - - -
MT53E384M32D2FW-046 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046 AIT: E Tr 10.7700
RFQ
 ECAD 1894 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Herunterladen 557-MT53E384M32D2FW-046AIT: ETR 2.000
MT44K32M18RB-107E:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107E: a Tr - - -
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-Tbga MT44K32M18 Dram 1,28 V ~ 1,42 V. 168-BGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 933 MHz Flüchtig 576mbit 8 ns Dram 32m x 18 Parallel - - -
MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAH4-IT: F Tr 3.0165
RFQ
 ECAD 1051 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen MT29F4G08ABAFAH4-IT: FTR 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
MT40A1G8WE-083E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E IT: B Tr - - -
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (8x12) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,2 GHz Flüchtig 8gbit Dram 1g x 8 Parallel - - -
M29W128GL70ZS6E Micron Technology Inc. M29W128GL70ZS6E - - -
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga M29W128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (11x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 960 Nicht Flüchtig 128mbit 70 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel 70ns
MT29F64G08EBAAAWP-Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08EBAAAWP-Z: a - - -
RFQ
 ECAD 4955 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Rohr Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F64G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 Parallel - - -
M45PE20-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M45PE20-VMP6TG TR - - -
RFQ
 ECAD 4151 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad M45PE20 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-VDFPN (6x5) (MLP8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 4.000 75 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi 15 ms, 3 ms
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B Micron Technology Inc. MT29F8G08ABABAWP-AITX: b - - -
RFQ
 ECAD 5370 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F8G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 960 Nicht Flüchtig 8gbit Blitz 1g x 8 Parallel - - -
MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR - - -
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga MT28EW128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-lbga (11x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 Nicht Flüchtig 128mbit 95 ns Blitz 16m x 8, 8m x 16 Parallel 60ns
M58LR128KB85ZB5F TR Micron Technology Inc. M58LR128KB85ZB5F TR - - -
RFQ
 ECAD 6422 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-VFBGA M58LR128 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 56-VFBGA (7,7x9) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 66 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 85 ns Blitz 8m x 16 Parallel 85ns
MT46V64M16P-6T:A Micron Technology Inc. MT46V64M16P-6T: a - - -
RFQ
 ECAD 9527 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V64M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 167 MHz Flüchtig 1Gbit 700 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
MT58L64L32FT-8.5 Micron Technology Inc. MT58L64L32FT-8.5 4.9100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP SRAM - Standard 3,135 V ~ 3,6 V. 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert 3a991b2a 8542.32.0041 1 100 MHz Flüchtig 2mbit 8.5 ns Sram 64k x 32 Parallel - - -
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EMHAFJ4-3RES: a Tr - - -
RFQ
 ECAD 5661 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F1T08 Flash - Nand 2,5 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 333 MHz Nicht Flüchtig 1Tbit Blitz 128g x 8 Parallel - - -
MT62F512M64D4EK-031 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F512M64D4EK-031 AUT: b 37.4700
RFQ
 ECAD 8402 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 441-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 441-tfbga (14x14) - - - 557-MT62F512M64D4EK-031AUT: b 1 3,2 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 512 MX 64 Parallel - - -
MT29F4T08GMLCEJ4-M:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4-M: C Tr 78.1500
RFQ
 ECAD 1533 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29F4T08GMLCEJ4-M: CTR 2.000
MT55V512V32FT-8.8 Micron Technology Inc. MT55V512V32FT-8.8 17.3600
RFQ
 ECAD 206 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP MT55V512V SRAM - Synchron, ZBT 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x20.1) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 113 MHz Flüchtig 18mbit 6,5 ns Sram 512K x 32 Parallel - - -
MT48LC32M8A2P-6A IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A IT: G TR - - -
RFQ
 ECAD 9547 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC32M8A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 2.000 167 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 32m x 8 Parallel 12ns
MTFC8GLWDM-AIT A Micron Technology Inc. MTFC8GLWDM-AIT a - - -
RFQ
 ECAD 7180 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-tfbga MTFC8 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-TFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) MTFC8GLWDM-AITA Veraltet 8542.32.0071 1.360 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-R - - -
RFQ
 ECAD 9619 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung Sterben MT29F64G08 Blitz - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V. Sterben - - - ROHS3 -KONFORM Verkäfer undefiniert Veraltet 0000.00.0000 1 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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