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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
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N25Q256A13E12A0F TR | - - - | ![]() | 1738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | N25Q256A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 64m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | ||||
![]() | MT29F2G08ABAEAWP-IT: e | 3.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 960 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT53D384M64D4FL-046 XT Es: e | - - - | ![]() | 4324 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | Veraltet | 1,120 | 2.133 GHz | Flüchtig | 24gbit | Dram | 384m x 64 | - - - | - - - | ||||||||||
![]() | MT53D4DADT-DC | - - - | ![]() | 8735 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Kasten | Aktiv | MT53D4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1.360 | |||||||||||||||||||
![]() | MT45W2MW16BGB-708 WT TR | - - - | ![]() | 4576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT45W2MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Psram | 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | MT40A8G4NEA-062E: f | 52,5000 | ![]() | 7976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Kasten | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (7,5x11) | - - - | 557-MT40A8G4NEA-062E: f | 1 | 1,6 GHz | Flüchtig | 32Gbit | 13.75 ns | Dram | 8g x 4 | Parallel | - - - | |||||||
![]() | MT29F2T08CVCVBBG6-6C: b | - - - | ![]() | 2510 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 272-LFBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 272-LFBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | 167 MHz | Nicht Flüchtig | 2tbit | Blitz | 256g x 8 | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT40A2G8JE-062E AIT: e | 15.6150 | ![]() | 2310 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (9x11) | Herunterladen | 557-MT40A2G8JE-062EAIT: e | 1 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | 19 ns | Dram | 2g x 8 | Pod | 15ns | |||||||
![]() | MT29F2G08ABAEAH4-AATX: e | - - - | ![]() | 7587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | M36L0R7050L3ZSF TR | - - - | ![]() | 8855 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | M36L0R7050 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | |||||||||||||||||
![]() | MT47H128M4BT-37E: a Tr | 27.7200 | ![]() | 745 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 92-tfbga | MT47H128M4 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 92-FBGA (11x19) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 267 MHz | Flüchtig | 512mbit | 500 ps | Dram | 128 mx 4 | Parallel | 15ns | ||
![]() | MT29F1T08CUECBH8-12: c | - - - | ![]() | 2439 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-lbga | MT29F1T08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152 lbga (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | Parallel | - - - | |||
MT29F16G08ABACAWP-Z: c | - - - | ![]() | 6934 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F16G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 960 | Nicht Flüchtig | 16gbit | Blitz | 2g x 8 | Parallel | - - - | |||||
![]() | M36L0R7050U3ZSE | - - - | ![]() | 1069 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | M36L0R7050 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.304 | |||||||||||||||||
![]() | MT49H16M36BM-33: b | - - - | ![]() | 2436 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H16M36 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-µbga (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 300 MHz | Flüchtig | 576mbit | 20 ns | Dram | 16m x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | MT48LC64M4A2P-7E: D Tr | - - - | ![]() | 1067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC64M4A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 64m x 4 | Parallel | 14ns | ||
![]() | JS28F064M29EWBA | - - - | ![]() | 3436 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F064M29 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | MT53D8DBPM-DC TR | - - - | ![]() | 4287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT53D8 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||||
![]() | M25P10-AVMN3TP/Y Tr | - - - | ![]() | 2611 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M25P10 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 1Mbit | Blitz | 128k x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
![]() | MTFC16GLWDM-4M AIT Z | - - - | ![]() | 8679 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | MTFC16G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | ||||||
![]() | MT44K32M36RB-107E: a Tr | 64.4550 | ![]() | 5584 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-Tbga | MT44K32M36 | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-BGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 933 MHz | Flüchtig | 1.125Gbit | 8 ns | Dram | 32 mx 36 | Parallel | - - - | ||
MT35XL02GCBA1G12-0SIT TR | - - - | ![]() | 4536 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela ™ - mt35x | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT35XL02 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Xccela -bus | - - - | ||||
![]() | MTFC8GAMALBH-IT | 12.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Tablett | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 557-mtfc8gamalbh-it | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.520 | |||||||||||||||||
![]() | MT29F512G08CEHBBJ4-3RES: B Tr | - - - | ![]() | 4035 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F512G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT48LC4M16A2P-6A AIT: J Tr | - - - | ![]() | 4951 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.000 | 167 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 12ns | ||
![]() | JS28F512M29EWHB TR | - - - | ![]() | 3639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F512M29 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.600 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 110 ns | Blitz | 64m x 8, 32m x 16 | Parallel | 110ns | |||
![]() | MT29F32G08ABAAAM73A3WC1 | - - - | ![]() | 7248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | Parallel | - - - | |||||
![]() | M29W128GL7AN6E | - - - | ![]() | 4238 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 70ns | |||
MT47H64M16HR-3 ES: h | - - - | ![]() | 5276 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT47H64M16HR-25E L: H Tr | - - - | ![]() | 1185 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns |
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