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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFC128GAJAECE-5M AIT TR | - - - |  | 1158 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 169-LFBGA | MTFC128 | Flash - Nand | - - - | 169-LFBGA (14x18) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | MMC | - - - | ||||||
 | M45PE16-VMW6G | - - - | | 3795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | M45PE16 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-so w | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.800 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi | 3 ms | |||
 | MT42L256M32D2LG-25 WT: a | - - - | | 1880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-WFBGA | MT42L256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V. | 168-FBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 400 MHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 256 mx 32 | Parallel | - - - | |||
| MT52L1DAPF-DC TR | - - - | | 5064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT52L1 | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||||
| MT25QL256ABA1EW9-0AAT | - - - | | 8904 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | MT25QL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-wpdfn (6x8) (MLP8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.920 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
| M29F040B90K6 | - - - | | 4571 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | M29F040 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-PLCC (11.35x13.89) | - - - | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 497-1705-5 | Ear99 | 8542.32.0071 | 32 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 90 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | 90ns | ||
 | MT46V32M16BN-75: c | - - - | | 6463 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 750 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT | - - - | | 4983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 137-VFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 137-VFBGA (13x10.5) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.140 | 208 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 512 MX 8 (NAND), 64 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | ||||
 | MT48LC2M32B2TG-6 IT: G TR | - - - | | 5183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | 12ns | ||
| MT42L128M32D1LF-25 Gew. | - - - | | 8471 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-WFBGA | MT42L128M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V. | 168-FBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 128 mx 32 | Parallel | - - - | |||
| M29F040B90N1T TR | - - - | | 8227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F040 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 90 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | 90ns | |||
| MT46V32M16P-5B XIT: J Tr | - - - | | 7391 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | M29W256GH70ZA6F TR | - - - | | 6856 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | M29W256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-TBGA (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8, 16 mx 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT48H8M32LFF5-10 | - - - | | 6588 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 256mbit | 7 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | Edb5432bepa-1dit-fr tr | - - - | | 7586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-WFBGA | EDB5432 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 168-WFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 512mbit | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | |||
 | MT29F2G01AAAEDH4-ITX: e | - - - | | 4254 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 2g x 1 | Spi | - - - | ||||
 | MT46V16M16TG-75 ES: f | - - - | | 6503 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 750 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 | - - - | | 3687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F1G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MTFC128GAPALNS-AIT ES TR | - - - | | 9038 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | MTFC128 | Flash - Nand | - - - | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | MMC | - - - | ||||||
| MT29C4G96MAZAPCJA-5 IT | - - - | | 3466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 137-tfbga | MT29C4G96 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 137-TFBGA (10,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 256 MX 16 (NAND), 128 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | ||||
 | M29W320ET70N6F TR | - - - | | 1987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W320 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | EDB1316BDBH-1DAUT-FD | - - - | | 3529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-vfbga | EDB1316 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-VFBGA (10x11.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.100 | 533 MHz | Flüchtig | 1Gbit | Dram | 64m x 16 | Parallel | - - - | |||
| MT41K256M16HA-125 m: e | - - - | | 9957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (9x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 13.75 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||
| MT41K256M16HA-125: E Tr | - - - | | 7256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (9x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 13.75 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||
| M29W064FB6AZA6F TR | - - - | | 5165 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | M29W064 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 60 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 60ns | ||||
| M29DW323DB5AN6F TR | - - - | | 6350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29DW323 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 55 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 55ns | |||
| MT29F2G08ABBFAH4-IT: F Tr | - - - | | 9556 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | |||||
 | MT45W2MW16BABB-706 L WT | - - - | | 3169 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT45W2MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (6x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Psram | 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| MT46V32M16TG-75E: c | - - - | | 3398 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop | - - - | Rohs Nick Konform | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 750 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | PC28F640J3D75E | - - - | | 7689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 864 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 75 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 75ns |
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