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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS46TR85120AL-125KBLA1 | - - - |  | 3420 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS46TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (9x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR85120AL-125KBLA1 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | 15ns | |
 | IS49RL18640-107EBL | 109.1224 | | 1959 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-lbga | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-FBGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49RL18640-107ebl | 119 | 933 MHz | Flüchtig | 1.152Gbit | 8 ns | Dram | 64m x 18 | Parallel | - - - | ||||
| IS46TR81024B-125KBLA1 | 24.4162 | | 7145 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46TR81024B-125KBLA1 | 136 | 800 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 1g x 8 | Parallel | 15ns | |||||
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| IS43LQ32256AL-062BLI | 21.8535 | | 6801 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LQ32256AL-062BLI | 136 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8gbit | 3,5 ns | Dram | 256 mx 32 | LVSTL | 18ns | |||||
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| IS29GL256-70DLET-TR | 4.8235 | | 4919 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | Flash - Nor (SLC) | 3v ~ 3,6 V | 64-LFBGA (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS29GL256-70DLET-TR | 2.500 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8 | CFI | 70 ns, 200 µs | ||||||
 | IS42S32800B-7TI | - - - | | 6833 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | ||
 | IS49NLS96400-25BL | - - - | | 8691 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLS96400 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FCBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 576mbit | 20 ns | Dram | 64m x 9 | Parallel | - - - | ||
 | IS42S16400J-6BL-TR | 1.6875 | | 7569 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42S16400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | ||
| IS25LE01G-RILE-TR | 11.3848 | | 2500 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24 lbga | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 24-LFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LE01G-RILE-TR | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 8 ns | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | |||||
| IS22TF128G-JQLA1-TR | 74.4800 | | 6033 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-LFBGA (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF128G-JQLA1-TR | 1.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - - - | ||||||
 | IS61WV51216EDALL-20TLI | 12.2476 | | 6509 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61WV51216 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 8mbit | 20 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 20ns | |||
 | IS21TF08G-JQLI-TR | - - - | | 5695 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | IS21TF08G | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-LFBGA (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS21TF08G-JQLI-TR | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | MMC | - - - | ||
| IS43LD32128C-25BPLI-TR | - - - | | 1550 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD32128C-25BPLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | ||||||||||||||||
| IS43TR16256AL-15HBLI | - - - | | 5204 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16256 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS46LD32128B-25BPLA2-TR | - - - | | 6181 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46LD32128B-25BPLA2-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 mx 32 | Hsul_12 | 15ns | |
| IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR | 3.8489 | | 6183 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 48-VFBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR | 2.500 | Flüchtig | 8mbit | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Parallel | 45ns | ||||||
 | IS62WVS0648FBLL-20NLI | 2.2660 | | 1924 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS62WVS0648 | SRAM - Synchron, SDR | 2,2 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 100 | 20 MHz | Flüchtig | 512Kbit | Sram | 64k x 8 | SPI - Quad I/O, SDI, DTR | - - - | |||
| IS46LQ32128A-062TBLA2-TR | - - - | | 7573 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ32128A-062TBLA2-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 3,5 ns | Dram | 128 mx 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS42S81600F-6TLI-TR | 2.6967 | | 8511 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S81600 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 8 | Parallel | - - - | ||
| IS43TR16640ED-15HBLI | 5.8300 | | 6587 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR16640ED-15HBLI | 190 | 667 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||||
 | IS46R16320D-6TLA2 | 11.0031 | | 6109 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS46R16320 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS25LX512M-LHLE | 9.3700 | | 1158 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LX512M-LHLE | 480 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 6 ns | Blitz | 64m x 8 | Spi - oktal i/o | 1,8 ms | |||||
 | IS29GL256-70SLEB | 7.9800 | | 751 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | IS29GL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS29GL256-70SLEB | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8 | Parallel | 200 µs | ||
| IS43LR16160H-6BLI | 5.3162 | | 3927 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-TFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR16160H-6BLI | 300 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | |||||
| IS42VM16200C-75BLI-TR | - - - | | 8564 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42VM16200 | Sdram - Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Dram | 2m x 16 | Parallel | - - - | ||
| IS42S83200B-6TLI-TR | - - - | | 9552 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S83200 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 8 | Parallel | - - - |
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