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Speicher(648)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Spannung - Versorgung	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergröße	Zugriffszeit	Speicherformat	Gedächtnisorganisation	Speicherschnittstelle	Schreibzykluszeit – Wort, Seite
71256S35TDB	-	Anfrage	9340	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 125°C (TA)	Durchgangsloch	28-CDIP (0,300", 7,62 mm)	71256S	SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	28-CDIP	herunterladen				3A001A2C	8542.32.0041	1		Flüchtig	256Kbit	35 ns	SRAM	32K x 8	Parallel	35ns
71V65603S133BGGI	29.1800	Anfrage	84	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage	119-BGA	71V65603	SRAM – Synchron, SDR (ZBT)	3.135 V ~ 3.465 V	119-PBGA (14x22)	herunterladen				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Flüchtig	9Mbit	4,2 ns	SRAM	256K x 36	Parallel	-
7164L25YG	-	Anfrage	4677	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage	28-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite)	7164L	SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	28-SOJ	herunterladen				EAR99	8542.32.0041	1		Flüchtig	64Kbit	25 ns	SRAM	8K x 8	Parallel	25ns
7164L45TDB	-	Anfrage	5295	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 125°C (TA)	Durchgangsloch	28-CDIP (0,300", 7,62 mm)	7164L	SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	28-CDIP	herunterladen				3A001A2C	8542.32.0041	1		Flüchtig	64Kbit	45 ns	SRAM	8K x 8	Parallel	45ns
7164L20TP	-	Anfrage	3960	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	0°C ~ 70°C (TA)	Durchgangsloch	28-DIP (0,300", 7,62 mm)	7164L	SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	28-PDIP	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH betroffen	EAR99	8542.32.0041	1		Flüchtig	64Kbit	20 ns	SRAM	8K x 8	Parallel	20ns
71V3559S80PF	-	Anfrage	5095	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage	100-LQFP	71V3559	SRAM – Synchron, SDR (ZBT)	3.135 V ~ 3.465 V	100-TQFP (14x14)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH betroffen	3A991B2A	8542.32.0041	1		Flüchtig	4,5 Mbit	8 ns	SRAM	256K x 18	Parallel	-
71V416YS12PHG	-	Anfrage	8832	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Rohr	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage	44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)	71V416Y	SRAM – Asynchron	3V ~ 3,6V	44-TSOP II	herunterladen	ROHS3-konform			3A991B2A	8542.32.0041	26		Flüchtig	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	Parallel	12ns
71V124SA10TYG8	2.9800	Anfrage	125	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage	32-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite)	71V124	SRAM – Asynchron	3,15 V ~ 3,6 V	32-SOJ	herunterladen				3A991B2B	8542.32.0041	1		Flüchtig	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	Parallel	10ns
71016S15YGI	2.4100	Anfrage	6565	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage	44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite)	71016S	SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	44-SOJ	herunterladen				3A991B2B	8542.32.0041	91		Flüchtig	1Mbit	15 ns	SRAM	64K x 16	Parallel	15ns
71V016SA10BFG	5.0600	Anfrage	2522	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage	48-LFBGA	71V016	SRAM – Asynchron	3,15 V ~ 3,6 V	48-CABGA (7x7)	herunterladen				3A991B2B	8542.32.0041	1		Flüchtig	1Mbit	10 ns	SRAM	64K x 16	Parallel	10ns
71V632S7PFI	-	Anfrage	6094	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage	100-LQFP	71V632	SRAM – Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,63 V	100-TQFP (14x14)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH betroffen	3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	Flüchtig	2Mbit	7 ns	SRAM	64K x 32	Parallel	-
71V65803S100BGG	26.6900	Anfrage	116	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage	119-BGA	71V65803	SRAM – Synchron, SDR (ZBT)	3.135 V ~ 3.465 V	119-PBGA (14x22)	herunterladen				3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Flüchtig	9Mbit	5 ns	SRAM	512K x 18	Parallel	-
71V65903S85PFG	19.8800	Anfrage	305	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage	100-LQFP	71V65903	SRAM – Synchron, SDR (ZBT)	3.135 V ~ 3.465 V	100-TQFP (14x14)	herunterladen				3A991B2A	8542.32.0041	1		Flüchtig	9Mbit	8,5 ns	SRAM	512K x 18	Parallel	-
71V3578S150PFI	-	Anfrage	6319	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage	100-LQFP	71V3578	SRAM – Synchron, SDR	3.135 V ~ 3.465 V	100-TQFP (14x14)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH betroffen	3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	Flüchtig	4,5 Mbit	3,8 ns	SRAM	256K x 18	Parallel	-
71V016SA20BFG	5.0600	Anfrage	3	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage	48-LFBGA	71V016	SRAM – Asynchron	3V ~ 3,6V	48-CABGA (7x7)	herunterladen				3A991B2B	8542.32.0041	1		Flüchtig	1Mbit	20 ns	SRAM	64K x 16	Parallel	20ns
71024S20YG	-	Anfrage	3310	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage	32-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite)	71024S	SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	32-SOJ	herunterladen				3A991B2A	8542.32.0041	1		Flüchtig	1Mbit	20 ns	SRAM	128K x 8	Parallel	20ns
6116SA20TPGI	-	Anfrage	8996	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 85°C (TA)	Durchgangsloch	24-DIP (0,300", 7,62 mm)	6116SA	SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	24-PDIP	herunterladen				EAR99	8542.32.0041	1		Flüchtig	16Kbit	20 ns	SRAM	2K x 8	Parallel	20ns
6116SA20SOI	2.9400	Anfrage	326	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage	24-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite)	6116SA	SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	24-SOIC	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen	EAR99	8542.32.0041	1		Flüchtig	16Kbit	20 ns	SRAM	2K x 8	Parallel	20ns
71V124SA12PHI	-	Anfrage	4853	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage	32-SOIC (0,400", 10,16 mm Breite)	71V124	SRAM – Asynchron	3V ~ 3,6V	32-TSOP II	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH betroffen	3A991B2B	8542.32.0041	1		Flüchtig	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	Parallel	12ns
71V3577S80BQI	-	Anfrage	9610	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage	165-TBGA	71V3577	SRAM – Synchron, SDR	3.135 V ~ 3.465 V	165-CABGA (13x15)	herunterladen				3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Flüchtig	4,5 Mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	Parallel	-
71V546S133PF	1.6600	Anfrage	986	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage	100-LQFP	71V546	SRAM – Synchron, SDR (ZBT)	3.135 V ~ 3.465 V	100-TQFP (14x14)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH betroffen	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Flüchtig	4,5 Mbit	4,2 ns	SRAM	128K x 36	Parallel	-
71256S35DB	37.2500	Anfrage	37	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 125°C (TA)	Durchgangsloch	28-CDIP (0,600", 15,24 mm)	71256S	SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	28-CDIP	herunterladen				3A001A2C	8542.32.0041	1		Flüchtig	256Kbit	35 ns	SRAM	32K x 8	Parallel	35ns
71V3558S100PFGI	11.0800	Anfrage	594	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage	100-LQFP	71V3558	SRAM – Synchron, SDR (ZBT)	3.135 V ~ 3.465 V	100-TQFP (14x14)	herunterladen				3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Flüchtig	4,5 Mbit	5 ns	SRAM	256K x 18	Parallel	-
6116LA45SOGI	-	Anfrage	7517	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage	24-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite)	6116LA	SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	24-SOIC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8542.32.0041	1		Flüchtig	16Kbit	45 ns	SRAM	2K x 8	Parallel	45ns
6116LA20TPG	-	Anfrage	5041	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	0°C ~ 70°C (TA)	Durchgangsloch	24-DIP (0,300", 7,62 mm)	6116LA	SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	24-PDIP	herunterladen				EAR99	8542.32.0041	1		Flüchtig	16Kbit	20 ns	SRAM	2K x 8	Parallel	20ns
71T75802S133PFI	-	Anfrage	3429	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage	100-LQFP	71T75802	SRAM – Synchron, SDR (ZBT)	2.375 V ~ 2.625 V	100-TQFP (14x14)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH betroffen	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Flüchtig	18Mbit	4,2 ns	SRAM	1M x 18	Parallel	-
71V016SA12YGI	-	Anfrage	7666	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage	44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite)	71V016	SRAM – Asynchron	3V ~ 3,6V	44-SOJ	herunterladen				3A991B2B	8542.32.0041	1		Flüchtig	1Mbit	12 ns	SRAM	64K x 16	Parallel	12ns
71V3558SA166BQG	-	Anfrage	9585	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Aktiv	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage	165-TBGA	71V3558	SRAM – Synchron, SDR (ZBT)	3.135 V ~ 3.465 V	165-CABGA (13x15)	herunterladen				3A991B2A	8542.32.0041	17	166 MHz	Flüchtig	4,5 Mbit	3,5 ns	SRAM	256K x 18	Parallel	-
71V546X5S133PFG	-	Anfrage	5205	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage	100-LQFP	71V546	SRAM – Synchron, SDR (ZBT)	3.135 V ~ 3.465 V	100-TQFP (14x20)	-	Nicht zutreffend	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert			1	133 MHz	Flüchtig	4,5 Mbit	4,2 ns	SRAM	128K x 36	Parallel	-
71V424S15YI	-	Anfrage	2568	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage	36-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite)	71V424	SRAM – Asynchron	3V ~ 3,6V	36-SOJ	-	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH betroffen	3A991B2A	8542.32.0041	1		Flüchtig	4Mbit	15 ns	SRAM	512K x 8	Parallel	15ns

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