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Speicher (4449)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	SPANNUNG - Verrorane	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergrö	Zugriffszeit	Speicherformat	Speicherorganisation	Speicherschnittstelle	Zykluszeitscheiben - Würze, Site	Controller -typ	SIC -Programmierbar
CY62256L-70SNCT	1.5800	RFQ	13	Cypress Semiconductor Corp	MBL®	Schüttgut	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	28-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit)	Cy62256	SRAM - Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V.	28-soic	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	256Kbit	70 ns	Sram	32k x 8	Parallel	70ns
S40410161B1B1I013	- - -	RFQ	4386	Cypress Semiconductor Corp	E.MMC 1B1	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	153-VFBGA	S40410161	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V.	153-VFBGA	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	1.900	200 MHz	Nicht Flüchtig	16gbit		Blitz	2g x 8	Parallel	- - -
CY7C68034-56LTXI	30.1600	RFQ	115	Cypress Semiconductor Corp	EZ-USB NX2LP-FLEX ™	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C.	Oberflächenhalterung	56-VFQFN ExpositionSpad	CY7C68034		3v ~ 3,6 V	56-QFN-EP (8x8)	Herunterladen							10									Nand Flash - USB
Cy62147ev18ll-55BVxit	- - -	RFQ	8961	Cypress Semiconductor Corp	MBL®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-VFBGA	Cy62147	SRAM - Asynchron	1,65 V ~ 2,25 V.	48-VFBGA (6x8)	Herunterladen							62		Flüchtig	4mbit	55 ns	Sram	256k x 16	Parallel	55ns		Nicht Verifiziert
CY7C1415BV18-200BZC	44.8600	RFQ	558	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	Cy7C1415	SRAM - Synchron, Qdr II	1,7 V ~ 1,9 V.	165-FBGA (15x17)	Herunterladen	Rohs Nick Konform				3a991b2a	8542.32.0041	7	200 MHz	Flüchtig	36Mbit		Sram	1m x 36	Parallel	- - -		Nicht Verifiziert
CY62137CV30LL-55BVIT	1.3500	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	MBL®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-VFBGA	Cy62137	SRAM - Asynchron	2,7 V ~ 3,3 V.	48-VFBGA (6x8)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	3 (168 Stunden)	Verkäfer undefiniert		3a991b2a	8542.32.0041	1		Flüchtig	2mbit	55 ns	Sram	128k x 16	Parallel	55ns
CY7C1021BNL-15ZXIT	2.8700	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	Cy7C1021	SRAM - Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				3A991B2B	8542.32.0041	105		Flüchtig	1Mbit	15 ns	Sram	64k x 16	Parallel	15ns		Nicht Verifiziert
S25FL064P0XNFI003	41.6700	RFQ	12	Cypress Semiconductor Corp	FL-P	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-WDFN Exponte Pad	S25FL064	Flash - Nor	2,7 V ~ 3,6 V.	8-Wson (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			2832-S25FL064P0XNFI003-TR			12	104 MHz	Nicht Flüchtig	64Mbit		Blitz	8m x 8	Spi - quad i/o	5µs, 3 ms		Nicht Verifiziert
CY7C1313TV18-167BZC	39.8800	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Tasche	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	CY7C1313	SRAM - Synchron, Qdr II	1,7 V ~ 1,9 V.	165-FBGA (13x15)	- - -	Nicht Anwendbar				3a991b2a		8	167 MHz	Flüchtig	18mbit		Sram	1m x 18	Parallel	- - -		Nicht Verifiziert
CY7C1460AV25-250AXC	57.3500	RFQ	11	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	Cy7C1460	SRAM - Synchron, SDR	2.375 V ~ 2,625 V.	100-TQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				3a991b2a	8542.32.0041	72	250 MHz	Flüchtig	36Mbit	2.6 ns	Sram	1m x 36	Parallel	- - -		Nicht Verifiziert
CYK001M16ZCCAU-70BAIT	0,6800	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Schüttgut	Veraltet	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-tfbga	CYK001M16	Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,3 V.	48-FBGA (6x8)	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen	2156-CYK001M16ZCCAU-70BAIT	3a991	8542.32.0041	1		Flüchtig	16mbit	70 ns	Psram	1m x 16	Parallel	70ns
CY14E256L-SZ35XI	- - -	RFQ	5959	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	32-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit)	Cy14e256	NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM)	4,5 V ~ 5,5 V.	32-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8542.32.0041	22		Nicht Flüchtig	256Kbit	35 ns	NVSRAM	32k x 8	Parallel	35ns		Nicht Verifiziert
CYD02S36V-133BBI	75,6000	RFQ	48	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	256-lbga		SRAM - Dual -Port, Asynchron, Standard	3,135 V ~ 3,465V	256-FBGA (17x17)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	3 (168 Stunden)	Reichweiite Betroffen		3a991b2a	8542.32.0041	1	133 MHz	Flüchtig	2mbit	5 ns	Sram	64k x 36	Parallel	- - -
CY7C1380D-167AXC	25.1400	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	CY7C1380	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,6 V.	100-TQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			2832-CY7C1380D-167AXC			20	167 MHz	Flüchtig	18mbit	3.4 ns	Sram	512k x 36	Parallel	- - -		Nicht Verifiziert
Cy14b256i-sfxit	7.2800	RFQ	948	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe)	Cy14b256	NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM)	2,7 V ~ 3,6 V.	16-soic	Herunterladen							42	3,4 MHz	Nicht Flüchtig	256Kbit		NVSRAM	32k x 8	I²c	- - -		Nicht Verifiziert
CY7C1472V33-167aces	- - -	RFQ	6365	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	Schüttgut	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	Cy7C1472	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,6 V.	100-TQFP (14x20)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	3 (168 Stunden)	Verkäfer undefiniert		3a991b2a	8542.32.0041	1	167 MHz	Flüchtig	72Mbit	3.4 ns	Sram	4m x 18	Parallel	- - -
S29GL01GT12TFVV20	- - -	RFQ	6779	Cypress Semiconductor Corp	GL-t	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit)	S29GL01	Flash - Nor	1,65 V ~ 3,6 V.	56-tsop	Herunterladen							1		Nicht Flüchtig	1Gbit	120 ns	Blitz	128 MX 8	Parallel	60ns		Nicht Verifiziert
S26KL128SDABHI030	4.8600	RFQ	762	Cypress Semiconductor Corp	Hyperflash ™ Kl	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	24-vbga	S26KL128	Flash - Nor	2,7 V ~ 3,6 V.	24-FBGA (6x8)	Herunterladen							62	100 MHz	Nicht Flüchtig	128mbit	96 ns	Blitz	16 mx 8	Parallel	- - -		Nicht Verifiziert
S29GL256P10FFI022	6.0400	RFQ	9913	Cypress Semiconductor Corp	GL-P	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	64-lbga	S29GL256	Flash - Nor	2,7 V ~ 3,6 V.	64-FBGA (13x11)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			2832-S29GL256P10FFI022-TR			42		Nicht Flüchtig	256mbit	100 ns	Blitz	32m x 8	Parallel	100ns		Nicht Verifiziert
S99MS02G20029	- - -	RFQ	3798	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic								- - -		Verkäfer undefiniert				0000.00.0000	1
CY7C1371DV33-133AXI	- - -	RFQ	6011	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	Cy7C1371	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,6 V.	100-TQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen				12	133 MHz	Flüchtig	18mbit	6,5 ns	Sram	512k x 36	Parallel	- - -		Nicht Verifiziert
CY7C1413KV18-333BZC	56.0500	RFQ	228	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	Cy7C1413	SRAM - Synchron, Qdr II	1,7 V ~ 1,9 V.	165-FBGA (13x15)	Herunterladen	Rohs Nick Konform				3a991b2a	8542.32.0041	136	333 MHz	Flüchtig	36Mbit		Sram	2m x 18	Parallel	- - -		Nicht Verifiziert
CY7C1061BV33-8ZC	32.1300	RFQ	14	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Schüttgut	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	Cy7c1061	SRAM - Asynchron	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		3a991b2a	8542.32.0041	1		Flüchtig	16mbit	8 ns	Sram	1m x 16	Parallel	8ns
CG7399am	- - -	RFQ	7088	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Schüttgut	Aktiv								- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert				1
CY7C2564XV18-366BZXC	279.6600	RFQ	87	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Schüttgut	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	Cy7C2564	SRAM - Synchron, Qdr II+	1,7 V ~ 1,9 V.	165-FBGA (13x15)	Herunterladen							2	366 MHz	Flüchtig	72Mbit		Sram	2m x 36	Parallel	- - -		Nicht Verifiziert
CY7C1370BV25-133BGC	15.3700	RFQ	349	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Schüttgut	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	119-Bga	CY7C1370	SRAM - Synchron, SDR	2.375 V ~ 2,625 V.	119-PBGA (14x22)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	3 (168 Stunden)	Reichweiite Betroffen		3a991b2a	8542.32.0041	1	133 MHz	Flüchtig	18mbit	4.2 ns	Sram	512k x 36	Parallel	- - -
CY7C2264XV18-366BZXC	89.6200	RFQ	100	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Schüttgut	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	Cy7C2264	SRAM - Synchron, Qdr II+	1,7 V ~ 1,9 V.	165-FBGA (13x15)	Herunterladen							4	366 MHz	Flüchtig	36Mbit		Sram	1m x 36	Parallel	- - -		Nicht Verifiziert
S27KL0641DABHV020	- - -	RFQ	5448	Cypress Semiconductor Corp	Hyperram ™ Kl	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	24-vbga	S27KL0641	Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V.	24-FBGA (6x8)	Herunterladen							1	100 MHz	Flüchtig	64Mbit	40 ns	Psram	8m x 8	Parallel	- - -		Nicht Verifiziert
CY7C188-25VCT	2.7800	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	- - -	Schüttgut	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit)	Cy7C188	SRAM - Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V.	32-soj	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		3A991B2B	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	288Kbit	25 ns	Sram	32k x 9	Parallel	25ns
S25FS512SAGMFI011	13.5200	RFQ	37	Cypress Semiconductor Corp	Fs-s	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe)	S25FS512	Flash - Nor	1,7 V ~ 2 V	16-soic	Herunterladen	Rohs Nick Konform	Nicht Anwendbar	Verkäfer undefiniert	2832-S25FS512SAGMFI011	3a991b1a	8542.32.0050	37	133 MHz	Nicht Flüchtig	512mbit		Blitz	64m x 8	Spi - quad i/o, qpi	- - -		Nicht Verifiziert

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerlager

Speicher (4449)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²