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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M5M5V108DKV-70HIST | 5.0500 |  | 3 | 0.00000000 | Renesas | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-m5M5V108DKV-70HIST-1833 | 1 | |||||||||||||||||||
 | HN58C256AP10E | - - - | | 5361 | 0.00000000 | Renesas | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-HN58C256AP10E-1833 | 1 | |||||||||||||||||||
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| Hn58v66ati10e | 10.2000 | | 869 | 0.00000000 | Renesas | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-HN58V66ATI10E-1833 | 1 | |||||||||||||||||||
| R1RW0416DSB-2PI#D1 | - - - | | 4616 | 0.00000000 | Renesas | R1rw0416di | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop II | - - - | 2156-R1RW0416DSB-2PI#D1 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 12ns | ||||||||
| R1Q4A3618CBB-33IA0 | 31.0400 | | 6 | 0.00000000 | Renesas | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | R1Q4A3618 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-lbga (13x15) | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-R1Q4A3618CBB-33IA0 | 3a991 | 8542.32.0041 | 1 | 300 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 450 ps | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | ||
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 | M5M5256DFP-70ll#SM | 3.6000 | | 894 | 0.00000000 | Renesas | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-M5M5256DFP-70ll#SM-1833 | 1 | |||||||||||||||||||
| R1LV1616HSA-5SI#B1 | - - - | | 5980 | 0.00000000 | Renesas | R1LV1616HSA-I | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | 2156-R1LV1616HSA-5SI#B1 | 1 | Flüchtig | 16mbit | 55 ns | Sram | 1m x 16, 2m x 8 | Parallel | 55ns | ||||||||
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| Hn58v66at10e | 9.3200 | | 408 | 0.00000000 | Renesas | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-HN58V66AT10E-1833 | 1 | |||||||||||||||||||
| HN58C257AT85E | 13.9800 | | 101 | 0.00000000 | Renesas | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-HN58C257AT85E-1833 | 1 | |||||||||||||||||||
| M5M5V108DVP-70H#BT | 4.6400 | | 6 | 0.00000000 | Renesas | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-M5M5V108DVP-70H#BT-1833 | 1 | |||||||||||||||||||
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| R1WV6416RBG-5SI#B0 | - - - | | 3725 | 0.00000000 | Renesas | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | SRAM - Asynchron | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-TFBGA (8,5x11) | - - - | 2156-R1WV6416RBG-5SI#B0 | 1 | Flüchtig | 64Mbit | 55 ns | Sram | 4m x 16, 8m x 8 | Parallel | 55ns | ||||||||
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| R1Q4A7218ABB-33IA0 | 106,5000 | | 2 | 0.00000000 | Renesas | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | R1Q4A7218 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-lbga (13x15) | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-R1Q4A7218ABB-33IA0 | 3a991 | 8542.32.0041 | 1 | 300 MHz | Flüchtig | 72Mbit | 450 ps | Sram | 4m x 18 | Parallel | - - - | ||
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| R1LP5256ESA-5SI#B1 | - - - | | 4175 | 0.00000000 | Renesas | R1LP5256E | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-tssop (0,465 ", 11.80 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-tsop i | - - - | 2156-R1LP5256esa-5si#B1 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 55 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 55ns | ||||||||
| R1LP0108ESN-5SI#B0 | - - - | | 6051 | 0.00000000 | Renesas | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,450 ", 11.40 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-sout | - - - | 2156-R1LP0108ESN-5SI#B0 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 55ns | ||||||||
| S79FL256SDSMFBG03 | - - - | | 8171 | 0.00000000 | Renesas | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 2156-S79FL256SDSMFBG03 | 1 | |||||||||||||||||||||
| S79FL512SDSMFBG03 | - - - | | 5869 | 0.00000000 | Renesas | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 2156-S79FL512SDSMFBG03 | 1 | |||||||||||||||||||||
| Upd48288236af1-e24-dw1-a | 43.7800 | | 1 | 0.00000000 | Renesas | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-Tbga | Upd48288236 | LDRLAM | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-tfbga (11x18.5) | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-upd48288236af1-E24-DW1-A | Ear99 | 8542.32.0028 | 1 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 500 ps | Dram | 8m x 36 | Hstl | - - - | ||
| R1LV0108ESA-5SI#B1 | - - - | | 1223 | 0.00000000 | Renesas | R1lv0108e | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,7 V ~ 3,6 V. | 32-tsop i | - - - | 2156-r1lv0108esa-5si#B1 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 55ns |
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