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Erinnerung(68)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite | Controller-Typ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 93415FMQB | 27.8400 |  | 3 | 0,00000000 | Nationaler Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||
 | 93L425DMQB40 | 17.0000 | | 27 | 0,00000000 | Nationaler Halbleiter | 93L425 | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 125°C (TC) | Durchgangsloch | 16-CDIP (0,300", 7,62 mm) | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 16-CDIP | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Kbit | 70 ns | SRAM | 1K x 1 | Parallel | 55ns | |||
 | DP8421ATVX-25 | 27.8900 | | 3 | 0,00000000 | Nationaler Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | 0°C ~ 70°C | Oberflächenmontage | 68-LCC (J-Leitung) | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PLCC (25,13 x 25,13) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | EAR99 | 8542.31.0001 | 250 | Dynamischer RAM (DRAM) | ||||||||||||
 | NM27C010N200 | - | | 7769 | 0,00000000 | Nationaler Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Durchgangsloch | 32-DIP (0,600", 15,24 mm) | NM27C010 | EPROM - OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-DIP | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Nicht flüchtig | 1Mbit | 200 ns | EPROM | 128K x 8 | Parallel | - | ||
 | DP8429TD-70 | 86.6600 | | 57 | 0,00000000 | Nationaler Halbleiter | DP8429 | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Durchgangsloch | 52-CDIP-Fenster (0,600 Zoll, 15,24 mm). | 4,5 V ~ 5,5 V | 52-CDIP | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Dynamischer RAM (DRAM) | ||||||||||
| JM38510/23102BFA | 17.4100 | | 507 | 0,00000000 | Nationaler Halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | - | Nicht zutreffend | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
| 93L415FMQB | 16.2300 | | 949 | 0,00000000 | Nationaler Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
 | 93L422DM | 12.0000 | | 200 | 0,00000000 | Nationaler Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 |
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