Der BS170 ist ein MOSFET, das für Hochgeschwindigkeits- und Niederspannungsoperationen optimiert ist. Es bietet eine hervorragende Leistung für das analoge und digitale Signalschalter.
ONSEMI BS170 -Funktionen
• Zelldesign mit hoher Dichte für niedrige RDS (ON)
• Spannungsgesteuerte kleine Signalschalter
• robust und zuverlässig
• hohe Sättigungsstromfähigkeit
• Dies sind pb -freie Geräte
Onsemi BS170 -Anwendungen
• Vielseitig und zuverlässig: Der BS170 ist für jede Aufgabe geeignet, die ein kleines Signal-MOSFET mit Hochgeschwindigkeits- und Niederspannungsoperationen erfordert. Es ist wichtig für Ihre Bedürfnisse, egal ob Sie an analogen oder digitalen Schaltungen arbeiten.
• Ideal für alle Gelegenheiten: Dieses Gerät ist in verschiedenen Einstellungen nützlich, von einfachen bis komplexen Anwendungen. Seine Vielseitigkeit macht es perfekt für den täglichen Gebrauch.
• Geeignet für jede Aufgabe: Die Hochgeschwindigkeits- und Niederspannungsoperationen des BS170 machen es für eine Vielzahl von Aufgaben geeignet, einschließlich analoger und digitaler Signalschalter.
• Perfekt für den täglichen Gebrauch: Dieses Gerät ist so konzipiert, dass es zuverlässig und vielseitig ist und es perfekt für den täglichen Gebrauch in verschiedenen Anwendungen ist.
Onsemi BS170 -Attribute
| Typ | Beschreibung |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETS, MOSFETS Single FETs, MOSFETs |
| Mfr | Onsemi |
| Verpackung | Schüttgut |
| Teilstatus | Aktiv |
| FET -Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS) | 60 v |
| Strom - kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | 500 mA (TA) |
| Antriebsspannung (maximale RDS an, min RDS eins) | 10V |
| Rds on (max) @ id, vgs | 5ohm @ 200 mA, 10V |
| Vgs (th) (max) @ id | 3V @ 1ma |
| VGS (max) | ± 20 V |
| Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | 40 PF @ 10 V |
| Leistungsdissipation (max) | 830 MW (TA) |
| Betriebstemperatur | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| Montagetyp | Durch Loch |
| Lieferantengerätepaket | To-92-3 |
| Paket / Fall | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) |
| Grundproduktnummer | BS170 |
Onsemi BS170 -Kategorie - MOSFETs
MOSFET (Metall - Oxid - Halbleiterfeld - EFEffect -Transistor) ist ein Halbleitergerät, das für Schaltzwecke weit verbreitet ist, und die Verstärkung elektronischer Signale in elektronischen Geräten. Aufgrund der sehr geringen Größe von MOSFETs können sie entweder der Kern oder eine integrierte Schaltung sein und können in einem einzigen Chip entworfen und hergestellt werden. Die Einführung von MOSFET -Geräten hat Änderungen am Bereich der elektronischen Schaltung geführt.
Arten von MOSFETs
Die Mainstream -MOSFETs sind hauptsächlich in vier Kategorien unterteilt: planare Power -MOSFETs, Graben -Leistungs -MOSFETs, Super -Junction -Power -MOSFETs und abgeschirmt - Gate Power MOSFets (SGT).
(1) Planare Power MOSFETs: Sie sind in den 1970er Jahren aufgetaucht. Sie sind leicht zu fahren und haben eine hohe Betriebsfrequenz, aber der Chipbereich ist relativ groß und die Verluste sind hoch.
(2) Trench Power MOSFets: Sie kamen in den 1980er Jahren heraus. Sie sind leicht zu fahren, haben eine hohe Betriebsfrequenz, eine gute thermische Stabilität und niedrige Verluste, aber der Spannungswiderstand ist gering.
(3) Super - Junction Power MOSFets: Sie erschienen in den 1990er Jahren. Sie sind leicht zu fahren, haben eine Ultra -Hochfrequenz und extrem geringe Verluste. Sie sind die neueste Generation von Leistungsgeräten.
(4) Schirded - Gate Power MOSFets (Sgt): Sie sind im 21. Jahrhundert entstanden. Sie brechen die Siliziumgrenze und reduzieren den Eingangswiderstand und den Schaltverlust der Geräte erheblich.
Häufige Anwendungen von MOSFETs
(1) Einer der Hauptantragsbereiche: Ladepfaden
Ladepfähle werden als eines der sieben "neuen Infrastruktur" -Felder in China aufgeführt. Öffentliche Ladungstapel werden von Institutionen mit öffentlicher Dienste wie Regierungsbehörden eingerichtet, und die Serviceobjekte sind alle Eigentümer von Elektrofahrzeugen. Von 2015 bis 2019 stieg die Zahl der öffentlichen Ladestapel in China von 58.000 auf 516.000, wobei die jährliche Wachstumsrate von 72,9%entzog.
(2) Einer der Hauptanwendungsbereiche: 5G -Basisstationen
In Bezug auf die Bauweite von 5G -Basisstationen am 15. Dezember 2020 in der China Academy of Information and Communications Technology (CAICT) in der China Academy of Information and Communications Technology (CACT) in der Tiefenbeobachtung wies ein Sprecher des Ministeriums für Industrie und Informationstechnologie darauf hin, dass China kumulativ 718.000 5G -Basisstationen erfunden und die CO -Konstruktion und das Teilen von 330.000 5G -Basisstationen gefördert haben.
(3) Einer der wichtigsten Anwendungsbereiche: Anträge für Kfz -Note
Um die Energieumwandlung und -übertragung zu erreichen, wurden neue Komponenten wie motorische Steuerungssysteme, DC/DC -Module, hohe Spannungshilfsantriebe, Ladesysteme (OBC) und Stromverwaltungen zu neuen Energiefahrzeugen hinzugefügt, und der Inhalt der Power -Halbleiter in ihnen wurde stark erhöht. In Bezug auf Halbleitertypen können die Halbleiter des Automobils grob in Power -Halbleiter (wie IGBTs und MOSFETs), MCUs, Sensoren und andere Komponenten unterteilt werden.
BS170 -Hersteller - Onsemi
Onsemi treibt energieeffiziente Innovationen vor und befähigt Kunden, den globalen Energieverbrauch zu verringern. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio an energieeffizienten Strom- und Signalmanagement-, Logik-, diskreten und kundenspezifischen Lösungen an, mit denen Designingenieure ihre einzigartigen Designherausforderungen in Automobil-, Kommunikations-, Computer-, Verbraucher-, Industrie-, LED -Beleuchtung, medizinischen, militärischen/Luft- und Raumfahrt- und Stromversorgungsanwendungen lösen können. Onsemi betreibt ein reaktionsschnelles, zuverlässiges, erstklassiges Lieferketten- und Qualitätsprogramm sowie ein Netzwerk von Fertigungseinrichtungen, Verkaufsbüros und Designzentren in Schlüsselmärkten in Nordamerika, Europa und den Regionen Asien-Pazifiks.
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