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Diskette HalblerProdukte (31214)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX384C30-HE3-18 | 0,0341 |  | 6647 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384C30 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 na @ 21 v | 30 v | 80 Ohm | ||||||||||||||
 | VS-30CTQ060SRR-M3 | 1.0487 | | 5982 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 30ctq060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 15a | 620 mv @ 15 a | 800 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | VF30120C-E3/4W | 2.2800 | | 7249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | VF30120 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 15a | 970 mv @ 15 a | 800 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | VT3045BP-M3/4W | 1.6100 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | VT3045 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VT3045BPM34W | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 700 mv @ 30 a | 2 ma @ 45 v | 200 ° C (max) | 30a | - - - | |||||||||||
 | BZD27B15P-M3-08 | 0,4200 | | 6689 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 11 V | 15 v | 10 Ohm | |||||||||||||
 | V40D60C-M3/i | 1.8600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | V40D60 | Schottky | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 620 mv @ 20 a | 4 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | SS2P3L-E3/85A | - - - | | 4406 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS2P3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 2 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||
| VS-HFA25TB60-M3 | 1.8900 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | HFA25 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2 V @ 50 a | 75 ns | 20 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - - - | |||||||||||
 | SBYV28-150-E3/73 | - - - | | 4741 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SBYV28 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,1 V @ 3,5 a | 20 ns | 5 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3.5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| VS-80-7897 | - - - | | 2930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 80-7897 | - - - | 112-VS-80-7897 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| SD103CWS-E3-08 | 0,3800 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | SD103 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 10 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 350 Ma | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||
 | 3N253-E4/51 | - - - | | 1306 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Veraltet | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | 3n253 | Standard | Kbpm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 V @ 3.14 a | 5 µa @ 50 V | 2 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||
| BZX384C7V5-G3-08 | 0,0389 | | 9175 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx384-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384C7V5 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | ||||||||||||||
 | Vsib2560-e3/45 | - - - | | 9102 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GSIB-5S | Vsib2560 | Standard | GSIB-5S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 600 V | 3.5 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||
| VS-VS24CSR06L | - - - | | 1666 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Vs24 | - - - | 112-VS-VS24CSR06L | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | V12PM63HM3/H | 0,7500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 650 mv @ 12 a | 30 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 4.6a | 2400pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
| V8pm63-m3/h | 0,6300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 640 mv @ 8 a | 20 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 4.3a | 1460pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | VS-30BQ015-M3/9AT | 0,9600 | | 47 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | 30BQ015 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 15 v | 350 mV @ 3 a | 4 ma @ 15 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 1120pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||
 | VI10150S-E3/4W | 0,5671 | | 8013 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | VI10150 | Schottky | To-262aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,2 V @ 10 a | 150 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||
| VS-80-5049 | - - - | | 6781 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 80-5049 | - - - | 112-VS-80-5049 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | SS1H9-E3/61T | 0,3900 | | 49 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS1H9 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 770 mv @ 1 a | 1 µa @ 90 V | 175 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||||
 | V10PL63HM3/H | 0,8200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V10PL63 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 530 mv @ 10 a | 250 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 2100pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
| V8pm45-m3/i | 0,2393 | | 3928 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V8PM45 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 600 mv @ 8 a | 200 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 1450pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| BZD27C3V9P-HE3-18 | 0,1561 | | 2284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27C3V9 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 50 µa @ 1 V | 3,9 v | 8 Ohm | |||||||||||||
| BZX384B36-G3-08 | 0,0445 | | 1696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx384-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384B36 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 NA @ 25.2 V. | 36 v | 90 Ohm | ||||||||||||||
| VSIB15A20-E3/45 | - - - | | 9697 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GSIB-5S | Vsib15 | Standard | GSIB-5S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 7.5 a | 10 µA @ 200 V. | 3.5 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||
 | BZT52C30-E3-08 | 0,2700 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C30 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 NA @ 22,5 V. | 30 v | 35 Ohm | ||||||||||||||
| VS-25CTQ035SRL-M3 | 0,8993 | | 5675 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 25ctq035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 15a | 560 mv @ 15 a | 1,75 mA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | SE30NGHM3/i | 0,4500 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 2-vdfn | Standard | DFN3820A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 3 a | 1,5 µs | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 19PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | V60dm63chm3/i | 2.8700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | V60DM63 | Schottky | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 30a | 700 mv @ 30 a | 55 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. |
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