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Diskette HalblerProdukte (31214)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-16CTQ100SHM3 | 0,8712 |  | 5638 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 16CTQ100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 8a | 720 mv @ 8 a | 550 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
 | BZG05C24-HM3-08 | 0,4200 | | 682 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,83% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05C24 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 18 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||||||
| BZG05C15-HE3-TR3 | - - - | | 7987 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 v | 15 v | 15 Ohm | ||||||||||||
 | V1fm12-m3/i | 0,0592 | | 8110 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | V1fm12 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-V1FM12-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 120 v | 870 mv @ 1 a | 65 µa @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 95PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | Tzx8v2b-tr | 0,0292 | | 4533 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TZX | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Tzx8v2 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,2 V. | 8.2 v | 20 Ohm | ||||||||||||
 | VS-30CPU04PBF | - - - | | 9869 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-3 | 30cpu04 | Standard | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 15a | 1,25 V @ 15 a | 60 ns | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
 | MMSZ4707-HE3-08 | 0,2800 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4707 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 Na @ 15,2 V. | 20 v | ||||||||||||||
 | V60dm45chm3/i | 2.3300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | V60DM45 | Schottky | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 30a | 680 mv @ 30 a | 1,1 mA @ 45 v | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
 | RS2J-E3/5BT | 0,4200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | RS2J | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1,5 a | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 17pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | BZX85C75-TAP | 0,3800 | | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85C75 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 NA @ 56 V | 75 V | 135 Ohm | |||||||||||||
| BZX85B4V7-TAP | 0,3800 | | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85B4V7 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 3 µa @ 1 V | 4,7 v | 13 Ohm | |||||||||||||
 | MBR1045/45 | - - - | | 5999 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | MBR104 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 840 mv @ 20 a | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||
 | VSSAF515-M3/i | 0,1073 | | 1578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS®, Slimsma ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | SAF515 | Schottky | Do-221AC (Slimsma) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,1 V @ 5 a | 200 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 280pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
| US1JHE3/5AT | - - - | | 1665 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | US1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | AZ23B6V2-G3-18 | 0,0594 | | 6123 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | AZ23-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23B6V2 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 2 v | 6.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||
 | BZW03C47-TAP | - - - | | 6196 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZW03 | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,2 V @ 1 a | 2 µa @ 36 V | 47 v | 25 Ohm | ||||||||||||
| SML4759AHE3/5A | - - - | | 2510 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4759 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA @ 47,1 V. | 62 v | 125 Ohm | |||||||||||||
| Ss1fl4-m3/i | 0,1409 | | 2790 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS1FL4 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 115PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | TZM5228C-GS18 | - - - | | 4683 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5228 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 3,9 v | 23 Ohm | ||||||||||||
 | SS2P5-M3/85A | 0,1130 | | 5378 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS2P5 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 100 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | VS-8EWS12SPBF | - - - | | 8492 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 8ews12 | Standard | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS8EWS12SPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,1 V @ 8 a | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
| DZ23C5v6-HE3-08 | 0,0436 | | 3118 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, DZ23 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 na @ 1 v | 5.6 v | 40 Ohm | ||||||||||||
 | PLZ36C-G3/H | 0,3200 | | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ36 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 27 v | 36 v | 75 Ohm | ||||||||||||
| MMBZ5237B-G3-08 | - - - | | 4864 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5237 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 3 µA @ 6,5 V. | 8.2 v | 6 Ohm | |||||||||||||
| SS1P3-E3/85A | - - - | | 3628 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS1P3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 150 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||
| AU1PJHM3/84A | 0,1914 | | 8370 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | Au1 | Lawine | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 1 a | 75 ns | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 11pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
| BZD27C30P-HE3-18 | 0,1536 | | 6577 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27C30 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 22 V. | 30 v | 15 Ohm | ||||||||||||
| AZ23C11-G3-18 | 0,0483 | | 5104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | AZ23-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C11 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 Na @ 8,5 V. | 11 v | 20 Ohm | ||||||||||||
 | BAS285-GS18 | 0,4000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | Bas285 | Schottky | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 2,3 µa @ 25 V. | 125 ° C (max) | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||
 | VS-10ETS08FP-M3 | 2.3200 | | 978 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | 10ETS08 | Standard | To-220-2 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 10 a | 50 µa @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - |
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