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Diskette HalblerProdukte (31214)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ES1A-E3/61T | 0,4000 |  | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | SMBZ5920B-E3/52 | 0,4400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBZ5920 | 3 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1,5 V @ 200 Ma | 200 µA @ 4 V. | 6.2 v | 2 Ohm | ||||||||||||||
 | V40DM153Chm3/i | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | Schottky | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 1,12 V @ 20 a | 150 µa @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||
| BZG05C18-HE3-TR3 | - - - | | 3393 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 na @ 13 v | 18 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
 | BZX85C18-TAP | 0,3800 | | 23 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85C18 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 na @ 13 v | 18 v | 20 Ohm | |||||||||||||||
| ES1DHM3_A/i | 0,1049 | | 6006 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-es1dhm3_a/itr | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
 | V1FM10HM3/H | 0,4300 | | 147 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | V1fm10 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 770 mv @ 1 a | 50 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 95PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
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| BZD27C18P-M3-08 | 0,1650 | | 1935 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27-m | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 13 V | 18 v | 15 Ohm | ||||||||||||||
 | Fesf16fthe3_a/p | 1.1055 | | 1143 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | FESF16 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 16 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||||
| BZG03C15-M3-08 | 0,5000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG03C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03C15 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 11 V | 15 v | 10 Ohm | ||||||||||||||
 | VS-20CTQ040-N3 | - - - | | 6794 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | 20CTQ040 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS-20CTQ040-N3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 20a | 760 mv @ 20 a | 2 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
 | VS-S627B | - - - | | 8141 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | S627B | - - - | 112-VS-S627B | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BU1210-E3/51 | 1.1466 | | 3196 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, bu | BU1210 | Standard | ISOCINK+™ BU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1,05 V @ 6 a | 5 µA @ 1000 V | 3.4 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||
| VF30202C-M3/4W | 1.5645 | | 3836 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | VF30202 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 15a | 880 mv @ 15 a | 250 µa @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
| Zpy30-tr | 0,3700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | ZPY30 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 NA @ 22,5 V. | 30 v | 10 Ohm | |||||||||||||||
| SML4741-E3/5A | 0,1733 | | 7142 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4741 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µa @ 8,4 V | 11 v | 8 Ohm | |||||||||||||||
 | SS210-E3/52T | 0,4400 | | 135 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SS210 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 750 mV @ 1 a | 30 µA @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||||||
| BA159GP-E3/73 | 0,5600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Ba159 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | V20K202-m3/i | 0,5082 | | 6575 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-V20K202-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,02 V @ 20 a | 100 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 165 ° C. | 3.2a | 800PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | Fepb16dthe3_a/p | 1.1550 | | 5197 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fepb16 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 8a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | SE10DTG-M3/i | 1.1300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | Standard | Smpd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,15 V @ 10 a | 3 µs | 15 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.9a | 67PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
| MBRB3045CThe3/81 | - - - | | 8290 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB30 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 600 mv @ 20 a | 1 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
 | AZ23B5V1-E3-18 | 0,0509 | | 1690 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23B5V1 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 800 mv | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||||
 | BZT52B20-G3-08 | 0,3600 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B20 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 15 V | 20 v | 50 Ohm | |||||||||||||||
| UGB10BCThe3_A/p | - - - | | 7433 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Standard | To-263ab | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-ugb10bcthe3_a/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 5a | 1,1 V @ 5 a | 25 ns | 10 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
 | FGP50DHE3/73 | - - - | | 4885 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | FGP50 | Standard | GP20 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 5 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 100pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
| MMBZ4684-HE3-18 | - - - | | 2226 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ4684 | 350 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 7,5 µa @ 1,5 V | 3.3 v | ||||||||||||||||
 | V30120CI-M3/p | 1.4500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | V30120 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-V30120CI-M3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 15a | 900 mv @ 15 a | 500 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | BZW03C11-TR | - - - | | 9215 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZW03 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,2 V @ 1 a | 15 µa @ 8,2 V | 11 v | 2,5 Ohm |
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