- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Diskette HalblerProdukte (31214)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5221b-t | - - - |  | 8529 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5221 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1N5221B-TGI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 2,4 v | 1200 Ohm | |||||||||||
 | V40dm63chm3/i | 2.4600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | V40DM63 | Schottky | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 680 mv @ 20 a | 40 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
 | V10K60C-M3/h | 0,3368 | | 4424 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10K60C-M3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 4.6a | 590 mv @ 5 a | 900 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | V2PL45L-M3/H | 0,4000 | | 744 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | V2PL45 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 530 mv @ 2 a | 300 µa @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 390pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | VI40100G-M3/4W | 0,9691 | | 9994 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | VI40100 | Schottky | To-262aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 810 mv @ 20 a | 500 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | V2NM153-m3/h | 0,4000 | | 5181 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 2-vdfn | V2NM153 | Schottky | DFN3820A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-V2NM153-M3/h | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 970 mv @ 2 a | 20 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 1.7a | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | VS-73-4378 | - - - | | 5976 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 112-VS-73-4378 | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | SMAZ5920B-M3/5A | 0,1073 | | 8351 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAZ5920 | 500 MW | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 µA @ 4 V. | 6.2 v | 2 Ohm | |||||||||||
| ESH1PCHM3/85A | 0,1681 | | 7196 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | Esh1 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 900 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | V10pwl45HM3/i | 0,3531 | | 5284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10PWL45HM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 520 mv @ 10 a | 1,5 mA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 2190pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | VS-E5th1506S2L-M3 | 1.7600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® G5 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 15 a | 31 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | ||||||||||
 | SD101AW-HE3-08 | 0,3500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SD101 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 60 v | 1 V @ 15 mA | 1 ns | 200 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 30 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
 | VS-8ETH06FP-N3 | 2.1400 | | 988 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | 8eth06 | Standard | To-220-2 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,4 V @ 8 a | 25 ns | 50 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||||||||
 | VS-3EGU06WHM3/5BT | 0,1769 | | 4597 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 3EGU06 | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,35 V @ 3 a | 65 ns | 3 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||
 | VS-12CTQ045SRR-M3 | 0,6811 | | 1253 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 12CTQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 6a | 600 mv @ 6 a | 800 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
| VS-68-5510PBF | - - - | | 4766 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 68-5510 | - - - | 112-VS-68-5510PBF | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| Vs-8eth06strlhm3 | 0,9063 | | 6414 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 8eth06 | Standard | To-263 (D2pak) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,4 V @ 8 a | 22 ns | 50 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||
| VS-20ETF12STRL-M3 | 1.6150 | | 4624 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 20ETF12 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,31 V @ 20 a | 400 ns | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | |||||||||
 | EGP20F-E3/73 | - - - | | 7254 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | EGP20 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 45PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | BYW35-tr | 0,2871 | | 9506 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | SOD-57, axial | BYW35 | Lawine | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,1 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | |||||||||
 | BYQ28EF-200HE3_A/P. | - - - | | 1214 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | BYQ28 | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 5a | 1,1 V @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
| BYWB29-100-E3/81 | 0,8147 | | 4904 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | BYWB29 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 20 a | 25 ns | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||
| V15K60Chm3/i | 0,4973 | | 7483 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-V15K60Chm3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 5a | 590 mV @ 7,5 a | 1,1 mA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | BZD27C7V5P-E3-08 | 0,5300 | | 5996 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27C7V5 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 50 µa @ 3 V | 7,5 v | 2 Ohm | |||||||||||
 | By299p-e3/54 | - - - | | 1219 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Bis 299 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 3 a | 500 ns | 10 µa @ 800 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 28PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| SSA24-E3/5AT | 0,4100 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SSA24 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 490 mv @ 2 a | 200 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||
| SS1FL4HM3/i | 0,1069 | | 9451 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS1FL4 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 115PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| MBRB16H60HE3/45 | - - - | | 8305 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB16 | Schottky | To-263ab (d²pak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 730 mv @ 16 a | 100 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||
 | MMBZ5265C-G3-18 | - - - | | 7774 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5265 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 NA @ 47 V | 62 v | 185 Ohm | ||||||||||||
| VB40100G-E3/8W | 1.1831 | | 1534 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | VB40100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 810 mv @ 20 a | 500 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)