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Diskette HalblerProdukte (31214)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBZ5253C-G3-08 | - - - |  | 7076 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5253 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 19 V | 25 v | 35 Ohm | ||||||||||||
 | SS2P3HE3/85A | - - - | | 4457 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q100, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS2P3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 2 a | 150 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||
 | SML4747HE3/61 | - - - | | 6392 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4747 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 15,2 V | 20 v | 22 Ohm | ||||||||||||
 | SS22S-E3/61T | 0,1002 | | 3881 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SS22 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 2 a | 200 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||
 | SD103A-tr | 0,3500 | | 45 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | SD103 | Schottky | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 30 V | 125 ° C (max) | - - - | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||
 | VS-VSKJ56/06 | 36.2300 | | 9423 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Add-a-Pak (3) | VSKJ56 | Standard | Add-a-Pak® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSVSKJ5606 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 600 V | 30a | 10 mA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | V10P22C-M3/i | 0,3465 | | 4425 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10P22C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 3.2a | 930 mv @ 5 a | 100 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
 | AU3PJHM3/87A | - - - | | 1436 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Au3 | Lawine | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,9 V @ 3 a | 75 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.7a | 72pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | V30DM153Chm3/i | 1.9300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | Schottky | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 15a | 960 mv @ 15 a | 100 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
 | VS-SD303C25S20C | 116.8133 | | 7634 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Klemmen | DO-200AA, A-Puk | SD303 | Standard | DO-200AA, A-Puk | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2500 V | 2,26 V @ 1100 a | 2 µs | 35 mA @ 2500 V | 350a | - - - | ||||||||||
| RGP02-17E-M3S/73 | - - - | | 1708 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP02 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1700 v | 1,8 V @ 100 mA | 300 ns | 5 µa @ 1700 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | - - - | |||||||||
| BYS10-25HE3/Tr | - - - | | 5175 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BYS10 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 25 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 25 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | ||||||||||
 | 1N4935GP-M3/54 | - - - | | 1068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4935 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| V10pm63-m3/i | 0,2549 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10pm63-m3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 650 mv @ 10 a | 25 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 4,5a | 2060pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | BZX584C30-HG3-08 | 0,0532 | | 6700 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX584C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 50 na @ 21 v | 30 v | 30 Ohm | ||||||||||||
| BZG05B39-E3-TR3 | - - - | | 2508 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05B | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 na @ 30 v | 39 v | 50 Ohm | ||||||||||||
| BZX85C16-TR | 0,3800 | | 17 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85C16 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 NA @ 12 V. | 16 v | 15 Ohm | ||||||||||||
| SML4728-E3/61 | - - - | | 4739 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4728 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | ||||||||||||
 | MMSZ4682-HE3-08 | 0,2900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4682 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µa @ 1 V | 2,7 v | |||||||||||||
| MMBZ5245B-E3-08 | 0,2100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5245 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 11 v | 15 v | 600 Ohm | ||||||||||||
 | BZD27B5V6P-E3-08 | 0,1155 | | 6049 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27B | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27B5v6 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 2 V | 5.6 v | 4 Ohm | |||||||||||
| V2PM6L-M3/i | 0,0820 | | 3117 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | V2PM6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-V2PM6L-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 630 mv @ 2 a | 200 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 250pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | VBT3060G-E3/4W | 0,5483 | | 2959 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | VBT3060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 15a | 730 MV @ 15 a | 850 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
| BZG03C110TR3 | - - - | | 4512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG03C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 82 V | 110 v | 250 Ohm | |||||||||||
 | VS-30CPU04-N3 | 6.5200 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | 30cpu04 | Standard | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 15a | 1,25 V @ 15 a | 46 ns | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
| VS-15ETL06STRL-M3 | 0,7343 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 15tl06 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,05 V @ 15 a | 270 ns | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | |||||||||
 | GDZ20B-HG3-08 | 0,0523 | | 2943 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, GDZ-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz20 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 15 V | 20 v | 85 Ohm | ||||||||||||
 | V10PW60C-M3/i | 0,3394 | | 5511 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10PW60C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 5a | 610 mv @ 5 a | 600 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | RGP15BHE3/73 | - - - | | 4348 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | RGP15 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||
| GDZ15B-HE3-08 | 0,2800 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, GDZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz15 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 11 v | 15 v | 42 Ohm |
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