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Diskette HalblerProdukte (31214)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Diodentyp	Spannung - Peak Reverse (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Eingabekapazität (cies) @ vce
SMBZ5933B-E3/5B	0,1676	RFQ	4020	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-214aa, SMB	SMBZ5933		3 w		Do-214AA (SMBJ)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.200						1,5 V @ 200 Ma		1 µA @ 16,7 V												22 v	17,5 Ohm
BZW03C7V5-TR	- - -	RFQ	2676	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	BZW03	Band & Rollen (TR)	Veraltet	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	SOD-64, axial	BZW03		1,85 w		SOD-64	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	12.500						1,2 V @ 1 a		1,5 mA @ 5.6 V.												7,5 v	1,5 Ohm
VS-10TQ045-M3	1.1800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Aktiv			K. Loch	To-220-2	10TQ045	Schottky			To-220ac	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		45 V		670 mv @ 20 a		2 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C.	10a	900pf @ 5v, 1 MHz
SMZJ3789BHE3/5B	- - -	RFQ	7065	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-214aa, SMB	Smzj37		1,5 w		Do-214AA (SMBJ)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.200								50 µa @ 7,6 V												10 v	5 Ohm
MBRB2535CT-E3/81	- - -	RFQ	4657	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	MBRB25	Schottky			To-263ab (d²pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	800		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	1 Paar Gemeinsamer Kathode	35 V	15a	820 mv @ 30 a		200 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
V4P22Chm3/h	0,7200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-277, 3-Powerdfn		Schottky			To-277a (SMPC)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1.500		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	1 Paar Gemeinsamer Kathode	200 v	2.8a	870 mv @ 2 a		50 µa @ 200 V.	-40 ° C ~ 175 ° C.
GP10-4004-E3/54	0,1780	RFQ	3331	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial	GP10	Standard			DO-204AL (DO-41)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	5.500		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)		400 V					- - -	1a	- - -
VS-70MT060WHTAPBF	- - -	RFQ	6381	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Tablett	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	12-MTP-Modul	70MT060		347 w	Standard	MTP	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VS70MT060WHTAPBF	Ear99	8541.29.0095	105	Halbbrücke											Npt	600 V	100 a	3,4 V @ 15V, 140a			700 µA	NEIN			8 NF @ 30 V
SE8D30D-M3/i	0,4100	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	Do-221AC, SMA Flat Leads		Standard			Slimsmaw (Do-221ad)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	14.000		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)		200 v		1,1 V @ 3 a	1,2 µs	10 µA @ 200 V.	-55 ° C ~ 175 ° C.	3a	19PF @ 4V, 1 MHz
VS-MBRB1045TRR-M3	0,6042	RFQ	1893	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	MBRB1045	Schottky			To-263ab (d²pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	800		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		45 V		570 mv @ 10 a		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	10a	600PF @ 5V, 1 MHz
MMBZ5230B-E3-18	- - -	RFQ	8880	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	MMBZ5230		225 MW		SOT-23-3	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	10.000								5 µa @ 2 V.												4,7 v	19 Ohm
BZX584C3V6-G3-08	0,3000	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	BZX584C	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-79, SOD-523	BZX584C		200 MW		SOD-523	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	8.000								5 µa @ 1 V												3.6 V	85 Ohm
MMBZ5251B-G3-18	- - -	RFQ	6275	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	MMBZ5251		225 MW		SOT-23-3	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	10.000								100 na @ 17 v												22 v	29 Ohm
GL34J-E3/83	0,4100	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Superectifier®	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	Do-213AA (GLAS)	GL34	Standard			Do-213AA (GL34)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	9.000		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)		600 V		1,3 V @ 500 mA	1,5 µs	5 µa @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	500 mA	4PF @ 4V, 1 MHz
SD103AW-G3-18	0,4000	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SOD-123	SD103	Schottky			SOD-123	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	10.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		40 v		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µa @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C.	350 Ma	50pf @ 0v, 1 MHz
LL4151-M-08	0,0281	RFQ	2055	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LL4151	Standard			SOD-80 Minimelf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	12.500		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		50 v		1 V @ 50 Ma	4 ns	50 na @ 50 v	175 ° C (max)	300 ma	2PF @ 0V, 1MHz
VT3045CBP-M3/4W	1.1294	RFQ	8779	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	TMBS®	Rohr	Aktiv			K. Loch	To-220-3	VT3045	Schottky			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	1 Paar Gemeinsamer Kathode	45 V	15a	570 mv @ 15 a		2 ma @ 45 v	200 ° C (max)
DZ23C22-HE3_A-08	- - -	RFQ	9245	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automobil, AEC-Q101, DZ23	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			300 MW		SOT-23-3	Herunterladen				112-DZ23C22-HE3_A-08TR	Ear99	8541.10.0050	1	1 Paar Gemeinsamer Kathode							100 na @ 17 v												22 v	25 Ohm
MBRB2545CT-E3/45	1.0207	RFQ	6926	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	MBRB25	Schottky			To-263ab (d²pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	1 Paar Gemeinsamer Kathode	45 V	15a	820 mv @ 30 a		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
SBL10L30HE3/45	- - -	RFQ	7671	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automobil, AEC-Q101	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-2	SBL10L30	Schottky			To-220ac	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		30 v		520 mv @ 10 a		1 ma @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C.	10a	- - -
VIT1080C-M3/4W	0,5793	RFQ	4266	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Rohr	Aktiv			K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa	VAV1080	Schottky			To-262aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	1 Paar Gemeinsamer Kathode	80 v	5a	720 mv @ 5 a		400 µa @ 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
VS-30CPQ150-N3	3.2200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Aktiv			K. Loch	To-247-3	30cpq150	Schottky			To-247ac	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	25		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	1 Paar Gemeinsamer Kathode	150 v	15a	1.19 V @ 30 a		100 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
SMZJ3804B-E3/5B	0,1546	RFQ	8092	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-214aa, SMB	Smzj3804		1,5 w		Do-214AA (SMBJ)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.200								5 µA @ 32,7 V.												43 v	53 Ohm
PB5006-E3/45	4.4200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	ISOCINK+™	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-sip, pb	PB5006	Standard			ISOCINK+™ PB	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	20						1,1 V @ 22.5 a		10 µa @ 600 V		45 a						Einphase	600 V
BZG03B120-M3-08	0,2228	RFQ	9429	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	BZG03B-M	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 2%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-214AC, SMA	BZG03B120		1,25 w		Do-214AC (SMA)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	6.000						1,2 V @ 500 mA		1 µa @ 91 V												120 v	250 Ohm
MBR7H60-E3/45	- - -	RFQ	9983	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-2	MBR7	Schottky			To-220ac	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		60 v		730 MV @ 7,5 a		50 µa @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	7.5a	- - -
BZD27C91P-E3-08	0,4400	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	BZD27C	Band & Rollen (TR)	Aktiv	- - -	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-219AB	BZD27C91		800 MW		Do-219AB (SMF)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000						1,2 V @ 200 Ma		1 µa @ 68 V												91 V	200 Ohm
P600A-E3/54	0,9200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			K. Loch	P600, axial	P600	Standard			P600	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	800		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)		50 v		900 mv @ 6 a	2,5 µs	5 µa @ 50 V	-50 ° C ~ 150 ° C.	6a	150pf @ 4V, 1 MHz
BZG03C24-M3-18	0,1815	RFQ	7243	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	BZG03C-M	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5,83%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-214AC, SMA	BZG03C24		1,25 w		Do-214AC (SMA)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	6.000						1,2 V @ 500 mA		1 µa @ 18 V												24 v	15 Ohm
BAS40-00-G3-18	0,0524	RFQ	8987	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	Bas40	Schottky			SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	10.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit		40 v		1 V @ 40 mA	5 ns	100 na @ 30 v	125 ° C (max)	200 ma	5PF @ 0V, 1MHz

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (31214)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²