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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Eingabekapazität (cies) @ vce |
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![]() | TLZ20-GS18 | 0,0335 | ![]() | 8294 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ20 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 20 v | 28 Ohm | |||||||||||||||||||||
BY500-600-E3/54 | - - - | ![]() | 1696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Bis 500 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,35 V @ 5 a | 200 ns | 10 µa @ 600 V | 125 ° C (max) | 5a | 28PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | VX60M45C-M3/p | 1.0395 | ![]() | 6380 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Vx60m | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-VX60M45C-M3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 30a | 620 mv @ 30 a | 350 µa @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | SS16-E3/5AT | 0,3900 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS16 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mV @ 1 a | 200 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||
AZ23C22-HE3_A-18 | - - - | ![]() | 7291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-AZ23C22-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 50 na @ 15.4 v | 22 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
AZ23B3V3-E3-08 | 0,3300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23B3V3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-S670B | - - - | ![]() | 7755 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 112-VS-S670B | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1PBHM3/85A | - - - | ![]() | 3498 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-220aa | RS1 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | Vs-8eth03strlhm3 | 0,9331 | ![]() | 5235 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | 8eth03 | Standard | To-262aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-8eth03strlhm3tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 8 a | 35 ns | 20 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||||||
![]() | VX6060C-M3/p | 1.0395 | ![]() | 5188 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-VX6060C-M3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 30a | 620 mv @ 30 a | 3,5 mA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-HFA04SD60SHM3 | 0,9590 | ![]() | 5573 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | HFA04 | Standard | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSHFA04SD60SHM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,8 V @ 4 a | 42 ns | 3 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | |||||||||||||||||
![]() | V40PWM63C-M3/i | 0,5580 | ![]() | 6386 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-V40PWM63C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 740 mv @ 20 a | 30 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | BZG05C16TR | - - - | ![]() | 8862 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | - - - | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 12 V. | 16 v | 500 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | SML4731A-E3/61 | - - - | ![]() | 5798 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4731 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 10 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | SMBZ5933B-E3/5B | 0,1676 | ![]() | 4020 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBZ5933 | 3 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 16,7 V | 22 v | 17,5 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | BZW03C7V5-TR | - - - | ![]() | 2676 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZW03 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,2 V @ 1 a | 1,5 mA @ 5.6 V. | 7,5 v | 1,5 Ohm | ||||||||||||||||||||
VS-10TQ045-M3 | 1.1800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | 10TQ045 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 670 mv @ 20 a | 2 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 900pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | SMZJ3789BHE3/5B | - - - | ![]() | 7065 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj37 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 50 µa @ 7,6 V | 10 v | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRB2535CT-E3/81 | - - - | ![]() | 4657 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB25 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 15a | 820 mv @ 30 a | 200 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | V4P22Chm3/h | 0,7200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 2.8a | 870 mv @ 2 a | 50 µa @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | GP10-4004-E3/54 | 0,1780 | ![]() | 3331 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | - - - | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-70MT060WHTAPBF | - - - | ![]() | 6381 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 12-MTP-Modul | 70MT060 | 347 w | Standard | MTP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS70MT060WHTAPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | Halbbrücke | Npt | 600 V | 100 a | 3,4 V @ 15V, 140a | 700 µA | NEIN | 8 NF @ 30 V | |||||||||||||||
![]() | SE8D30D-M3/i | 0,4100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | Standard | Slimsmaw (Do-221ad) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 3 a | 1,2 µs | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 19PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | VS-MBRB1045TRR-M3 | 0,6042 | ![]() | 1893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB1045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 570 mv @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 600PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
MMBZ5230B-E3-18 | - - - | ![]() | 8880 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5230 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µa @ 2 V. | 4,7 v | 19 Ohm | ||||||||||||||||||||||
BZX584C3V6-G3-08 | 0,3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZX584C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 85 Ohm | ||||||||||||||||||||||
MMBZ5251B-G3-18 | - - - | ![]() | 6275 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5251 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | GL34J-E3/83 | 0,4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | GL34 | Standard | Do-213AA (GL34) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 500 mA | 1,5 µs | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | 4PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | SD103AW-G3-18 | 0,4000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SD103 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 350 Ma | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | LL4151-M-08 | 0,0281 | ![]() | 2055 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | LL4151 | Standard | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 12.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 v | 175 ° C (max) | 300 ma | 2PF @ 0V, 1MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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