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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Vit3060C-E3/4W | 0,6326 | ![]() | 6685 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Vit3060 | Schottky | To-262aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vit3060C-E3/4WGI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 15a | 700 mv @ 15 a | 1,2 mA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | BZX884B22L-HG3-08 | 0,3600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | 300 MW | DFN1006-2A | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 15.4 v | 22 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | PTV20B-E3/84A | - - - | ![]() | 8810 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-220aa | PTV20 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 µa @ 15 V | 21.2 v | 14 Ohm | ||||||||||||||
MMBZ4707-G3-08 | - - - | ![]() | 1779 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ4707 | 350 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 10 Na @ 15,2 V. | 20 v | |||||||||||||||||
![]() | VS-HFA16TB120SRHM3 | 2.2505 | ![]() | 2645 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Hexfred® | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HFA16 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 3 V @ 16 a | 90 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||||
![]() | MMSZ4713-G3-08 | 0,0409 | ![]() | 1929 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4713 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 10 NA @ 22,8 V. | 30 v | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ5234C-G3-18 | 0,0483 | ![]() | 7847 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5234 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µa @ 4 V | 6.2 v | 7 Ohm | |||||||||||||||
![]() | GP15M-024E3/54 | - - - | ![]() | 7329 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP15 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1,5 a | 3,5 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | BZT52C16-HE3-08 | 0,3200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C16 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 13 Ohm | |||||||||||||||
![]() | By228tap | 1.1300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | SOD-64, axial | By228 | Lawine | SOD-64 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1500 V | 1,5 V @ 5 a | 20 µs | 5 µa @ 1500 V | 140 ° C (max) | 3a | - - - | ||||||||||||
![]() | BZT03C11-TAP | 0,2970 | ![]() | 1529 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT03 | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5,45% | 175 ° C (TJ) | K. Loch | SOD-57, axial | BZT03C11 | 1,3 w | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | 1,2 V @ 500 mA | 4 µa @ 8,2 V | 11 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
![]() | ZPY51-tr | 0,3700 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | ZPY51 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 NA @ 38 V. | 51 v | 45 Ohm | |||||||||||||||
![]() | MMSZ4695-E3-08 | 0,2700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4695 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µa @ 6,6 V | 8,7 v | ||||||||||||||||
![]() | BZX85C51-TAP | 0,3800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85C51 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 NA @ 39 V | 51 v | 115 Ohm | |||||||||||||||
![]() | GBPC2508-E4/51 | 5.3000 | ![]() | 4621 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Kasten | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC2508 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 800 V | 25 a | Einphase | 800 V | ||||||||||||||
![]() | V10K60C-M3/i | 0,3368 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10K60C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 4.6a | 590 mv @ 5 a | 900 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | SS33-E3/9AT | 0,6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SS33 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||
![]() | VS-C5PH3012L-N3 | 3.2500 | ![]() | 713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | C5PH3012 | Standard | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-C5PH3012L-N3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2,5 V @ 15 a | 95 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
![]() | BZX384C27-G3-18 | 0,0389 | ![]() | 3339 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx384-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384C27 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | |||||||||||||||
![]() | VLZ8V2A-GS08 | - - - | ![]() | 9155 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | Vlz8v2 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 7,5 µa Bei 7,15 V | 7.73 v | 8 Ohm | ||||||||||||||
AZ23C9V1-HE3_A-08 | - - - | ![]() | 2590 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-AZ23C9V1-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | TLZ20-GS18 | 0,0335 | ![]() | 8294 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ20 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 20 v | 28 Ohm | |||||||||||||||
BY500-600-E3/54 | - - - | ![]() | 1696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Bis 500 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,35 V @ 5 a | 200 ns | 10 µa @ 600 V | 125 ° C (max) | 5a | 28PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | VX60M45C-M3/p | 1.0395 | ![]() | 6380 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Vx60m | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-VX60M45C-M3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 30a | 620 mv @ 30 a | 350 µa @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
![]() | SS16-E3/5AT | 0,3900 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS16 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mV @ 1 a | 200 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||
AZ23C22-HE3_A-18 | - - - | ![]() | 7291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-AZ23C22-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 50 na @ 15.4 v | 22 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||||
AZ23B3V3-E3-08 | 0,3300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23B3V3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | VS-S670B | - - - | ![]() | 7755 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 112-VS-S670B | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1PBHM3/85A | - - - | ![]() | 3498 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-220aa | RS1 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | Vs-8eth03strlhm3 | 0,9331 | ![]() | 5235 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | 8eth03 | Standard | To-262aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-8eth03strlhm3tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 8 a | 35 ns | 20 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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