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Diskette HalblerProdukte (31214)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZG05C10-E3-tr | - - - |  | 2234 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 75 V | 10 v | 7 Ohm | |||||||||||||
 | GP10GE-161E3/91 | - - - | | 9920 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | GP10 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||
 | BZT52B13-G3-18 | 0,0483 | | 1943 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B13 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 10 v | 13 v | 9 Ohm | ||||||||||||||
 | GDZ8V2B-E3-08 | 0,0360 | | 5556 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Gdz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz8v2 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 500 NA @ 5 V. | 8.2 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
 | ZM4758A-GS08 | 0,3900 | | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | ZM4758 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 5 µA @ 42,6 V. | 56 v | 110 Ohm | ||||||||||||||
| GDZ2V2B-HG3-18 | 0,0509 | | 1032 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, GDZ-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz2v2 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 120 µa @ 700 mV | 2,2 v | 100 Ohm | ||||||||||||||
 | TLZ16-GS18 | 0,0335 | | 6600 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ16 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 16 v | 18 Ohm | ||||||||||||||
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 | SBLF1030HE3/45 | - - - | | 4308 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBLF1030 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 600 mv @ 10 a | 1 ma @ 30 v | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||
 | RS1PDHE3/84A | - - - | | 1887 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | RS1 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
 | MMSZ5259B-HE3_A-08 | 0,0549 | | 1814 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz5259b-he3_a-08tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 30 v | 39 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||
| ZMM5264B-13 | - - - | | 9324 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Zmm52 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | ZMM5264B-13GI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 46 v | 60 v | 170 Ohm | |||||||||||||
 | KBU6D-E4/51 | 2.0400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBU | KBU6 | Standard | KBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 200 V. | 6 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||
 | 1N5241C-TAP | 0,0288 | | 5545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 2% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5241 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 8,4 V | 11 v | 22 Ohm | |||||||||||||
 | SMZG3788B-E3/52 | 0,2511 | | 5192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMZG3788 | 1,5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µa @ 7 V | 9.1 v | 4 Ohm | ||||||||||||||
| BZG05C27-HM3-18 | 0,1172 | | 6433 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,04% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05C27 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 20 V | 27 v | 30 Ohm | |||||||||||||
| BZX384C12-HE3-08 | 0,2600 | | 40 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384C12 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 Ohm | ||||||||||||||
| ZM4753A-GS18 | 0,3900 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | ZM4753 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µa @ 27,4 V | 36 v | 50 Ohm | ||||||||||||||
 | VS-20ETS12SPBF | - - - | | 4045 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 20ets12 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS20ETS12SPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,1 V @ 20 a | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | |||||||||||
 | Byt28-400he3/45 | - - - | | 7346 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | Byt28 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 5a | 1,3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
| MMSZ4714-HE3_A-08 | 0,0533 | | 6895 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz4714-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 na @ 25 v | 33 v | |||||||||||||||||
| TZM5224B-GS08 | 0,2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5224 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 75 µa @ 1 V | 2,8 v | 30 Ohm | |||||||||||||
| SBLB25L30CThe3_B/p | 1.0395 | | 9732 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SBLB25L30 | Schottky | To-263ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-SBLB25L30CThe3_B/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 12,5a | 490 mv @ 12.5 a | 900 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
| VS-HFA15TB60SPBF | - - - | | 3707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Rohr | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HFA15 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 15 a | 60 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||
| GDZ5v6b-G3-18 | 0,0445 | | 7888 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Gdz-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz5v6 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 60 Ohm | ||||||||||||||
| VS-SDD250M16MPBF | - - - | | 3700 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | SDD250 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VSSDD250M16MPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||
 | 1N5623GP-E3/54 | 0,6300 | | 310 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 1N5623 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,2 V @ 1 a | 500 ns | 500 NA @ 1000 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| SS25S-E3/5AT | 0,4200 | | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS25 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 750 mV @ 2 a | 200 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||
 | ES3B/7T | - - - | | 6939 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Es3 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 900 mv @ 3 a | 30 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | SB1H90-E3/73 | - - - | | 9313 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SB1H90 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 770 mv @ 1 a | 1 µa @ 90 V | 175 ° C (max) | 1a | - - - |
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