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Diskette HalblerProdukte (31214)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-Eth3006Strlhm3 | 2.7372 |  | 2826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | ETH3006 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vseth3006strlhm3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,65 V @ 30 a | 26 ns | 30 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||
 | MMSZ4686-G3-08 | 0,0409 | | 8608 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4686 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 5 µa @ 2 V. | 3,9 v | |||||||||||||||
 | TZMC8V2-GS08 | 0,2300 | | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, TZM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMC8v2 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 NA @ 6.2 V. | 8.2 v | 7 Ohm | |||||||||||||
 | BZD27B5V1P-E3-18 | 0,1050 | | 6086 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27B | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27B5V1 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 5.1 v | 6 Ohm | |||||||||||||
| MMSZ5241B-HE3-18 | 0,0378 | | 5267 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5241 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 2 µa @ 8,4 V | 11 v | 22 Ohm | ||||||||||||||
 | 1N4755a-tr | 0,3600 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4755 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 32,7 V. | 43 v | 70 Ohm | |||||||||||||
| BZD27C8V2P-HE3-18 | 0,1520 | | 6418 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27C8V2 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 3 V | 8.2 v | 2 Ohm | |||||||||||||
 | MBRF1060-E3/45 | 1.2400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF106 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MBRF1060E345 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 800 mV @ 10 a | 100 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||
 | ZMY5v6-GS18 | 0,4200 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | Zmy5v6 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 NA @ 1,5 V. | 5.6 v | 2 Ohm | ||||||||||||||
| VS-20TQ045STRRPBF | - - - | | 6901 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 20TQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 570 mv @ 20 a | 2,7 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | ||||||||||||
 | Sml4754ahe3_a/h | 0,2253 | | 5313 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4754 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 29.7 V. | 39 v | 60 Ohm | ||||||||||||||
| VS-42CTQ030strrhm3 | 1.4653 | | 7709 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 42ctq030 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 20a | 480 mv @ 20 a | 3 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
| VS-15ETL06SPBF | - - - | | 8708 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Rohr | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 15tl06 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS15ETL06SPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,2 V @ 15 a | 29 ns | 50 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | ||||||||||
 | Fes8The3/45 | - - - | | 7987 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | Fes8 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||
 | GDZ3V3B-G3-18 | 0,0445 | | 6496 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Gdz-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz3v3 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 20 µa @ 1 V | 3.3 v | 120 Ohm | ||||||||||||||
 | VS-41HFR20 | 7.0370 | | 4343 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 41HFR20 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 125 a | 9 ma @ 200 v | -65 ° C ~ 190 ° C. | 40a | - - - | ||||||||||||
| TLZ8V2A-GS08 | 0,0335 | | 5066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tlz8v2 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 7,5 µa Bei 7,15 V | 8.2 v | 8 Ohm | |||||||||||||
 | V10pm6HM3/i | 0,3119 | | 6227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V10pm6 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 640 mv @ 10 a | 800 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 1650pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | V40PWM153CHM3/i | 1.5700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 1,04 V @ 20 a | 150 µa @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
| TLZ3V3B-GS18 | 0,0335 | | 3015 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tlz3v3 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 3.3 v | 70 Ohm | |||||||||||||
 | BZT55C3V9-GS18 | 0,0283 | | 3461 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | BZT55C3V9 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | |||||||||||||
| BZT52B3V6-HE3-18 | 0,0454 | | 8447 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B3V6 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 3.6 V | 80 Ohm | |||||||||||||||
| 1N4246GPHE3/54 | - - - | | 9430 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4246 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1 a | 1 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 160 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| Rs1flk-m3/h | 0,3400 | | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,2 V @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
 | BAV303-TR3 | 0,2700 | | 8448 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | BAV303 | Standard | Mikrokomelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 100 mA | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | 175 ° C (max) | 250 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||
 | VS-KBPC806PBF | 4.3300 | | 865 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | VS-KBPC8 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, D-72 | KBPC806 | Standard | D-72 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSKBPC806PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 600 V | 8 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||
| BZG05B27-HE3-TR | - - - | | 1052 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZG05B | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 20 V | 27 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
| BZG05C11-HE3-TR | - - - | | 6527 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 8.2 V. | 11 v | 8 Ohm | |||||||||||||
| VS-96-1091PBF | - - - | | 3733 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | * | Rohr | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
 | VS-3EAH02-M3/H | 0,4200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 2-vdfn | VS-3EAH02 | Standard | DFN3820A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 960 mv @ 3 a | 25 ns | 2 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - |
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