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Diskette HalblerProdukte (31214)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SEG10FG-M3/i | 0,3900 |  | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 700 mA | 1,2 µs | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 7.3PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
 | G3SBA20L-M3/51 | - - - | | 6359 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | G3SBA20 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 200 V. | 2.3 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||
 | MMSZ5251B-E3-18 | 0,0360 | | 5996 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5251 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 Ohm | |||||||||||||||
| MMSZ5227B-E3-08 | 0,2700 | | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5227 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 15 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | |||||||||||||||
 | GDZ4V7B-HE3-18 | 0,0378 | | 9404 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, GDZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz4v7 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 2 µa @ 1 V | 4,7 v | 100 Ohm | |||||||||||||||
| G5SBA80-M3/51 | 1.0096 | | 4161 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | G5SBA80 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1,05 V @ 3 a | 5 µa @ 800 V | 2.8 a | Einphase | 800 V | ||||||||||||||
| GBU8A-M3/51 | 1.1425 | | 5888 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU8 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 50 V | 3.9 a | Einphase | 50 v | ||||||||||||||
 | 1N4944GP-E3/73 | - - - | | 9307 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4944 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | SBYV27-200-E3/73 | 0,4300 | | 544 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | SBYV27 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,07 V @ 3 a | 15 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | BZG05C10-M3-18 | 0,1089 | | 5155 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05C10 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7 V. | 10 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
| GBU6A-M3/45 | 1.2844 | | 7028 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU6 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 50 V | 3.8 a | Einphase | 50 v | ||||||||||||||
| MMSZ5232C-G3-08 | 0,0483 | | 1857 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5232 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 11 Ohm | |||||||||||||||
 | MMSZ5267B-HE3_A-08 | 0,0549 | | 9023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz5267b-he3_a-08tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 56 v | 75 V | 270 Ohm | |||||||||||||||||
 | UH2C-M3/5BT | - - - | | 8557 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | UH2 | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,05 V @ 2 a | 35 ns | 2 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 42pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
| MP7078-E3/54 | - - - | | 6699 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | MP7078 | Standard | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1300 v | - - - | 1a | - - - | |||||||||||||||
 | VBT3045BP-M3/8W | 0,8412 | | 8157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | VBT3045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 700 mv @ 30 a | 2 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||||
 | AZ23C16-HE3-18 | 0,0436 | | 5632 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C16 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
 | S3a-e3/9at | 0,1539 | | 6177 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S3a | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,15 V @ 2,5 a | 2,5 µs | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
| BZX84C5V6-HE3_A-08 | 0,0498 | | 2431 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-BZX84C5V6-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||
 | VS-40EPS16-M3 | 5.6000 | | 6890 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | 40EPS16 | Standard | To-247AC Modifiziert | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS-40EPS16-M3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,14 V @ 40 a | 100 µa @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 40a | - - - | ||||||||||||
| MBRB1545CT-E3/81 | 1.4100 | | 206 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB1545 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 7.5a | 840 mv @ 15 a | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
 | VS-50PFR40W | 5.1055 | | 2099 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50pfr40 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS50PFR40W | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 125 a | -55 ° C ~ 180 ° C. | 50a | - - - | |||||||||||||
| MMBZ5262B-G3-08 | - - - | | 6762 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5262 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 39 V | 51 v | 125 Ohm | |||||||||||||||
 | SBLF1030HE3/45 | - - - | | 4308 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBLF1030 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 600 mv @ 10 a | 1 ma @ 30 v | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||
 | RS1PDHE3/84A | - - - | | 1887 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | RS1 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | VS-40CTQ150-N3 | - - - | | 5399 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | 40ctq150 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS-40CTQ150-N3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 930 mv @ 40 a | 50 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
| V2F22-m3/h | 0,4500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 870 mv @ 2 a | 60 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 160pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | VS-26MT40 | 16.6600 | | 9700 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 5 Quadratmeter, D-63 | 26mt40 | Standard | D-63 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 100 µa @ 400 V | 25 a | DRIPHASE | 400 V | |||||||||||||||
| S1FLB-GS18 | 0,0512 | | 2538 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1f | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 700 Ma | 4PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| BZG05C27-HM3-18 | 0,1172 | | 6433 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,04% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05C27 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 20 V | 27 v | 30 Ohm |
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