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Diskette HalblerProdukte (31214)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
BZG05C15-HE3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C15-HE3-TR - - -
RFQ
 ECAD 8930 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, BZG05C Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA BZG05 1,25 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 6.000 1,2 V @ 200 Ma 500 na @ 11 v 15 v 15 Ohm
VS-C12ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C12ET07T-M3 - - -
RFQ
 ECAD 7296 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 C12ET07 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 751-VS-C12ET07T-M3 Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 650 V 1,7 V @ 12 a 65 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 12a 515PF @ 1V, 1 MHz
1N4743A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4743A-TAP 0,3600
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Klebeband (CT) Schneiden Aktiv ± 5% 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4743 1,3 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 9,9 V 13 v 10 Ohm
AZ23B18-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B18-HE3-18 0,0534
RFQ
 ECAD 4218 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, AZ23 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 AZ23B18 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 100 na @ 14 v 18 v 50 Ohm
1N4761A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4761A-TAP 0,3300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Klebeband (CT) Schneiden Aktiv ± 5% 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4761 1,3 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 56 V 75 V 175 Ohm
30WQ04FNTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30WQ04FNTRR - - -
RFQ
 ECAD 9054 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 30WQ04 Schottky D-Pak (to-252aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 530 mv @ 3 a 2 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C. 3.5a - - -
VS-66-8059 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-66-8059 - - -
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Lets Kaufen 66-8059 - - - 112-VS-66-8059 1
UGB8JTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ugb8jthe3_a/p - - -
RFQ
 ECAD 3808 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab UGB8 Standard To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,75 V @ 8 a 50 ns 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a - - -
BAT54A-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54A-G3-18 0,0501
RFQ
 ECAD 9930 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 30 v 200 Ma (DC) 800 mV @ 100 mA 5 ns 2 µa @ 25 V. 125 ° C (max)
VS-40MT160KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT160KPBF 61.7593
RFQ
 ECAD 6344 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Tablett Aktiv - - - Chassis -berg MT-K-Modul 40MT160 Standard MT-K - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VS40MT160KPBF Ear99 8541.10.0080 15 1,51 V @ 100 a 40 a DRIPHASE 1,6 kv
TZQ5235B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5235B-GS08 0,0303
RFQ
 ECAD 4269 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung SOD-80-Variale TZQ5235 500 MW SOD-80 Quadromelf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 12.500 1,5 V @ 200 Ma 3 µa @ 5 V 6,8 v 5 Ohm
V8PAM10S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8PAM10S-M3/i 0,4100
RFQ
 ECAD 548 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-221BC, SMA Flat Leads Exponierte Pad Schottky DO-221BC (SMPA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 14.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 840 mv @ 8 a 180 µa @ 100 V. -40 ° C ~ 175 ° C. 2.8a 600PF @ 4V, 1 MHz
TZM5246B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5246B-GS18 0,0303
RFQ
 ECAD 5606 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5246 500 MW SOD-80 Minimelf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 Ma 100 Na @ 12 V. 16 v 17 Ohm
MP805-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MP805-E3/54 - - -
RFQ
 ECAD 1826 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial MP805 Standard DO-204AL (DO-41) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.500 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V - - - 1a - - -
BYM10-1000-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM10-1000-E3/97 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Superectifier® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) BYM10 Standard Do-213ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,2 V @ 1 a 10 µa @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8PF @ 4V, 1 MHz
MMBZ4618-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4618-E3-08 - - -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ4618 350 MW SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 15.000 1 µa @ 1 V 2,7 v 1500 Ohm
LL4150GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LL4150GS08 0,2000
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 LL4150 Standard SOD-80 Minimelf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1 V @ 200 Ma 4 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C. 300 ma 2.5PF @ 0V, 1 MHz
VS-MBRB735TRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB735TRLPBF - - -
RFQ
 ECAD 6401 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MBRB7 Schottky To-263ab (d²pak) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 35 V 840 mv @ 15 a 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C. 7.5a 400PF @ 5V, 1 MHz
V40M120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40M120C-M3/4W 1.2106
RFQ
 ECAD 5524 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, TMBS® Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 V40m120 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 120 v 20a 890 mv @ 20 a 500 µA @ 120 V -40 ° C ~ 175 ° C.
UB8CT-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division UB8CT-E3/8W - - -
RFQ
 ECAD 8761 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab UB8 Standard To-263ab (d²pak) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 1,02 V @ 8 a 20 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a - - -
MMSZ5237B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5237B-HE3-18 0,0378
RFQ
 ECAD 5432 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5237 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 3 µA @ 6,5 V. 8.2 v 8 Ohm
MMBZ5257B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5257B-HE3-08 - - -
RFQ
 ECAD 1159 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5257 225 MW SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 15.000 100 Na @ 25 V. 33 v 58 Ohm
EGL34AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Egl34ahe3_a/h - - -
RFQ
 ECAD 3706 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) Egl34 Standard Do-213AA (GL34) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Egl34ahe3_b/h Ear99 8541.10.0070 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1,25 V @ 500 mA 50 ns 5 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500 mA 7pf @ 4v, 1 MHz
VS-VSKCS440/030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKCS440/030 52.4760
RFQ
 ECAD 8330 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Add-a-Pak (3) VSKCS440 Schottky Add-a-Pak® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VSVSKCS440030 Ear99 8541.10.0080 10 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 30 v 220a 680 mv @ 220 a 20 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C.
SML4749HE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4749HE3/5A - - -
RFQ
 ECAD 9929 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 10% 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SML4749 1 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 7.500 5 µA @ 18,2 V. 24 v 25 Ohm
MB30H100CTHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB30H100CThe3_B/i 1.2985
RFQ
 ECAD 2884 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MB30H100 Schottky To-263ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 15a 820 MV @ 15 a 5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
SS5P10HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS5P10HM3_A/H. 0,5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, ESMP® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-277, 3-Powerdfn SS5P10 Schottky To-277a (SMPC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 880 mv @ 5 a 15 µa @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 130pf @ 4v, 1 MHz
BZX884B30L-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX884B30L-HG3-08 0,3600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, BZX884L Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 0402 (1006 Metrik) BZX884 300 MW DFN1006-2A Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 21 v 30 v 80 Ohm
TZX3V9B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX3V9B-TAP 0,0290
RFQ
 ECAD 1982 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, TZX Band & Box (TB) Aktiv - - - -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial TZX3V9 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 30.000 1,5 V @ 200 Ma 5 µa @ 1 V 3,9 v 100 Ohm
AZ23B30-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B30-E3-08 0,0509
RFQ
 ECAD 3713 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division AZ23 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 AZ23B30 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 15.000 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 100 NA @ 22,5 V. 30 v 80 Ohm
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