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Diskette HalblerProdukte (31214)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | V3PL63-M3/h | 0,4700 |  | 3988 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | V3PL63 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 590 mv @ 3 a | 70 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 460PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
 | VS-VSKCS200/045 | 45.6060 | | 8381 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Add-a-Pak (3) | VSKCS200 | Schottky | Add-a-Pak® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSVSKCS200045 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 45 V | 100a | 670 mv @ 100 a | 10 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
 | SMZG3796B-E3/52 | 0,2475 | | 1724 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMZG3796 | 1,5 w | Do-215AA (SMBG) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 15,2 V | 20 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
 | VB20202G-M3/8W | 1.8400 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | VB20202 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 920 mv @ 10 a | 150 µa @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||
 | BAT54W-HE3-08 | 0,4000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Bat54 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 125 ° C (max) | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
 | SE8D30DHM3/i | 0,4600 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | Standard | Slimsmaw (Do-221ad) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 3 a | 1,2 µs | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 19PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
 | VS-16CTQ080STRLHM3 | 0,9832 | | 5607 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 16CTQ080 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 8a | 720 mv @ 8 a | 550 µa @ 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||
| BZG05B24-E3-TR3 | - - - | | 2515 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05B | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 18 V. | 24 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | TZM5264C-GS08 | - - - | | 6830 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5264 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 46 v | 60 v | 170 Ohm | ||||||||||||||||||||||
| VS-73-5266A | - - - | | 8486 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 112-VS-73-5266a | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ZMY51-GS08 | 0,4200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | Zmy51 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 NA @ 38 V. | 51 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | SE10PD-M3/85A | 0,0899 | | 5581 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SE10 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,05 V @ 1 a | 780 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||
| TZM5241F-GS08 | - - - | | 2523 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5241 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 8,4 V | 11 v | 600 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | BY396P-E3/54 | - - - | | 9502 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | By396 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,25 V @ 3 a | 500 ns | 10 µa @ 100 V. | -50 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 28PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
 | MMBZ5251C-E3-18 | - - - | | 3214 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5251 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 Ohm | |||||||||||||||||||||||
| G3SBA60-5410M3/51 | - - - | | 3679 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | G3SBA60 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 600 V | 2.3 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||||||||||||
| Fesb8bt-e3/81 | 0,7496 | | 9295 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fesb8 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||||||||||
| GUR460-E3/54 | - - - | | 1346 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Gur460 | Standard | Do-201ad | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,28 V @ 4 a | 60 ns | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | ||||||||||||||||||||
 | BZG05C51-E3-TR3 | - - - | | 4227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 39 V | 51 v | 115 Ohm | ||||||||||||||||||||||
 | BZX384C6V2-G3-08 | 0,2900 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx384-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384C6V2 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||
| Smpz3921b-e3/84a | - - - | | 3191 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SMPZ39 | 500 MW | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 200 µA @ 5,2 V. | 6,8 v | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||
| VS-20MT120UFP | - - - | | 4450 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 16-MTP-Modul | 20mt120 | 240 w | Standard | MTP | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS20MT120UFP | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | Vollbrückke Wechselrichter | Npt | 1200 V | 40 a | 4,66v @ 15V, 40a | 250 µA | NEIN | 3.79 NF @ 30 V | |||||||||||||||||
 | SMZJ3804BHE3/5B | - - - | | 1436 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj38 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µA @ 32,7 V. | 43 v | 53 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | V60d100chm3/i | 2.5900 | | 930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | V60D100 | Schottky | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 30a | 810 mv @ 30 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
 | KBP01M-M4/51 | - - - | | 3157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | KBP01 | Standard | Kbpm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 100 V. | 1,5 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||||||||||||
| BZX84C27-HE3_A-18 | 0,0498 | | 1157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-BZX84C27-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| BZT52B10-HE3_A-18 | - - - | | 9015 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-BZT52B10-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 Na @ 7,5 V. | 10 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| BZX384B3V9-E3-08 | 0,2700 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZX384 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384B3V9 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||
| BZT52C27-HE3_A-08 | 0,0533 | | 4313 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-BZT52C27-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 20 V | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
 | Z4KE180AHE3/54 | - - - | | 1397 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Z4KE180 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.500 | 1 V @ 500 mA | 500 NA @ 136,8 V. | 180 v | 1300 Ohm |
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