SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
PTV22B-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV22B-E3/85A - - -
RFQ
ECAD 3397 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division ESMP® Band & Rollen (TR) Veraltet ± 6% 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-220aa PTV22 600 MW DO-220AA (SMP) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 Ma 10 µa @ 17 V 23.3 v 14 Ohm
ZMY33-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY33-GS08 0,4200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) Zmy33 1 w Do-213ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.500 500 NA @ 25 V. 33 v 20 Ohm
VS-GT200TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT200TS065S 115.8100
RFQ
ECAD 3012 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Fred Pt® Kasten Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 1 kW Standard - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 112-VS-GT200TS065S 15 Halbbrückke Wechselrichter Graben 650 V 476 a 200 µA NEIN
VS-400U80D Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-400U80D 68.6900
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung Do-205AB, Do-9, Stud 400U80 Standard DO-205AB (DO-9) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 12 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,62 V @ 1500 a 15 mA @ 800 V -40 ° C ~ 200 ° C. 400a - - -
SE30DT12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE30DT12-M3/i 2.0700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division ESMP® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante SE30DT12 Standard Smpd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 1,29 V @ 30 a 3,4 µs 10 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a 132pf @ 4V, 1 MHz
TZM5243F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5243F-GS08 - - -
RFQ
ECAD 1303 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet - - - 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5243 500 MW SOD-80 Minimelf - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 2.500 1,1 V @ 200 Ma 500 NA @ 9.9 V. 13 v 600 Ohm
GBU8M-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8M-E3/51 2.1400
RFQ
ECAD 734 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBU GBU8 Standard GBU Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 8 a 5 µA @ 1000 V 3.9 a Einphase 1 kv
BZX84C75-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C75-HE3-08 0,0323
RFQ
ECAD 8995 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, BZX84 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84C75 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 15.000 50 NA @ 52,5 V. 75 V 255 Ohm
SMPZ3931B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3931B-M3/84A 0,1027
RFQ
ECAD 8318 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division ESMP® Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-220aa SMPZ3931 500 MW DO-220AA (SMP) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,5 V @ 200 Ma 500 NA @ 13.7 V. 18 v 12 Ohm
BZW03D39-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D39-TR - - -
RFQ
ECAD 6896 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division BZW03 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch SOD-64, axial BZW03 1,85 w SOD-64 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 12.500 1,2 V @ 1 a 2 µa @ 28 V 39 v 14 Ohm
BZT52C16-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C16-HE3-18 0,0378
RFQ
ECAD 9195 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, BZT52 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52C16 410 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 100 Na @ 12 V. 16 v 13 Ohm
AU1PG-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AU1PG-M3/84A 0,4600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division ESMP® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-220aa Au1 Lawine DO-220AA (SMP) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,5 V @ 1 a 75 ns 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 11pf @ 4v, 1 MHz
VS-E5TX3012S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5TX3012S2LHM3 3.0000
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 3,3 V @ 30 a 80 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a - - -
ZGL41-140A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZGL41-140A-E3/96 0,2020
RFQ
ECAD 5074 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf ZGL41 1 w GL41 (Do-213AB) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.500 1,5 V @ 200 Ma 1 µA @ 106,4 V 140 v 525 Ohm
VS-150UR100D Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150UR100D 32.5700
RFQ
ECAD 3951 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud 150ur100 Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AA (DO-8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,47 V @ 600 a 15 mA @ 1000 v -40 ° C ~ 180 ° C. 150a - - -
RS1FLM-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs1flm-m3/h 0,3400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-219AB Standard Do-219AB (SMF) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,2 V @ 1 a 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 7pf @ 4v, 1 MHz
MMBZ5230B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5230B-E3-08 - - -
RFQ
ECAD 7719 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5230 225 MW SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 5 µa @ 2 V. 4,7 v 19 Ohm
AS4PJ-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS4PJ-M3/87A 0,3036
RFQ
ECAD 3783 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division ESMP® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-277, 3-Powerdfn As4 Lawine To-277a (SMPC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 6.500 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 962 mv @ 2 a 1,8 µs 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2.4a 60pf @ 4v, 1 MHz
BZG05B56-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B56-HM3-18 0,2079
RFQ
ECAD 7339 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, BZG05B-M Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA BZG05B56 1,25 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 6.000 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 43 V 56 v 120 Ohm
V40PWL63C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40PWL63C-M3/i 0,5747
RFQ
ECAD 1074 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Schottky Slimdpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 112-V40PWL63C-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 4.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 20a 680 mv @ 20 a 400 µa @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C.
ZPY10-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Zpy10-tr 0,3700
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial ZPY10 1,3 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 500 NA @ 7,5 V. 10 v 2 Ohm
MBR1550CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1550CThe3/45 - - -
RFQ
ECAD 8352 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 MBR15 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 50 v 7.5a 750 mV @ 7,5 a 1 ma @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C.
V40PWM63CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40pwm63chm3/i 0,6821
RFQ
ECAD 5595 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Schottky Slimdpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 112-V40PWM63CHM3/ITR Ear99 8541.10.0080 4.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 20a 740 mv @ 20 a 30 µa @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C.
TLZ27C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ27C-GS18 0,0335
RFQ
ECAD 2864 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Tlz Band & Rollen (TR) Aktiv - - - -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Tlz27 500 MW SOD-80 Minimelf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 Ma 40 NA @ 24,3 V. 27 v 45 Ohm
BZX84B22-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B22-E3-18 0,0324
RFQ
ECAD 1616 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Bzx84 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84B22 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 50 na @ 15.4 v 22 v 55 Ohm
MBRF10H100CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF10H100CT-E3/45 0,8983
RFQ
ECAD 3823 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte MBRF10 Schottky ITO-220AC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 5a 760 mv @ 5 a 3,5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
VS-8EWS12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS12STRL-M3 2.9200
RFQ
ECAD 1117 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 8ews12 Standard D-Pak (to-252aa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 1,1 V @ 8 a 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a - - -
BZT55A18-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55A18-GS08 - - -
RFQ
ECAD 3060 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 1% 175 ° C. Oberflächenhalterung SOD-80-Variale BZT55 500 MW SOD-80 Quadromelf - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 13 v 18 v 50 Ohm
1N5232B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5232B-TAP 0,2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv ± 5% 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5232 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 Ma 5 µa @ 3 V 5.6 v
DZ23C36-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C36-G3-08 0,0483
RFQ
ECAD 7455 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division DZ23-G Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DZ23 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 15.000 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 na @ 27 V 36 v 90 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus