Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-88CNQ060ASMPBF | - - - | ![]() | 2326 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | D-61-8-sm | 88CNQ060 | Schottky | D-61-8-sm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS88CNQ060ASMPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 40a | 580 mv @ 40 a | 640 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | TZQ5229B-GS08 | 0,0303 | ![]() | 5940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | TZQ5229 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 22 Ohm | |||||||||||||
![]() | BZX55F24-TAP | - - - | ![]() | 6920 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 18 V. | 24 v | 80 Ohm | |||||||||||||
![]() | BZG03C200-M3-08 | 0,5000 | ![]() | 8157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG03C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03C200 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 150 V | 200 v | 500 Ohm | |||||||||||||
![]() | VS-16CTU04-N3 | - - - | ![]() | 3791 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | 16ctu04 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS-16CTU04-N3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 8a | 1,3 V @ 8 a | 43 ns | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
![]() | Smzg3799ahe3/52 | - - - | ![]() | 7935 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMZG37 | 1,5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µa @ 20,6 V | 27 v | 23 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SMZJ3802B-M3/5B | 0,1304 | ![]() | 5010 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMZJ3802 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µa @ 27,4 V | 36 v | 38 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Rs1pjhe3/84a | - - - | ![]() | 6452 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | RS1 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BZG05B30-M3-08 | 0,1980 | ![]() | 4490 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05B30 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 na @ 22 v | 30 v | 30 Ohm | |||||||||||||
![]() | DF04S-E3/45 | 0,8300 | ![]() | 925 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DF04 | Standard | DFS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 a | 5 µa @ 400 V | 1 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||
![]() | MBR3035CT-E3/45 | - - - | ![]() | 4522 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | MBR30 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 15a | 600 mv @ 15 a | 1 ma @ 35 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | BZX384B68-E3-18 | 0,0360 | ![]() | 8983 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZX384 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384B68 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 NA @ 47.6 V. | 68 v | 240 Ohm | ||||||||||||||
BZX84B13-E3-18 | 0,0324 | ![]() | 8512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84B13 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 Ohm | |||||||||||||||
![]() | B230LA-E3/5AT | 0,4200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B230 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||
![]() | VS-HFA70FA120 | 53.7410 | ![]() | 5098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | HFA70 | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSHFA70FA120 | Ear99 | 8541.10.0080 | 160 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 1200 V | 70a | 3,8 V @ 60 a | 51 ns | 75 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | VS-VSKD600-16PBF | 388.7300 | ![]() | 1794 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Super Magn-a-Pak | VSKD600 | Standard | Super Magn-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSVSKD60016PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1600 v | 300a | 50 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | BZT52B5V6-E3-08 | 0,3100 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B5v6 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 1 v | 5.6 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
![]() | ZPY22-tr | 0,3700 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | ZPY22 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 NA @ 17 V | 22 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZD27C51P-E3-08 | 0,4400 | ![]() | 5726 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27C51 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 39 V | 51 v | 60 Ohm | |||||||||||||
![]() | BZX55C6V8-TAP | 0,2300 | ![]() | 86 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55C6V8 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 3 v | 6,8 v | 8 Ohm | |||||||||||||
![]() | BZT52B18-HE3-18 | 0,0436 | ![]() | 4974 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B18 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 14 v | 18 v | 45 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZG04-30-M3-18 | 0,1980 | ![]() | 9882 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG04-m | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG04-30 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 5 µa @ 30 V | 36 v | ||||||||||||||
![]() | ZMM5243B-13 | - - - | ![]() | 4473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Zmm52 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | ZMM5243B-13GI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 13 Ohm | |||||||||||||
MMBZ5233C-HE3-08 | - - - | ![]() | 5941 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5233 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 5 µa @ 3,5 V | 6 v | 7 Ohm | |||||||||||||||
![]() | By229b-400-E3/45 | - - - | ![]() | 2793 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Bis 229 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,85 V @ 20 a | 145 ns | 10 µa @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||
![]() | Vs-30eth06strrpbf | - - - | ![]() | 7565 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 30eth06 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vs30eth06strrpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,6 V @ 30 a | 31 ns | 50 mA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||
![]() | S2J/54 | - - - | ![]() | 2260 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S2J | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,15 V @ 1,5 a | 2 µs | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 16PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
BAL99-HE3-18 | 0,0312 | ![]() | 8220 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAL99 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 70 V | 1,25 V @ 150 mA | 6 ns | 2,5 µa @ 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 250 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | BZX85C6V8-TR | 0,3800 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85C6V8 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 µA @ 4 V. | 6,8 v | 3,5 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SMZG3804B-M3/5B | 0,4615 | ![]() | 9986 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Mpg06, axial | SMZG3804 | 1,5 w | MPG06 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-SMZG3804B-M3/5BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µA @ 32,7 V. | 43 v | 53 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus