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Diskette HalblerProdukte (31214)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX584C24-G3-08 | 0,3000 |  | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZX584C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 50 Na @ 16,8 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||||||
 | Tzx8v2c-tr | 0,2300 | | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TZX | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Tzx8v2 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,2 V. | 8.2 v | 20 Ohm | |||||||||||
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| BZX55B8V2-TR | 0,2200 | | 88 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55B8V2 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 NA @ 6.2 V. | 8.2 v | 7 Ohm | |||||||||||
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 | TLZ16A-GS18 | 0,0335 | | 5180 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ16 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 40 na @ 14.1 v | 16 v | 18 Ohm | |||||||||||
 | SB5H90-E3/73 | 0,6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SB5H90 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 800 mV @ 5 a | 200 µa @ 90 V | 175 ° C (max) | 5a | - - - | ||||||||||
 | VF20202C-M3/4W | 1.0704 | | 7513 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | VF20202 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 150 µa @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
 | BZD27C24P-E3-08 | 0,4100 | | 17 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27C24 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 18 V | 24 v | 15 Ohm | |||||||||||
| TLZ18B-GS18 | 0,0335 | | 7692 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ18 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 40 na @ 16 v | 18 v | 23 Ohm | |||||||||||
| BZX55F33-TAP | - - - | | 7303 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 24 V. | 33 v | 80 Ohm | |||||||||||
 | RGP02-12E-E3/73 | 0,5800 | | 20 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP02 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 100 mA | 300 ns | 5 µa @ 1200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | - - - | |||||||||
| VS-80-7650 | - - - | | 6404 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 80-7650 | - - - | 112-VS-80-7650 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | MBRF30H45CThe3_A/p | 1.1055 | | 9955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF30 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-MBRF30H45CThe3_A/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 820 MV @ 15 a | 80 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
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 | V20KM45-m3/h | 0,8800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 650 mv @ 20 a | 150 µa @ 45 V | -40 ° C ~ 165 ° C. | 5.2a | 3100pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | S1PKHM3/85A | 0,0754 | | 7647 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | S1p | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 1 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | BZX84B6V2-E3-08 | 0,2400 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84B6V2 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||
| V1fm10-m3/i | 0,0592 | | 7231 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | V1fm10 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-V1FM10-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 770 mv @ 1 a | 50 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 95PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
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| RGP02-20E-M3/54 | - - - | | 7711 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP02 | Standard | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2000 v | 1,8 V @ 100 mA | 300 ns | 5 µA @ 2000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | 5PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | UGB12JThe3/45 | - - - | | 7390 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | UGB12 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,75 V @ 12 a | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | |||||||||
 | VS-HFA15TB60-1PBF | - - - | | 4674 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | HFA15 | Standard | To-262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSHFA15TB601PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 15 a | 60 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | ||||||||
| MMBZ5253C-HE3-08 | - - - | | 5204 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5253 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 19 V | 25 v | 35 Ohm | ||||||||||||
| BZG05C82TR3 | - - - | | 9582 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | - - - | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 62 V. | 82 v | 3000 Ohm | |||||||||||
 | GDZ15B-G3-08 | 0,0445 | | 5184 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Gdz-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz15 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 11 v | 15 v | 42 Ohm | ||||||||||||
| BZX55C6V2-tr | 0,1900 | | 133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55C6v2 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 2 v | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||
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 | ZM4754A-GS18 | 0,1089 | | 5748 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | ZM4754 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZM4754AGS18 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µA @ 29.7 V. | 39 v | 60 Ohm |
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