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Diskette HalblerProdukte (31214)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Geschwindigkeit	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Diodentyp	Spannung - Peak Reverse (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)
BA159DGPHE3/73	- - -	RFQ	5307	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Superectifier®	Band & Box (TB)	Veraltet			K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial	Ba159	Standard		DO-204AL (DO-41)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	3.000	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		800 V		1,3 V @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	15PF @ 4V, 1 MHz
GBU4JL-6088E3/45	- - -	RFQ	4767	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, GBU	GBU4	Standard		GBU	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.10.0080	1					1 V @ 4 a		5 µa @ 600 V		3 a		Einphase	600 V
2KBP08M-M4/51	- - -	RFQ	9270	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Tablett	Veraltet		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	K. Loch	4-sip, kbpm	2KBP08	Standard		Kbpm	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	600					1,1 V @ 3.14 a		5 µa @ 800 V		2 a		Einphase	800 V
Byt52j-tap	0,2871	RFQ	5325	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Band & Box (TB)	Aktiv			K. Loch	SOD-57, axial	Byt52	Lawine		SOD-57	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	25.000	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		600 V		1,3 V @ 1 a	200 ns	5 µa @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	1.4a	- - -
GBU8G-E3/51	2.0600	RFQ	2302	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, GBU	GBU8	Standard		GBU	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	250					1 V @ 8 a		5 µa @ 400 V		3.9 a		Einphase	400 V
GBU4B-E3/45	1.0296	RFQ	4502	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, GBU	GBU4	Standard		GBU	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	800					1 V @ 4 a		5 µa @ 100 V.		3 a		Einphase	100 v
BU15105S-M3/45	- - -	RFQ	5374	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, BU-5S	BU15105	Standard		ISOCINK+™ BU-5S	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	800					1,05 V @ 7,5 a		5 µA @ 1000 V		15 a		Einphase	1 kv
SS15P3S-M3/87A	0,9900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	ESMP®	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-277, 3-Powerdfn	SS15	Schottky		To-277a (SMPC)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	6.500	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		30 v		570 mv @ 15 a		1 ma @ 30 v	200 ° C (max)	15a	- - -
GBU4D-E3/45	1.9500	RFQ	728	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, GBU	GBU4	Standard		GBU	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	20					1 V @ 4 a		5 µa @ 200 V.		3 a		Einphase	200 v
GBU6D-E3/45	2.2100	RFQ	636	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, GBU	GBU6	Standard		GBU	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	20					1 V @ 3 a		5 µa @ 200 V.		3.8 a		Einphase	200 v
GBU8KL-5301E3/45	- - -	RFQ	2241	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, GBU	GBU8	Standard		GBU	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.10.0080	1					1 V @ 8 a		5 µa @ 800 V		3.9 a		Einphase	800 V
DF04SA-E3/45	0,2751	RFQ	3511	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	4-smd, Möwenflügel	DF04	Standard		DFS	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	5.000					1,1 V @ 1 a		5 µa @ 400 V		1 a		Einphase	400 V
VS-26MB160A	12.8100	RFQ	5051	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC -terminal	4 Quadratmeter, D-34	26MB160	Standard		D-34	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	20							10 µa @ 1600 V		25 a		Einphase	1,6 kv
VS-KBPC802	4.7300	RFQ	3477	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	VS-KBPC8	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4 Quadratmeter, D-72	KBPC802	Standard		D-72	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	100					1 V @ 3 a		10 µA @ 200 V.		8 a		Einphase	200 v
60MT120KB	- - -	RFQ	1421	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	MTK	60mt120	Standard		MTK	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	3									60 a		DRIPHASE	1,2 kv
BZM55B5V1-tr	0,3200	RFQ	6201	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automobil, AEC-Q101, BZM55	Band & Rollen (TR)	Aktiv	- - -	175 ° C.	Oberflächenhalterung	2-smd, Keine Frotung	BZM55B5V1		500 MW	Mikrokomelf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	2.500					1,5 V @ 200 Ma		100 na @ 1 v						5.1 v	60 Ohm
M100M-E3/54	- - -	RFQ	4641	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial	M100	Standard		DO-204AL (DO-41)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	5.500	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)		1000 v		1,1 V @ 1 a	2 µs	1 µA @ 1000 V	-50 ° C ~ 150 ° C.	1a	- - -
B6S-E3/80	0,5900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-269aa, 4-Besop	B6S	Standard		To-269aa (MBS)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000					1 V @ 500 mA		5 µa @ 600 V		500 mA		Einphase	600 V
BZT52C30-E3-08	0,2700	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	BZT52	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOD-123	BZT52C30		410 MW	SOD-123	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000							100 NA @ 22,5 V.						30 v	35 Ohm
MB3045S-E3/4W	- - -	RFQ	1275	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet			Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	MB3045	Schottky		To-263ab (d²pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1.000	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		45 V		700 mv @ 30 a		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	30a	- - -
EGF1AHE3/5CA	- - -	RFQ	7618	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic			Oberflächenhalterung	Do-214ba	EGF1	Standard		Do-214BA (GF1)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	6.500	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		50 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	- - -
VSIB15A20-E3/45	- - -	RFQ	9697	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, GSIB-5S	Vsib15	Standard		GSIB-5S	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1.200					1 V @ 7.5 a		10 µA @ 200 V.		3.5 a		Einphase	200 v
VX30170CHM3/P.	1.5675	RFQ	3662	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automobil, AEC-Q101	Rohr	Aktiv			K. Loch	To-220-3		Schottky		To-220ab	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	112-VX30170Chm3/p	Ear99	8541.10.0080	50	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	1 Paar Gemeinsamer Kathode	170 v	15a	840 mv @ 15 a		100 µa @ 170 V	-40 ° C ~ 175 ° C.
SS10P3-M3/86A	0,8500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	ESMP®	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-277, 3-Powerdfn	SS10P3	Schottky		To-277a (SMPC)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1.500	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		30 v		560 mv @ 10 a		800 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	10a	- - -
V15pm153-m3/h	0,7300	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-277, 3-Powerdfn		Schottky		To-277a (SMPC)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1.500	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		150 v		880 mv @ 15 mA		150 µa @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C.	3.8a	885PF @ 4V, 1 MHz
BYQ28EF-200HE3_A/P.	- - -	RFQ	1214	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automobil, AEC-Q101	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte	BYQ28	Standard		ITO-220AB	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1.000	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	1 Paar Gemeinsamer Kathode	200 v	5a	1,1 V @ 5 a	25 ns	10 µA @ 200 V.	-40 ° C ~ 150 ° C.
FEP30BP-E3/45	1.6062	RFQ	1603	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Aktiv			K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	FEP30	Standard		To-247ad (to-3p)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	30	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	1 Paar Gemeinsamer Kathode	100 v	15a	950 mv @ 15 a	35 ns	10 µa @ 100 V.	-55 ° C ~ 150 ° C.
VS-C5th3012-M3	2.4600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Rohr	Aktiv			K. Loch	To-220-3	C5th3012	Standard		To-220ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	112-VS-C5th3012-M3	Ear99	8541.10.0080	50	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		1200 V		2,5 V @ 15 a	95 ns	50 µa @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
V15PM6HM3/i	0,3944	RFQ	4232	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-277, 3-Powerdfn	V15PM6	Schottky		To-277a (SMPC)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	6.500	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		60 v		640 mv @ 15 a		1,2 mA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C.	15a	2300pf @ 4V, 1 MHz
Es3dhe3/9at	- - -	RFQ	6721	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	Do-214AB, SMC	Es3	Standard		Do-214AB (SMC)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	3.500	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		200 v		900 mv @ 3 a	30 ns	10 µA @ 200 V.	-55 ° C ~ 150 ° C.	3a	45PF @ 4V, 1 MHz

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (31214)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²