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Diskette HalblerProdukte (31214)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-MBRB2045CT-M3 | 0,7623 |  | 7165 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB2045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 10a | 570 mv @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
 | Es1pche3/84a | - - - | | 9088 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | Es1 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
| VS-20TF12STRLPBF | - - - | | 8821 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 20ETF12 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS20ETF12STRLPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,31 V @ 20 a | 95 ns | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | ||||||||||||
 | BA782S-HE3-08 | - - - | | 6085 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | Ba782 | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 1,25PF @ 3V, 1 MHz | Pin - Single | 35 V | 700 MOHM @ 3MA, 1 GHz | |||||||||||||||||
| BZX384C43-HE3-18 | 0,0341 | | 4815 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384C43 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 NA @ 30.1 V. | 43 v | 150 Ohm | ||||||||||||||||
 | VS-G1217ur | - - - | | 4476 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | G1217ur | - - - | 112-VS-G1217ur | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | W02G/1 | - - - | | 9559 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-kreiförmigerer Wog | Standard | Wog | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 200 V. | 1,5 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||||
 | Sl43he3_b/h | 0,4125 | | 8702 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SL43 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 470 mv @ 8 a | 500 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||||
 | GPP20G-E3/73 | - - - | | 5063 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | GPP20 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 2 a | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||
 | Sml4762ahe3_a/i | 0,2063 | | 4229 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4762 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA @ 62,2 V. | 82 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||
 | SE100PWTGHM3/i | 1.0100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Standard | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,14 V @ 10 a | 2,6 µs | 20 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.7a | 78PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | MMBZ5252B-HE3-18 | - - - | | 7720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5252 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 18 V. | 24 v | 33 Ohm | ||||||||||||||||
 | BYW55-tr | 0,6400 | | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | SOD-57, axial | BYW55 | Lawine | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1 V @ 1 a | 4 µs | 1 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||||
 | MMSZ5232B-HE3-18 | 0,0378 | | 2297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5232 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 11 Ohm | ||||||||||||||||
 | TZM5243F-GS18 | - - - | | 8318 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5243 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 600 Ohm | ||||||||||||||||
| Ptv6.8b-e3/84a | - - - | | 4350 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-220aa | PTV6.8 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 20 µa @ 3,5 V | 7.3 v | 6 Ohm | |||||||||||||||
 | GP02-35HM3/54 | - - - | | 5326 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP02 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 3500 v | 3 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 3500 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 250 Ma | 3PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
 | 3N247-E4/45 | - - - | | 3910 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | 3n247 | Standard | Kbpm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 100 V. | 1,5 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||
| 241NQ035 | - - - | | 1439 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | D-67 Half-Pak | 241NQ035 | Schottky | D-67 Half-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *241NQ035 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 690 mv @ 240 a | 20 mA @ 35 V | 240a | 10300pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||
 | MMSZ5234B-HE3_A-08 | 0,0549 | | 4303 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz5234b-he3_a-08tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 4 V | 6.2 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||
| S1JHM3_A/H | 0,0825 | | 9469 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-S1JHM3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
 | V8pl63-m3/i | 0,6500 | | 9918 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V8PL63 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 580 mv @ 8 a | 180 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 1400pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||
| TZMC20-GS18 | 0,2300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, TZM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMC20 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 15 V | 20 v | 55 Ohm | |||||||||||||||
| VS-S1394 | - - - | | 5907 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 112-VS-S1394 | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Sml4752he3_a/i | 0,2063 | | 6855 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4752 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA @ 25,1 V. | 33 v | 45 Ohm | ||||||||||||||||
| BZX384C43-HE3-08 | 0,2600 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384C43 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 NA @ 30.1 V. | 43 v | 150 Ohm | ||||||||||||||||
 | Nsf8athe3_b/p | - - - | | 4051 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Standard | ITO-220AC | - - - | 1 (unbegrenzt) | 112-nsf8athe3_b/ptr | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 8 a | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 55PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||
 | BZD27B20P-M3-08 | 0,4200 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 15 V | 20 v | 15 Ohm | |||||||||||||||
| SE40PWJC-M3/i | 0,2272 | | 1732 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SE40 | Standard | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-se40pwjc-m3/itr | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 2 a | 1,5 µs | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 14PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| SML4741A-E3/61 | 0,5000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4741 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µa @ 8,4 V | 11 v | 8 Ohm |
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