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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Struktur | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Strom - Hold (ih) (max) | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Anzahl der Scrs, Dioden | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
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![]() | VS-S1256 | - - - | ![]() | 2127 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | S1256 | - - - | 112-VS-S1256 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
VS-VSKT250-12PBF | 214.9300 | ![]() | 2581 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Chassis -berg | Magn-a-Pak | VSKT250 | Serienverbindung - Alle SCRs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSVSKT25012PBF | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 1,2 kv | 555 a | 3 v | 8500a, 8900a | 200 ma | 250 a | 2 SCRS | |||||||||||||||||||
![]() | VS-C12ETOTT-M3 | - - - | ![]() | 6721 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-C12ETOTT-M3 | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Se12dtlghm3/i | 1.5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | Standard | Smpd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 12 a | 300 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3.6a | 96PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
MMBZ5261C-G3-18 | - - - | ![]() | 3600 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5261 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 36 v | 47 v | 105 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-MBRB1045TRRHM3 | 1.0203 | ![]() | 3890 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-MBRB1045TRRHM3TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 840 mv @ 20 a | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 600PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | UH3B-M3/9AT | - - - | ![]() | 1288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | UH3 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,05 V @ 3 a | 40 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.5a | 42pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5259B-E3-08 | 0,0360 | ![]() | 3641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5259 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 30 v | 39 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | ZMY20-GS08 | 0,4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | Zmy20 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 NA @ 15 V. | 20 v | 12 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-MT180BD16CCB | - - - | ![]() | 8016 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | VS-MT180 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 112-VS-MT180BD16CCB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Smzj3788bhe3_a/h | - - - | ![]() | 8341 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj3788 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µa @ 7 V | 9.1 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-E5PW6006LHN3 | 4.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® Gen 5 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | Standard | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-E5PW6006LHN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,6 V @ 60 a | 42 ns | 25 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | MB3045S-E3/4W | - - - | ![]() | 1275 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MB3045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 700 mv @ 30 a | 200 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | V15PM6HM3/i | 0,3944 | ![]() | 4232 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V15PM6 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 640 mv @ 15 a | 1,2 mA @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 15a | 2300pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | VX30170CHM3/P. | 1.5675 | ![]() | 3662 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-VX30170Chm3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 170 v | 15a | 840 mv @ 15 a | 100 µa @ 170 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-C5th3012-M3 | 2.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | C5th3012 | Standard | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-C5th3012-M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2,5 V @ 15 a | 95 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | EGF1AHE3/5CA | - - - | ![]() | 7618 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214ba | EGF1 | Standard | Do-214BA (GF1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | FEP30BP-E3/45 | 1.6062 | ![]() | 1603 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FEP30 | Standard | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 950 mv @ 15 a | 35 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | Tzx10d-tr | 0,2300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TZX | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | TZX10 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 7,5 V. | 10 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | Es3dhe3/9at | - - - | ![]() | 6721 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Es3 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | V15pm153-m3/h | 0,7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 880 mv @ 15 mA | 150 µa @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 3.8a | 885PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | SS10P3-M3/86A | 0,8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SS10P3 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 560 mv @ 10 a | 800 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||||||||||
AZ23C4V3-HE3_A-08 | - - - | ![]() | 5335 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-AZ23C4V3-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS3H9-E3/57T | 0,6400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SS3H9 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 800 mV @ 3 a | 20 µa @ 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5228B-HE3_A-08 | - - - | ![]() | 6380 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz5228b-he3_a-08tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3,9 v | 23 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-88-7317 | - - - | ![]() | 4489 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 88-7317 | - - - | 112-VS-88-7317 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZGL41-100A-E3/96 | 0,2020 | ![]() | 7670 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | ZGL41 | 1 w | GL41 (Do-213AB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µa @ 76 V | 100 v | 250 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4709-E3-08 | 0,2700 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4709 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 Na @ 18,2 V. | 24 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5239B-HE3_A-08 | 0,0549 | ![]() | 8989 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz5239b-he3_a-08tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 7 V. | 9.1 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Smzj3794a-e3/52 | - - - | ![]() | 9338 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj37 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 12,2 V. | 16 v | 10 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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