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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | V12PL63-M3/h | 0,8100 | ![]() | 8676 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V12PL63 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 580 mv @ 12 a | 450 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 2600pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | V10P10HE3/86A | - - - | ![]() | 9800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V10p10 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 680 mv @ 10 a | 150 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||
![]() | GDZ10B-G3-08 | 0,0445 | ![]() | 4646 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Gdz-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz10 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 7 v | 10 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
![]() | VS-65APS16LHM3 | 5.6200 | ![]() | 8070 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | 65APS16 | Standard | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,17 V @ 65 a | 100 µa @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 65a | - - - | ||||||||||||
![]() | SML4761HE3/61 | - - - | ![]() | 3236 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4761 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µa @ 56 V | 75 V | 175 Ohm | ||||||||||||||
UF5408-E3/54 | 0,6000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | UF5408 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,7 V @ 3 a | 75 ns | 10 µa @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 36PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | MBRF1635-E3/45 | 1,5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF1635 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 630 mv @ 16 a | 200 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||||
![]() | US1J-M3S/61T | - - - | ![]() | 4250 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | Do-214AC (SMA) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 112-US1J-M3S/61TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | MMSZ5251C-G3-08 | 0,0483 | ![]() | 1023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5251 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 Ohm | ||||||||||||||
![]() | VS-HFA04TB60SR-M3 | 0,3635 | ![]() | 9344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HFA04 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,2 V @ 8 a | 42 ns | 3 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - - - | |||||||||||
![]() | SE50PAGHM3/i | 0,5000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221BC, SMA Flat Leads Exponierte Pad | SE50 | Standard | DO-221BC (SMPA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,16 V @ 5 a | 2 µs | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 32pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | ESH1PB-M3/84A | 0,4600 | ![]() | 1504 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | Esh1 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 900 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
RMPG06B-E3/54 | 0,1016 | ![]() | 7900 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Mpg06, axial | RMPG06 | Standard | MPG06 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6.6PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | ESH3C-M3/57T | 0,2454 | ![]() | 9820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Esh3 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 900 mv @ 3 a | 40 ns | 5 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 70pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SS1H9HE3/5AT | - - - | ![]() | 9297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS1H9 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 770 mv @ 1 a | 1 µa @ 90 V | 175 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||||
![]() | VI20202C-M3/4W | 2.2300 | ![]() | 8567 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Vi20202 | Schottky | To-262aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 150 µa @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
![]() | VS-10MQ040HM3/5AT | 0,4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 10mq040 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 540 mv @ 1 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 38PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | VS-80PFR80 | 6.6000 | ![]() | 89 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 80PFR80 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS80PFR80 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,4 V @ 220 a | -55 ° C ~ 180 ° C. | 80a | - - - | ||||||||||||
![]() | Vs-8eth06strlpbf | - - - | ![]() | 3661 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 8eth06 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vs8eth06strlpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,4 V @ 8 a | 25 ns | 50 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
![]() | TZMC12-GS08 | 0,2300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, TZM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMC12 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 NA @ 9.1 V. | 12 v | ||||||||||||||
![]() | SL23HM3_A/H | 0,1779 | ![]() | 4906 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SL23 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-SL23HM3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 440 mv @ 2 a | 400 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||
![]() | EGF1DHE3/5CA | - - - | ![]() | 1041 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214ba | EGF1 | Standard | Do-214BA (GF1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | VS-51MT120KPBF | 105.5500 | ![]() | 1758 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | MT-K-Modul | 51MT120 | Standard | MT-K | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS51MT120KPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 55 a | DRIPHASE | 1,2 kv | ||||||||||||||
![]() | BZX884B15L-HG3-08 | 0,3600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | 300 MW | DFN1006-2A | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZG03C82-HM3-08 | 0,5200 | ![]() | 5968 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG03C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,1% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03C82 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 62 V | 82 v | 100 Ohm | |||||||||||||
![]() | BZW03C120-TAP | - - - | ![]() | 2072 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZW03 | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,2 V @ 1 a | 2 µa @ 91 V | 120 v | 170 Ohm | |||||||||||||
![]() | BAV100-GS08 | 0,2100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BAV100 | Standard | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 100 mA | 50 ns | 100 na @ 50 V | 175 ° C (max) | 250 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 10tf10strr | - - - | ![]() | 3224 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 10TF10 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,33 V @ 10 a | 310 ns | 100 µA @ 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||
BZX84B4V7-HE3_A-08 | 0,0498 | ![]() | 2352 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-BZX84B4V7-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 3 µa @ 2 V | 4,7 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | VS-STPS30L30CGTRRP | - - - | ![]() | 5515 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STPS30 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VSSTPS30L30CGTRRP | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 15a | 460 mv @ 15 a | 1,5 mA @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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